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GB/T 43493.1—2023《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分:缺陷分类》等系列国家标准解读 被引量：1
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作者 芦伟立 房玉龙 +5 位作者 王波 李帅 王健 韩明睿 王启蘅 李建涛 《标准科学》 2025年第S1期120-123,共4页
近两年全球对碳化硅(SiC)材料的需求呈爆发式增长,SiC外延片作为功率器件的核心材料,其质量和性能直接决定了器件的可靠性和使用寿命。制定SiC外延片国家标准,规范SiC外延片的缺陷分类及其检测方法,指导SiC外延片的生产和使用,对于促进... 近两年全球对碳化硅(SiC)材料的需求呈爆发式增长,SiC外延片作为功率器件的核心材料,其质量和性能直接决定了器件的可靠性和使用寿命。制定SiC外延片国家标准,规范SiC外延片的缺陷分类及其检测方法,指导SiC外延片的生产和使用,对于促进国内SiC半导体材料和SiC基功率半导体器件的高质量发展发挥着重要作用。本文对GB/T43493.1—2023《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分:缺陷分类》等3个国家标准进行解读,并对重点内容进行评析,帮助标准使用者更好的理解、贯彻和实施。 展开更多
关键词 碳化硅 缺陷 国家标准
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基于GaAs界面的长波InAs/GaSb超晶格红外焦平面探测器研制
2
作者 周旭昌 蒋志 +13 位作者 班雪峰 王海澎 孔金丞 邓功荣 岳彪 黄俊博 木迎春 雷晓虹 陈蕊 王海虎 陈杰 周艳 段碧雯 李淑芬 《红外与激光工程》 北大核心 2025年第8期56-63,共8页
开展了基于GaAs界面的InAs/GaSb超晶格红外探测器材料和焦平面探测器研究。采用分子束外延(MBE)技术在InAs衬底上生长了高质量的PB1nB2N双势垒超晶格材料,通过GaAs界面的引入来提高了超晶格材料生长温度来改善材料晶体质量并降低暗电流... 开展了基于GaAs界面的InAs/GaSb超晶格红外探测器材料和焦平面探测器研究。采用分子束外延(MBE)技术在InAs衬底上生长了高质量的PB1nB2N双势垒超晶格材料,通过GaAs界面的引入来提高了超晶格材料生长温度来改善材料晶体质量并降低暗电流;同时通过结构设计将电场加载到宽带隙的电子和空穴势垒阻挡层,实现了窄带隙吸收层与耗尽区分离,减小产生-复合暗电流。采用ICP干法刻蚀技术制备出光滑台面,通过硫化/介质膜复合钝化技术实现了低侧壁漏电,研制出长波640×512焦平面探测器组件,截止波长为10.14μm,NETD达到17.8 mK,有效像元率达到99.89%,量子效率达到37%,成像验证展现出优良的光电性能。 展开更多
关键词 GaAs界面 INAS/GASB超晶格 长波 焦平面
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基于MOCVD的β-Ga_(2)O_(3)同质外延与Al掺异质结外延生长研究进展
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作者 刘洋 何云龙 +4 位作者 陈谷然 陆小力 郑雪峰 马晓华 郝跃 《固体电子学研究与进展》 2025年第1期1-15,共15页
β-Ga_(2)O_(3)是一种具有超宽带隙、高临界击穿场强和优异的巴利加优值的半导体材料,近年来在电力电子与深紫外光电探测等领域展现出巨大的应用潜力。金属有机化学气相沉积(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术凭借其... β-Ga_(2)O_(3)是一种具有超宽带隙、高临界击穿场强和优异的巴利加优值的半导体材料,近年来在电力电子与深紫外光电探测等领域展现出巨大的应用潜力。金属有机化学气相沉积(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术凭借其高生长速率、精确的膜厚控制、优异的薄膜质量和大尺寸生长等优势,成为未来β-Ga_(2)O_(3)走向产业化的潜在方法,并已被广泛应用于β-Ga_(2)O_(3)的外延生长研究。本文对几种常见晶向的β-Ga_(2)O_(3) MOCVD同质外延生长的研究成果进行了概述,并在此基础上介绍了极具潜力的β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)的MOCVD外延生长研究现状。最后,总结了基于MOCVD技术的β-Ga_(2)O_(3)同质外延生长以及β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)生长过程中面临的主要问题,并对未来的发展进行了展望。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3) 金属有机化学气相沉积 同质外延 β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)
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4H-SiC同质外延材料堆垛层错缺陷的表征与研究
4
作者 芦伟立 房玉龙 +3 位作者 李帅 王启蘅 韩明睿 王波 《标准科学》 2025年第S1期359-363,共5页
对采用水平式单片外延CVD设备生长的SiC外延材料堆垛层错缺陷进行研究,使用傅里叶变换红外光谱仪和表面缺陷分析仪对SiC外延材料的厚度和缺陷进行表征测试和统计。研究了SiC同质外延材料中堆垛层错的产生机理和延伸模型,同时探索了SiC衬... 对采用水平式单片外延CVD设备生长的SiC外延材料堆垛层错缺陷进行研究,使用傅里叶变换红外光谱仪和表面缺陷分析仪对SiC外延材料的厚度和缺陷进行表征测试和统计。研究了SiC同质外延材料中堆垛层错的产生机理和延伸模型,同时探索了SiC衬底TSD和BPD位错密度对外延堆垛层错密度的影响,通过外延温度的优化和变速过渡层外延工艺的突破,实现外延材料中堆垛层错密度降低至0.1个每平方厘米以下,高质量的SiC外延材料可进一步满足各类SiC电力电子器件研制需求。 展开更多
关键词 SIC 外延 缺陷 堆垛层错
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基于离心铸造法制备的CsPbBr_(3)多晶薄膜及其光电性能 被引量：1
5
作者 云文磊 郭喜涛 +1 位作者 冯林 邓文娟 《半导体技术》 北大核心 2025年第4期358-364,共7页
金属卤化物钙钛矿因具有优异的光电特性,被广泛应用于光电探测器。然而,溶液法制备钙钛矿多晶薄膜的工艺复杂,且薄膜的连续性和致密度不高,进而影响其光电性能。使用溶液处理离心铸造法快速制备了连续且致密的CsPbBr_(3)多晶薄膜,采用... 金属卤化物钙钛矿因具有优异的光电特性,被广泛应用于光电探测器。然而,溶液法制备钙钛矿多晶薄膜的工艺复杂,且薄膜的连续性和致密度不高,进而影响其光电性能。使用溶液处理离心铸造法快速制备了连续且致密的CsPbBr_(3)多晶薄膜,采用叉指金电极构建了金属-半导体-金属结构的CsPbBr_(3)微米晶薄膜光电探测器。利用离心力增强CsPbBr_(3)微米晶粒之间的接触,形成连续且致密的高质量薄膜,最终有效地提升了CsPbBr_(3)多晶薄膜光电探测器的性能。所制备的光电探测器表现出出色的弱光电探测能力,在520 nm波长光源照射下,器件的光响应度和比探测率分别达到525 mA/W和2.8×10^(12)Jones。研究结果表明,通过离心铸造法能够有效地提高溶液处理的钙钛矿多晶薄膜的质量,进而提升其光电器件性能。 展开更多
关键词 金属卤化物钙钛矿 离心铸造法 金属-半导体-金属结构 CsPbBr_(3)多晶薄膜 光电探测器
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基于干法刻蚀和湿法腐蚀方法的GaN纳米柱阵列制备研究 被引量：1
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作者 杨丽艳 冯林 +2 位作者 谢婷 邹继军 邓文娟 《机电工程技术》 2025年第8期33-37,共5页
研究制备周期有序的高纵横比GaN纳米阵列,有效改善光电器件的光吸收和提取。利用聚苯乙烯胶体球(PS球)和介质掩模刻蚀,四甲基氢氧化铵(TMAH)腐蚀辅助的方法,制备高纵横比的GaN纳米柱阵列。在制备过程中,掩膜层的刻蚀选择比决定纳米柱的... 研究制备周期有序的高纵横比GaN纳米阵列,有效改善光电器件的光吸收和提取。利用聚苯乙烯胶体球(PS球)和介质掩模刻蚀,四甲基氢氧化铵(TMAH)腐蚀辅助的方法,制备高纵横比的GaN纳米柱阵列。在制备过程中,掩膜层的刻蚀选择比决定纳米柱的高度和形貌,感应耦合等离子体刻蚀(ICP)参数和TMAH腐蚀时间影响纳米柱的形貌。研究了不同掩膜层的选择比、ICP气体流量和种类、TMAH腐蚀时间对纳米柱形貌的影响,优化调整了工艺。扫描电子显微镜(SEM)表征纳米柱形貌,分析表明:(1)PS球、100 nm氮化硅和20 nm镍组合掩膜的选择比最高,制备出直径高度比大于1∶5的高纵横比纳米柱;(2)ICP刻蚀的最佳参数为64 sccm氯气,8 sccm三氯化硼,ICP功率100 W,BIAS功率70 W,腔压0.6 Pa,刻蚀速率约90 nm/min,侧壁倾斜角度约80°;(3)纳米柱的侧壁会随着TMAH的腐蚀时间变得垂直光滑,腐蚀时间不够侧壁呈阶梯状台阶,腐蚀时间过长纳米柱从底部脱落,最佳腐蚀时间为30 min,并从原子结构解释了湿化学腐蚀行为。 展开更多
关键词 GAN 纳米柱阵列 聚苯乙烯胶体球 刻蚀掩膜 TMAH
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研磨和抛光参数对(001)面β-Ga_(2)O_(3)单晶衬底表面质量的影响
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作者 高飞 王英民 +3 位作者 程红娟 张嵩 董增印 辛倩 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期915-921,共7页
衬底的表面质量对卤化物气相外延(HVPE)法生长的同质外延薄膜的质量至关重要。研究了(001)面β-Ga_(2)O_(3)单晶衬底研磨和抛光工艺中研磨盘材质、研磨压力、抛光垫种类等参数对材料去除速率(v_(R))、表面粗糙度(R_(a))和表面质量的影... 衬底的表面质量对卤化物气相外延(HVPE)法生长的同质外延薄膜的质量至关重要。研究了(001)面β-Ga_(2)O_(3)单晶衬底研磨和抛光工艺中研磨盘材质、研磨压力、抛光垫种类等参数对材料去除速率(v_(R))、表面粗糙度(R_(a))和表面质量的影响。实验结果表明,采用树脂铜盘、树脂锡盘和SUBA800抛光垫配合3μm粒径的多晶金刚石液研磨,均可以实现塑性域去除,v_(R)分别为3.13、1.23、0.25μm/min,R_(a)分别为16.2、13.2和7.81 nm。在化学机械抛光(CMP)过程中,抛光垫的物性参数直接影响v_(R)和表面质量,采用阻尼布可以实现R_(a)小于0.2 nm、无亚表面损伤的原子级平整表面。采用此衬底进行HVPE法生长的同质外延薄膜形貌均匀,未发现加工相关的缺陷。 展开更多
关键词 (001)面β-Ga_(2)O_(3) 原子级平整 表面粗糙度 材料去除速率 化学机械抛光(CMP)
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6英寸低缺陷掺硫磷化铟晶体制备与性质研究
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作者 李晓岚 高渊 +4 位作者 闫小兵 徐成彦 史艳磊 王书杰 孙聂枫 《半导体技术》 北大核心 2025年第7期684-690,共7页
低缺陷掺硫磷化铟晶片是光电器件的主要衬底材料,制备6英寸(1英寸=2.54 cm)大直径单晶是降低器件成本的重要手段之一。通过分析6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶生长过程的杂质效应机理、热应力和热场温度分布,并对掺硫磷化铟晶体头、中、尾... 低缺陷掺硫磷化铟晶片是光电器件的主要衬底材料,制备6英寸(1英寸=2.54 cm)大直径单晶是降低器件成本的重要手段之一。通过分析6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶生长过程的杂质效应机理、热应力和热场温度分布,并对掺硫磷化铟晶体头、中、尾切片进行电学性能、位错密度及应力测试,得到载流子浓度与掺杂量、迁移率及位错(腐蚀坑)密度之间的关系,以及掺硫磷化铟晶体易开裂的原因。优化了适合生长6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶的半封闭可调热场系统,通过增加热屏罩,提高了炉体上部空间的气氛温度,降低了晶体内部的温度梯度,从而有效降低了晶体内的残余应力。确定了InP中In2S3的掺杂质量分数最大限度(≤300×10^(-6)),得到了低位错密度(<3000 cm^(-2))的磷化铟晶体,并有效地降低了晶体开裂的概率,实现了6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶的重复生长。 展开更多
关键词 掺硫磷化铟 晶体生长 杂质效应 位错(腐蚀坑)密度 晶体开裂
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富磷半绝缘磷化铟晶体生长的行波磁场调控
9
作者 邵会民 史睿菁 +4 位作者 李早阳 孙聂枫 姜剑 毛旭瑞 宋瑞良 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期901-907,共7页
针对高压垂直梯度凝固(HP-VGF)法生长InP晶体,建立了行波磁场作用下的晶体生长流动传热数值模型,并结合晶体生长实验研究了磁场对富磷半绝缘InP晶体中缺陷生成与掺杂分布的调控作用。研究结果表明,行波磁场可以在InP熔体中产生足够大的... 针对高压垂直梯度凝固(HP-VGF)法生长InP晶体,建立了行波磁场作用下的晶体生长流动传热数值模型,并结合晶体生长实验研究了磁场对富磷半绝缘InP晶体中缺陷生成与掺杂分布的调控作用。研究结果表明,行波磁场可以在InP熔体中产生足够大的洛伦兹力,使得熔体流动增强且温度分布发生变化;磁场调控使孪晶形核概率降低了15%,促进富磷熔体中气泡的逃逸,获得少气孔甚至无气孔的InP晶体,并能够减少晶体中心位错和提高Fe掺杂及轴向电学参数的均匀性。本研究可为生长大尺寸高品质InP晶体提供参考。 展开更多
关键词 磷化铟 单晶 孪晶 半绝缘 磁场 位错
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基于MOF衍生NiO中空纳米微球的室温NO_(2)气体传感器
10
作者 李栋辉 韩丹 +2 位作者 桑鲁骁 菅傲群 桑胜波 《半导体技术》 北大核心 2025年第6期568-573,580,共7页
NO_(2)是大气污染中最常见的有毒气体之一,快速准确地探测NO_(2)对环境保护和人类健康具有重要意义。金属有机框架(MOF)是一类具有高比表面积和丰富活性位点的新型结构,可经加热锻烧去除有机配体,衍生出对应的中空多孔金属氧化物,是目... NO_(2)是大气污染中最常见的有毒气体之一,快速准确地探测NO_(2)对环境保护和人类健康具有重要意义。金属有机框架(MOF)是一类具有高比表面积和丰富活性位点的新型结构,可经加热锻烧去除有机配体,衍生出对应的中空多孔金属氧化物,是目前室温气体传感器领域优异的敏感单元候选。利用便捷高效的一步水热法及热退火工艺制备出基于MOF衍生NiO中空纳米微球的室温NO_(2)气体传感器,并结合结构和形貌表征手段证明其成功制备。气敏测试结果表明,所制备的传感器在室温下对NO_(2)具有优异的响应恢复特性,检测限为0.5×10^(-6),并通过能带结构分析了整个气体传感过程。所制备的MOF衍生NiO中空纳米微球传感器为实现室温NO_(2)气体传感提供了理想的解决方案。 展开更多
关键词 NIO 气体传感器 纳米微球 中空多孔结构 室温传感
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半导体电阻型氨气传感器及其在人体呼气健康监测中的应用
11
作者 冯明霞 钱锦天 +3 位作者 吕大伍 沈文锋 宋伟杰 谭瑞琴 《化学进展》 北大核心 2025年第5期743-757,共15页
人类呼出气与疾病有着密切的关系,其中氨气是肾病和幽门螺旋杆菌阳性等疾病的呼吸标志物。传统的呼出气检测主要通过气相色谱等手段,但其仪器体积庞大,操作复杂。新兴的氨气传感器具有便携、易集成、小型化、成本低和操作简单等优点,从... 人类呼出气与疾病有着密切的关系,其中氨气是肾病和幽门螺旋杆菌阳性等疾病的呼吸标志物。传统的呼出气检测主要通过气相色谱等手段,但其仪器体积庞大,操作复杂。新兴的氨气传感器具有便携、易集成、小型化、成本低和操作简单等优点,从而受到广泛关注。本综述系统阐述了半导体型氨气传感器的工作机制、传感器类型和常见的氨敏材料,同时介绍了传感阵列-电子鼻技术相对于单一传感器的优势,并提出了氨气传感器及其电子鼻系统在健康监测和疾病诊断中的应用研究,最后针对目前氨气传感器存在的问题以及未来前景进行了分析展望。 展开更多
关键词 半导体电阻型 氨气传感器 电子鼻 人体呼气 健康监测
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β-Ga_(2)O_(3)的变形机理以及单晶衬底的机械加工技术研究进展
12
作者 杨冉 金竹 +3 位作者 马可可 夏宁 张辉 杨德仁 《中国材料进展》 北大核心 2025年第2期199-208,共10页
β-Ga_(2)O_(3)是超宽禁带半导体的代表性材料之一,在电子器件、深紫外光电子器件等方面有广泛的应用前景。β-Ga_(2)O_(3)的力学性能在生长、衬底片加工以及器件制备过程中都有重要的影响。综述了β-Ga_(2)O_(3)低温和高温的变形机理,... β-Ga_(2)O_(3)是超宽禁带半导体的代表性材料之一,在电子器件、深紫外光电子器件等方面有广泛的应用前景。β-Ga_(2)O_(3)的力学性能在生长、衬底片加工以及器件制备过程中都有重要的影响。综述了β-Ga_(2)O_(3)低温和高温的变形机理,包括主导塑性变形的位错的滑移系和解理断裂机制的总结分析,旨在全面认识β-Ga_(2)O_(3)的变形行为和机理,为其制备、加工和应用过程中遇到的变形相关问题给出指导;针对β-Ga_(2)O_(3)衬底片的加工过程,对切割、研磨和抛光过程中涉及到的变形机理和工艺探索进行了详细介绍,讨论了加工过程中主要存在的问题以及解决问题的方向。 展开更多
关键词 氧化镓单晶 力学性能 变形机理 机械加工
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基于MoS_(2)/MoO_(2)异质结构的高性能NO_(2)室温气体传感器 被引量：1
13
作者 陈雷庆 罗雅孜 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期254-258,312,共6页
金属氧化物半导体(MOS)气体传感器因工作温度过高,在室温检测方面受到阻碍。近年来,过渡金属二硫化物(TMD)因独特的物理和化学性质在室温检测领域受到广泛关注。MoS_(2)作为TMD中的一种,因高比表面积、高电子迁移率等优点而被广泛研究,... 金属氧化物半导体(MOS)气体传感器因工作温度过高,在室温检测方面受到阻碍。近年来,过渡金属二硫化物(TMD)因独特的物理和化学性质在室温检测领域受到广泛关注。MoS_(2)作为TMD中的一种,因高比表面积、高电子迁移率等优点而被广泛研究,但本征MoS_(2)气体传感器响应较低。利用简单的溶剂热法及后续在不同氩气和氧气混合气氛中高温退火处理合成了MoS_(2)/MoO_(2)异质结构,并制备传感器进行性能测试。结果表明,持续通入10 cm3/min氩气的传感器(M-10)对体积分数50×10^(-6)NO_(2)的响应从纯MoS_(2)传感器的1.72提升至19.69。与已有的MoS_(2)基气体传感器相比,该合成方法具有工艺简单、成本较低、可进行室温检测和灵敏度高的优势,为室温下检测NO_(2)提供了参考。 展开更多
关键词 气体传感器 MoS_(2)/MoO_(2)异质结构 室温 气体响应 NO_(2)
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采用多步骤组合退火方法改善碲镁镉晶体的性能
14
作者 张嘉伟 俞鹏飞 +2 位作者 韩召 杨桂芝 介万奇 《硅酸盐学报》 北大核心 2025年第1期102-113,共12页
碲镁镉(CdMgTe)晶体是一种理想的室温辐射探测新材料,但生长态晶体中仍然存在较多的缺陷,降低了探测器性能。采用多步骤组合退火方法对CdMgTe晶体进行退火改性,探讨了退火温度对晶体缺陷、力学、光学和电学性能的影响。结果表明,Cd气氛... 碲镁镉(CdMgTe)晶体是一种理想的室温辐射探测新材料,但生长态晶体中仍然存在较多的缺陷,降低了探测器性能。采用多步骤组合退火方法对CdMgTe晶体进行退火改性,探讨了退火温度对晶体缺陷、力学、光学和电学性能的影响。结果表明,Cd气氛退火后晶体中的Te夹杂相大幅减少,红外透过率和电阻率明显下降,经Te气氛退火后Te夹杂相密度无明显变化,而红外透过率和电阻率则显著提高且优于生长态晶体。退火后,晶体表面未出现额外氧化,禁带宽度最大增加了0.021 eV,显微硬度最多提高了16%,Raman光谱测试表明晶体中出现了新缺陷,探测器性能出现了质的变化。最佳退火条件获得的CdMgTe晶体制作的平面探测器性能最好,电子迁移率达526.86 cm^(2)/(V·s),能量分辨率和电子迁移率寿命积分别为15.6%和1.89×10^(–4)cm^(2)/V。 展开更多
关键词 碲镁镉晶体 多步骤组合退火 晶体质量 电阻率 室温辐射探测器
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基于CsPbBr_(3)/SnO_(2)异质结的高性能光电探测器
15
作者 龙开琳 刘风坤 +1 位作者 张春洋 郭喜涛 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期893-900,共8页
全无机钙钛矿因其优异的光电特性和环境稳定性,近些年在光电探测领域备受关注。然而,钙钛矿光电探测器件的光电性能仍有较大的提升空间。采用布里奇曼法制备了大尺寸的CsPbBr_(3)单晶,通过热蒸发法在CsPbBr_(3)表面沉积了一层厚度约120... 全无机钙钛矿因其优异的光电特性和环境稳定性,近些年在光电探测领域备受关注。然而,钙钛矿光电探测器件的光电性能仍有较大的提升空间。采用布里奇曼法制备了大尺寸的CsPbBr_(3)单晶,通过热蒸发法在CsPbBr_(3)表面沉积了一层厚度约120 nm的SnO_(2),形成了CsPbBr_(3)/SnO_(2)type-Ⅱ型异质结。这种类型的异质结能够有效地提高光生载流子的分离和收集效率,进而提升探测器的灵敏度。研究结果显示,制备的CsPbBr_(3)/SnO_(2)异质结探测器表现出优异的弱光探测性能,在520 nm波长光源照射下,器件的光响应度高达11544 mA/W,比探测率达到4.67×10^(12)Jones。本研究可为进一步优化和设计基于钙钛矿异质结的光电器件提供参考。 展开更多
关键词 布里奇曼法 CsPbBr_(3)单晶 SnO_(2) 异质结 光电探测器
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室温辐射探测器用CdMgTe单晶质量提升策略
16
作者 李玉婷 俞鹏飞 +3 位作者 韩召 徐清阳 鲍赟震 介万奇 《硅酸盐学报》 北大核心 2025年第7期1981-1992,共12页
碲镁镉(CdMgTe)晶体是一种理想的室温辐射探测新材料。为了提升晶体质量和探测器性能,采用Se气氛对CdMgTe晶体进行退火改性。退火后,Se以化学吸附的形式部分取代了Te,晶体中Mg和Se元素含量增加,禁带宽度最多增加了0.042eV。随着退火时... 碲镁镉(CdMgTe)晶体是一种理想的室温辐射探测新材料。为了提升晶体质量和探测器性能,采用Se气氛对CdMgTe晶体进行退火改性。退火后,Se以化学吸附的形式部分取代了Te,晶体中Mg和Se元素含量增加,禁带宽度最多增加了0.042eV。随着退火时间的延长,Te夹杂相密度不变,红外透过率和显微硬度先减小后增大,电阻率逐渐降低。最佳退火条件为Se气氛下773 K退火120 h,此时晶体质量最好,红外透过率达63.6%。由该晶体制备的室温辐射平面探测器性能最佳,电子迁移率达344.47 cm^(2)/(V·s),对能量为5.48 MeV的241Amα粒子的能量分辨率和载流子迁移率寿命积(μτ)e分别为17.2%和1.32×10^(–4)cm^(2)/V。 展开更多
关键词 室温辐射探测器 碲镁镉晶体 硒气氛退火 电阻率
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双色红外探测器芯片的串音测试方法研究
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作者 程雨 于元祯 +5 位作者 王亮 邢艳蕾 陈彦冠 周宽 刘铭 吴卿 《红外》 2025年第10期46-51,共6页
介绍了双色红外探测器对目标识别的重要意义,阐述了常见双色红外探测器的工作原理,并指出了光谱串音测试方法的局限性。结合实际应用中响应电压的重要作用,从普朗克黑体辐射原理出发,对响应电压串音测试方法进行了论证。计算结果表明,... 介绍了双色红外探测器对目标识别的重要意义,阐述了常见双色红外探测器的工作原理,并指出了光谱串音测试方法的局限性。结合实际应用中响应电压的重要作用,从普朗克黑体辐射原理出发,对响应电压串音测试方法进行了论证。计算结果表明,举例的双层材料双色探测器的长波波段向中波波段的光谱串音为13.7%,但长波波段向中波波段的响应电压串音为2.3%。通过成像验证,实际应用场景中长波波段向中波波段的串音比例约为2.4%,证明响应电压串音测试方法具有实用性。该方法不仅适用于双层材料的双色红外探测器,也适用于单层材料的拼接式双色红外探测器,对于双色红外探测器芯片发展具有参考意义。 展开更多
关键词 双色红外探测器 中波 长波 串音
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4H-SiC外延层高密度Σ形基平面位错成因研究
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作者 尹浩田 薛宏伟 +2 位作者 吴会旺 李召永 杜国杰 《微纳电子技术》 2025年第7期38-44,共7页
在4°斜切的6英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC衬底上生长了约12μm厚的同质外延层,利用化学机械抛光(CMP)的方法对外延层进行逐层剥离。通过光致发光(PL)测试观察Σ形基平面位错(BPD)在外延层中的位置及深度分布。对同晶体临近衬底进行KO... 在4°斜切的6英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC衬底上生长了约12μm厚的同质外延层,利用化学机械抛光(CMP)的方法对外延层进行逐层剥离。通过光致发光(PL)测试观察Σ形基平面位错(BPD)在外延层中的位置及深度分布。对同晶体临近衬底进行KOH腐蚀,使用光学显微镜观察并统计了衬底中BPD密度。结合衬底平整度测试,分析了外延层中高密度BPD的形成原因。最后,在CMP后残留了2.53μm厚外延层的晶圆上进行了相同掺杂浓度的二次外延,并对晶圆进行PL测试并观察BPD的变化情况。结果表明,BPD在衬底上方接近3μm的位置滑移成核,衬底中BPD的密度是影响外延层中Σ形BPD数量的主要因素。晶圆翘曲度会在一定程度上影响温度梯度,从而对BPD的形成产生影响。因此,控制衬底中心区域的BPD密度和晶圆翘曲度有助于减少Σ形BPD的形成,进而有助于提高SiC器件的性能和可靠性。 展开更多
关键词 4H-SIC 基平面位错(BPD) 半环阵列(HLA) 同质外延 化学机械抛光(CMP)
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国产6英寸SiC基GaN HEMT研制
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作者 孔欣 汪昌思 《太赫兹科学与电子信息学报》 2025年第4期322-330,共9页
近年来,国产6英寸SiC基氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)研制取得明显进展。本文研究了多层介质应力调制技术和高一致性背孔刻蚀技术,并应用于6英寸工艺整合。在48 V工作时,0.5μm工艺在3.5 GHz输出功率密度达8.6 W/mm,功率增益达15 ... 近年来,国产6英寸SiC基氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)研制取得明显进展。本文研究了多层介质应力调制技术和高一致性背孔刻蚀技术,并应用于6英寸工艺整合。在48 V工作时,0.5μm工艺在3.5 GHz输出功率密度达8.6 W/mm,功率增益达15 dB,功率附加效率为58.5%;在28 V工作时,0.25μm工艺在10 GHz输出功率密度达5.5 W/mm,功率增益为8.7 dB,功率附加效率为55.2%。通过高温工作寿命(HTOL)和高温反向偏置(HTRB)试验评估了GaN器件的可靠性,1000 h后器件饱和输出电流变化幅度<10%。制作了20 W、40 W功率管芯以及X波段单片微波集成电路(MMIC)功率放大器对工艺技术进行验证,测得在片良率依次为90%、86%和77%。结果表明,国产6英寸SiC基GaN HEMT在Ku波段以下具备应用前景。 展开更多
关键词 氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 6英寸 国产衬底 国产外延 工艺技术 良率
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InGaAs复合沟道InP HEMT材料结构设计及外延生长研究
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作者 马奔 于海龙 +3 位作者 王伟 沈逸凡 孔龙 李忠辉 《固体电子学研究与进展》 2025年第4期57-61,共5页
采用固态源分子束外延系统(Solid-source molecular beam epitaxy,SSMBE),研究InP高电子迁移率晶体管(High electron mobility transistor,HEMT)材料的结构设计及外延生长技术。通过研究不同沟道层和势垒层的生长温度以及Siδ掺杂条件对... 采用固态源分子束外延系统(Solid-source molecular beam epitaxy,SSMBE),研究InP高电子迁移率晶体管(High electron mobility transistor,HEMT)材料的结构设计及外延生长技术。通过研究不同沟道层和势垒层的生长温度以及Siδ掺杂条件对InP HEMT沟道二维电子气迁移率和面浓度的影响,得到最优的生长条件。此外,设计In_(x)Ga_(1-x)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As复合沟道的厚度以及In组分,分别得到In组分为0.8和0.95时具有较好沟道输运特性的InP HEMT材料。使用In_(0.95)Ga_(0.05)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As复合沟道,InAlAs隔离层和势垒层分别为4 nm和5 nm的InP HEMT材料室温二维电子气迁移率为12000 cm^(2)/(V·s),面浓度为3.04×10^(12)cm^(-2),该材料可为后续制备InP HEMT低噪声放大器芯片打下基础。 展开更多
关键词 分子束外延 高电子迁移率晶体管 复合沟道 二维电子气
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