硒的提取工艺研究现状及应用 被引量：12

1

作者 侯晓川 肖连生 +2 位作者 张启修 沈裕军 彭俊 《有色金属工程》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期53-57,62,共6页

介绍提取硒的主要原料,详细阐述当前国内外提取硒工艺的研究和应用现状,分析火法提硒和湿法提硒的特点,与火法提硒工艺相比,湿法提硒工艺具有能耗低、清洁环保、生产成本低等优点。因此,湿法提硒工艺将逐渐替代火法提硒工艺,成为提取硒... 介绍提取硒的主要原料,详细阐述当前国内外提取硒工艺的研究和应用现状,分析火法提硒和湿法提硒的特点,与火法提硒工艺相比,湿法提硒工艺具有能耗低、清洁环保、生产成本低等优点。因此,湿法提硒工艺将逐渐替代火法提硒工艺,成为提取硒的主导工艺。 展开更多

关键词 硒 提取 工艺 现状 应用

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硒蹄的萃取分离工艺研究 被引量：13

2

作者 卫芝贤 杨文斌 +1 位作者 王靖芳 段永生 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期188-190,共3页

筛选了Ｎ，Ｎ＇－二（１－甲基庚基）乙酰胺（简称Ｎ５０３）从盐酸溶液中萃取分离Ｓｅ（Ⅳ）、Ｔｅ（Ⅳ）的最佳萃取和反萃条件，并将此萃取体系应用于铜厂粗硒的提纯，使提纯后的硒纯度达到９９．９９８％。

关键词 萃取分离 硒 碲 提纯 半导体

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硒的总量及形态分析综述 被引量：14

3

作者 雷绍荣 杨定清 周娅 《中国测试》 CAS 2009年第5期1-6,共6页

综述了近年来硒总量及形态分析研究领域所取得的进展,主要包括:样品前处理技术、形态分离技术中液相色谱分离、毛细管电泳分离、气相色谱分离的优缺点;硒总量分析中氢化物发生原子吸收光谱(HG-AAS)、石墨炉原子吸收光谱法(GF-AAS)、紫... 综述了近年来硒总量及形态分析研究领域所取得的进展,主要包括:样品前处理技术、形态分离技术中液相色谱分离、毛细管电泳分离、气相色谱分离的优缺点;硒总量分析中氢化物发生原子吸收光谱(HG-AAS)、石墨炉原子吸收光谱法(GF-AAS)、紫外及可见分光光度法、荧光法、电化学法、中子活化技术等的优缺点和各种硒形态检测中HPLC-ICP-MS及ICP-MS的研究现状,同时展望了硒的形态分析技术。 展开更多

关键词 硒 总量 形态 分析 综述

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从铜阳极泥中回收硒、碲新技术 被引量：37

4

作者 梁刚 舒万艮 +1 位作者 蔡艳荣 郑诗礼 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期254-256,共3页

提出了从铜阳极泥中回收硒、碲的新技术：以Ｈ２Ｏ２作氧化剂，在弱酸性溶液中氧化硒和碲，固液分离后调节ｐＨ分离硒和碲，在盐酸酸化下用Ｎａ２ＳＯ３还原硒和碲。硒和碲回收率分别为９９％和９８％，纯度均可达９９％。

关键词 硒 碲 回收 铜阳极泥 铜电解

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离子交换法从铜阳极泥中提取高纯硒 被引量：9

5

作者 杨文斌 王靖芳 王建民 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第4期300-303,共4页

本文用离子交换法,从铜阳极泥的粗硒中制得99.995%的高纯硒,并对最佳工艺条件进行了选择,对回收率进行了测定。本法避免了火法冶炼的环境污染,是从铜阳极泥中提取高纯硒的一条新的工艺路线。

关键词 硒 离子交换法 铜阳极泥 提取

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非晶硒合金膜载流子特性研究 被引量：4

6

作者 徐向晏 牛憨笨 王云程 《光子学报》 EI CAS CSCD 1999年第10期895-900,共6页

在X射线医学成象和无损检测方面，非晶硒现在被认为是最有前途的探测材料之一，其我流子特性对应用至关重要．本文描述了非晶硒（掺砷）合金材料的制备和合金膜的真空蒸镀制备方法，并用滚越时间方法测量了载流于的漂移迁移率和寿命．... 在X射线医学成象和无损检测方面，非晶硒现在被认为是最有前途的探测材料之一，其我流子特性对应用至关重要．本文描述了非晶硒（掺砷）合金材料的制备和合金膜的真空蒸镀制备方法，并用滚越时间方法测量了载流于的漂移迁移率和寿命．讨论了一些对非晶硒合金膜性能有重要影响的因素．实验表明，制备方法对非晶硒合金膜的性能有显著影响．可以看到，在低电场下被陷讲捕获的我流子形成的空间电荷对测量我流永寿命和对光的敏感度有很大影响·实验得到了良好的结果，在10Wpm场强下，空穴迁移长度约150o尸m，电子迁移长度约1200μm．该结果表明，可以用几百微米厚的非晶硒合金膜作为X射线探测或成象的光电导接受器． 展开更多

关键词 非晶硒 渡越时间 漂移迁移率 迁移长度 载流子

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Si-Si直接键合的研究及其应用 被引量：6

7

作者 何国荣 陈松岩 谢生 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期149-153,171,共6页

硅片直接键合技术是一种简单易行的硅片熔合技术,由于该技术不受材料的结构、晶向和点阵参数的影响,因而得到了广泛的应用。介绍了硅片直接键合的方法和键合模型,并简单介绍了硅片直接键合技术的应用。

关键词 等离子体刻蚀 微机电系统 硅直接键合

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铜电解阳极泥焙烧脱硒工艺研究 被引量：9

8

作者 谢圣中 侯晓川 卓晓军 《中国钼业》 2017年第3期6-9,共4页

本文以铜电解阳极泥为原料,采用硫酸化焙烧对该原料中硒的脱除工艺进行了研究,考察了影响脱除硒的主要因素。通过实验研究确定了该工艺较优技术参数:即阳极泥与酸的比例为2.0;阳极泥与酸混合后静置时间6 h;鼓入气体为空气;空气的流量1.5... 本文以铜电解阳极泥为原料,采用硫酸化焙烧对该原料中硒的脱除工艺进行了研究,考察了影响脱除硒的主要因素。通过实验研究确定了该工艺较优技术参数:即阳极泥与酸的比例为2.0;阳极泥与酸混合后静置时间6 h;鼓入气体为空气;空气的流量1.5 L/min;焙烧温度650℃;焙烧时间180 min。在优化条件下,硒的挥发率高于98%。该工艺的研究,为铜电解阳极泥处理工艺改造提供了可靠的技术参数。 展开更多

关键词 铜阳极泥 硒 氧化 硫酸化 焙烧

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氢退火注碳外延硅发光特性研究 被引量：1

9

作者 王强 李玉国 +1 位作者 石礼伟 薛成山 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期256-258,共3页

外延硅经过碳注入、氢气氛下高温退火和电化学腐蚀相继处理之后,发出位于 431 nm 左右的蓝色荧光峰。随电化学腐蚀条件的增强,蓝色荧光峰先变强后消失,并出现位于 716 nm 处的红光峰。样品中随碳注入而注入的杂质 C=O复合体镶嵌在退火... 外延硅经过碳注入、氢气氛下高温退火和电化学腐蚀相继处理之后,发出位于 431 nm 左右的蓝色荧光峰。随电化学腐蚀条件的增强,蓝色荧光峰先变强后消失,并出现位于 716 nm 处的红光峰。样品中随碳注入而注入的杂质 C=O复合体镶嵌在退火过程所形成的纳米硅颗粒的表面,形成典型的纳米硅镶嵌结构。正是这种结构导致了蓝光发射。 展开更多

关键词 碳注入 氢退火 电化学腐蚀 纳米硅镶嵌结构

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基于半导体工艺制备碳纳米管阴极图形阵列 被引量：2

10

作者 朱长纯 史永胜 李琰 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期441-443,共3页

　提出一种成本低、简单易行的碳纳米管图形阵列制备技术。首先在硅基底上采用热解工艺生长碳纳米管(CNT)阴极,再用光刻腐蚀法制备阴极图形阵列。研究了掩模精度及腐蚀液的浓度对图形阵列的影响,对所得到的图形样品进行XPS分析表明,图... 　提出一种成本低、简单易行的碳纳米管图形阵列制备技术。首先在硅基底上采用热解工艺生长碳纳米管(CNT)阴极,再用光刻腐蚀法制备阴极图形阵列。研究了掩模精度及腐蚀液的浓度对图形阵列的影响,对所得到的图形样品进行XPS分析表明,图形腐蚀彻底、图形边沿轮廓清晰;以二极管结构FED测试场发射性能知:该阴极开启场1.5V/μm;在电场强度为2.0V/μm下,电流密度为58mA/mm2,发光亮度高达450cd/m2。 展开更多

关键词 碳纳米管 图形阵列 场致发射显示器

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纳米硒的制备及表征 被引量：8

11

作者 王红艳 张莉 +2 位作者 张胜义 史洪伟 王聪 《淮北煤炭师范学院学报（自然科学版）》 2004年第3期36-39,共4页

报道了一种用阿拉伯胶作为分散体系制备纳米硒的方法,研究了反应时间、反应物浓度、反应温度、超声等对产物粒度大小、形貌的影响,并采用光谱法、透射电镜、扫描电镜等手段对产物进行了表征.

关键词 纳米硒 阿拉伯胶 分散体系 反应物浓度

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注碳外延硅光致蓝光发射研究

12

作者 李玉国 王强 +1 位作者 石礼伟 薛成山 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期444-446,共3页

　N型外延硅经过碳注入、氢气氛下高温退火和电化学腐蚀后,发出峰值波长位于431nm左右的蓝色荧光。随电化学腐蚀条件的变化,蓝色荧光峰先变强后消失,并出现位于716nm处的红光峰。研究认为样品中C=O复合体杂质镶嵌在退火过程所形成的纳... 　N型外延硅经过碳注入、氢气氛下高温退火和电化学腐蚀后,发出峰值波长位于431nm左右的蓝色荧光。随电化学腐蚀条件的变化,蓝色荧光峰先变强后消失,并出现位于716nm处的红光峰。研究认为样品中C=O复合体杂质镶嵌在退火过程所形成的纳米硅颗粒的表面而形成的纳米硅镶嵌结构导致了蓝光发射。 展开更多

关键词 碳注入 氢退火 电化学腐蚀 纳米结构

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铜阳极泥回转窑硫酸化焙烧蒸硒设计研究 被引量：7

13

作者 王兴 《新疆有色金属》 2017年第5期50-51,共2页

本文介绍了回转窑硫酸化焙烧蒸硒工艺,并结合实际生产和工程设计经验,分别针对阳极泥压滤及预干燥、硫酸化焙烧、硒吸收及还原、粗硒过滤及干燥、尾气处理等工序主要设备选型和实际生产中需要注意的问题进行了分析研究。

关键词 回转窑 硫酸化焙烧 硒吸收及还原 粗硒过滤及干燥 尾气处理

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用温度调制空间电荷限制电流法研究GD-a-Sic∶H膜的隙态密度

14

作者 王印月 王辉耀 张仿清 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1990年第3期37-41,共5页

本文用温度调制空间电荷限制电流法测得了 GD-a-Si_(1-x)C_x∶H 膜不同碳含量 x 时的隙态密度,得到了光处理前后隙态密度的变化情况,发现强光照后存在有光诱导缺陷态效应,文中还就该方法本身的优越性进行了讨论.

关键词 非晶硅膜 隙态密度 温度调制 薄膜

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水热沉积锗纳米棒的生长机理

15

作者 裴立宅 赵海生 +3 位作者 陶新秀 俞海云 樊传刚 张千峰 《安徽工业大学学报（自然科学版）》 CAS 2010年第1期47-51,共5页

以锗、二氧化锗为锗源,于400℃和7.1～8.0MPa的水热条件下在铜片上沉积出了单晶锗纳米棒。对不同金属基片作为衬底的实验结果表明铜片衬底在纳米棒的形成过程中起到了重要作用,对二氧化锗、锗分别作为原料的实验结果表明二氧化锗在锗纳... 以锗、二氧化锗为锗源,于400℃和7.1～8.0MPa的水热条件下在铜片上沉积出了单晶锗纳米棒。对不同金属基片作为衬底的实验结果表明铜片衬底在纳米棒的形成过程中起到了重要作用,对二氧化锗、锗分别作为原料的实验结果表明二氧化锗在锗纳米棒的形成过程中起到了关键作用,提出了锗酸铜辅助生长机理,初步解释了水热沉积锗纳米棒的生长过程。 展开更多

关键词 锗纳米棒 水热沉积 生长机理

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Si-SiO_2薄膜的翘曲度及应力分布测试分析

16

作者 廖秀英 杨晓波 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期209-211,共3页

应用BGS 6341型电子薄膜应力分布测试仪,对硅薄膜翘曲度及应力进行了测试,结合生产工艺对其测试结果加以分析,找出应力产生的各种因素,并加以改进,有效地提升工艺生产水平及稳定性。

关键词 错位相移 薄膜 翘曲度 应力

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硒萃取的新体系研究

17

作者 卫芝贤 霍红 林清波 《有色金属（冶炼部分）》 CAS 北大核心 1998年第6期34-35,43,共3页

选择了伯胺Ｎ１９２３（以ＲＮＨ２表示）从盐酸溶液中萃取硒（ＩＶ）合适的萃取及反萃条件，经两次萃取，硒萃取率可达９８％以上。

关键词 硒 萃取 伯胺 铜阳极泥

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抗坏血酸为还原剂制备Se纳米线(英文) 被引量：3

18

作者 陈元涛 张炜 +4 位作者 龚睿 范燕青 许小青 刘伟生 力虎林 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1481-1484,共4页

A novel route has been deveopled to synthesize selenium nanowires based on ascorbic acid as reductant. The diameter of selenium nanowires can be controlle d by the synthetic temperature. The as-obtained samples were c... A novel route has been deveopled to synthesize selenium nanowires based on ascorbic acid as reductant. The diameter of selenium nanowires can be controlle d by the synthetic temperature. The as-obtained samples were characterized by XR D, SEM. The growth mechanism was also dicussed. 展开更多

关键词 抗坏血酸 还原剂 制备 硒纳米线 半导体 无定形硒

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Sb/Se薄膜的晶化特性研究 被引量：2

19

作者 鲍海飞 叶水驰 +4 位作者 兰慕杰 袁保红 何代义 周士仁 王骐 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期337-340,共4页

对以Ｓｅ为基的非晶半导体材料的应用作以简单的回顾．利用热蒸发的方法制备了单层的Ｓｅ、Ｓｂ膜、含Ｓｂ的Ｓｅ膜以及Ｓｂ／Ｓｅ双层薄膜．利用Ｘ射线衍射技术分析了薄膜退火前后的晶化特性，用光学显微镜观察了薄膜退火前后的表面形... 对以Ｓｅ为基的非晶半导体材料的应用作以简单的回顾．利用热蒸发的方法制备了单层的Ｓｅ、Ｓｂ膜、含Ｓｂ的Ｓｅ膜以及Ｓｂ／Ｓｅ双层薄膜．利用Ｘ射线衍射技术分析了薄膜退火前后的晶化特性，用光学显微镜观察了薄膜退火前后的表面形貌，发现双层膜表面出现较多的裂纹。 展开更多

关键词 硒 锑 半导体薄膜技术

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关于准一维ZnSe纳米结构的合成与应用 被引量：2

20

作者 王志 李方泽 《电子科技》 2012年第8期73-76,共4页

硒化锌是Ⅱ-Ⅵ族中重要的宽禁带半导体材料,其禁带宽度为2.7 eV,是理想的蓝光探测器材料。准一维ZnSe纳米结构的合成有多种,如纳米带、纳米线、纳米棒等。由于纳米材料与薄膜材料相比具有表面积大、量子效应等独特的物理及化学特性,使... 硒化锌是Ⅱ-Ⅵ族中重要的宽禁带半导体材料,其禁带宽度为2.7 eV,是理想的蓝光探测器材料。准一维ZnSe纳米结构的合成有多种,如纳米带、纳米线、纳米棒等。由于纳米材料与薄膜材料相比具有表面积大、量子效应等独特的物理及化学特性,使得基于纳米材料的纳米器件在过去的几年内被广泛的制备与研究。目前准一维ZnSe纳米材料已经制备出多种纳米器件,文中将对ZnSe纳米结构的合成以及应用作介绍。 展开更多

关键词 硒化锌 纳米结构 器件

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