期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到367篇文章
< 1 2 … 19 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
异酰亚胺化对正性聚酰亚胺光刻胶光敏特性的影响
1
作者 步颜倩 陆忠刚 +3 位作者 胡嘉琪 董杰 赵昕 张清华 《高分子学报》 北大核心 2025年第8期1392-1404,共13页
围绕正性光敏聚酰亚胺(p-PSPI)光刻胶开展研究,开发了基于对聚酰亚胺前驱体异酰亚胺预处理再酯化从而调控前驱体树脂酯化率的有效方法,并确定了在50℃下反应2 h的最佳酯化条件.在光刻工艺方面,深入研究显影液浓度、光敏剂含量、前烘温... 围绕正性光敏聚酰亚胺(p-PSPI)光刻胶开展研究,开发了基于对聚酰亚胺前驱体异酰亚胺预处理再酯化从而调控前驱体树脂酯化率的有效方法,并确定了在50℃下反应2 h的最佳酯化条件.在光刻工艺方面,深入研究显影液浓度、光敏剂含量、前烘温度与时间等因素对该类p-PSPI光化学反应的影响.该光刻胶在365 nm紫外光照下,对比度达到2.5,灵敏度为70 mJ/cm^(2),且展现出良好的分辨率,在玻璃板上可达10μm,硅片上最小线宽为3μm.异酰亚胺化显著提升了聚酰胺酸酯的酯化程度,改善了光刻胶显影工艺中的溶解速率差异,表现出优异的光刻能力,在半导体、集成电路等领域应用前景广阔. 展开更多
关键词 光敏聚酰亚胺 异酰亚胺化 酯化 光刻工艺 光敏特性
原文传递
ε-Ga_(2)O_(3)器件各向异性迁移率的TCAD仿真
2
作者 邓南发 周贤中 《电子器件》 2025年第4期741-746,共6页
氧化镓(Ga_(2)O_(3))是一种具有超宽禁带的半导体材料,具备高击穿场强、高Baliga优值和高热稳定性等出色的物理性能,在外延生长和器件制备方面具有一定的优势,被广泛视为下一代功率电子和深紫外光电器件的理想候选材料。通过第一性原理... 氧化镓(Ga_(2)O_(3))是一种具有超宽禁带的半导体材料,具备高击穿场强、高Baliga优值和高热稳定性等出色的物理性能,在外延生长和器件制备方面具有一定的优势,被广泛视为下一代功率电子和深紫外光电器件的理想候选材料。通过第一性原理计算和TCAD仿真,介绍ε-Ga_(2)O_(3)场效应管的各向异性迁移率。结果显示,相比于<001>和<011>晶向,<111>晶向的ε-Ga_(2)O_(3)场效应管,在导通状态下,其跨导更大,具有更好的放大能力;导通电阻R_(DS)(on)更小,导通损耗更小。然而,在导通状态切换到截止状态时,却会出现开关速度的减慢和功耗的增加等劣势。这些结果为今后ε-Ga_(2)O_(3)MOSFET器件的设计和优化提供了重要参考。 展开更多
关键词 氧化镓 各向异性 场效应管 半导体材料 功率电子
在线阅读 下载PDF
基于晶圆级介电薄膜掺杂参考样片的FTIR光谱校准建模应用
3
作者 金红霞 饶张飞 +1 位作者 秦凯亮 薛栋 《半导体技术》 北大核心 2025年第10期1085-1092,共8页
为解决复杂工艺环境下多元素掺杂质量分数在线监测的难题,提出一种基于晶圆级介电薄膜参考样片的掺杂质量分数设计与定量检测方法。基于全因子设计与中心复合分布,制定了介电薄膜掺杂参考样片设计方案,结合次常压化学气相沉积(SACVD)工... 为解决复杂工艺环境下多元素掺杂质量分数在线监测的难题,提出一种基于晶圆级介电薄膜参考样片的掺杂质量分数设计与定量检测方法。基于全因子设计与中心复合分布,制定了介电薄膜掺杂参考样片设计方案,结合次常压化学气相沉积(SACVD)工艺与Si_3N_4阻隔膜技术制备了6英寸(1英寸=2.54 cm)硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)掺杂参考样片。采用傅里叶变换红外(FTIR)光谱技术对参考样片进行特征峰吸光度分析,构建硼、磷掺杂质量分数的定量校准模型,实现了双元素同步检测。校准集分析结果显示,该模型对硼、磷掺杂质量分数的预测值与标准值的决定系数(R~2)分别达0.998和0.995;在验证集下该模型对硼、磷掺杂质量分数的预测误差分别仅为0.22%和0.17%,各项指标均满足集成电路工艺的精度要求。 展开更多
关键词 介电薄膜 掺杂质量分数 全因子设计 阻隔膜技术 傅里叶变换红外(FTIR)光谱校准建模
原文传递
太赫兹光谱技术在表征双相无机钙钛矿材料特性中的应用 被引量：1
4
作者 常青 程士嘉 +1 位作者 侯文鑫 王引书 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期682-688,共7页
钙钛矿材料制备过程中的成分监控与表征对材料科学与钙钛矿技术的发展至关重要。采用时间分辨太赫兹光谱(TRTS)技术对双相CsPbBr3-CsPb2Br5薄膜材料在光泵浦作用下的光致电导特性进行了详细分析。通过观察和区分不同成分的Cs-Pb-Br三元... 钙钛矿材料制备过程中的成分监控与表征对材料科学与钙钛矿技术的发展至关重要。采用时间分辨太赫兹光谱(TRTS)技术对双相CsPbBr3-CsPb2Br5薄膜材料在光泵浦作用下的光致电导特性进行了详细分析。通过观察和区分不同成分的Cs-Pb-Br三元钙钛矿材料的光谱特征,确认了不同声子模式的来源。使用Drude-Smith模型的延伸模型对样品的光致电导进行拟合分析,进一步探究了薄膜材料的载流子动力学过程以及晶体结构的变化过程。本实验为太赫兹时域光谱技术在钙钛矿鉴别中的应用提供了新的视角,也为钙钛矿材料在光伏领域的潜在应用提供了坚实的理论依据。 展开更多
关键词 钙钛矿 时间分辨太赫兹光谱(TRTS) 载流子动力学 光学声子 光伏特性
原文传递
四探针技术测量薄层电阻的原理及应用 被引量：57
5
作者 刘新福 孙以材 刘东升 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期48-52,共5页
对四探针技术测试薄层电阻的原理进行了综述,重点分析了常规直线四探针法、改进范德堡法和斜置式方形Rymaszewski 法的测试原理,并应用斜置式Rymaszewski 法研制成新型的四探针测试仪,利用该仪器对样品进行了微区(300μm×300μm)... 对四探针技术测试薄层电阻的原理进行了综述,重点分析了常规直线四探针法、改进范德堡法和斜置式方形Rymaszewski 法的测试原理,并应用斜置式Rymaszewski 法研制成新型的四探针测试仪,利用该仪器对样品进行了微区(300μm×300μm)薄层电阻测量,做出了样品的电阻率等值线图,为提高晶锭的质量提供了重要参考。 展开更多
关键词 四探针 薄层电阻 Rymaszewski法 范德堡法
在线阅读 下载PDF
单晶硅纳米力学性能的测试 被引量：13
6
作者 赵宏伟 杨柏豪 +1 位作者 赵宏健 黄虎 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期1602-1608,共7页
对材料纳米力学性能测试手段进行了研究,着重分析了纳米压痕技术的原理和方法。结合纳米压痕技术,采用尖端四面体Vickers型单晶金刚石压头对单晶硅(100)晶面进行了纳米压痕实验测试。实验发现,在载荷为1000mN时,晶体硅出现了明显的裂纹... 对材料纳米力学性能测试手段进行了研究,着重分析了纳米压痕技术的原理和方法。结合纳米压痕技术,采用尖端四面体Vickers型单晶金刚石压头对单晶硅(100)晶面进行了纳米压痕实验测试。实验发现,在载荷为1000mN时,晶体硅出现了明显的裂纹和脆性断裂;而在载荷低于80mN的情况下,晶体硅则表现出延性特性。此外,在不同载荷条件下对晶体硅的硬度进行了实验测试,测试结果发现,不同载荷条件下晶体硅的硬度测量值存在较大的差异,认为导致这种差异的原因在于压痕区域晶体硅所受压力不同,使得晶体硅内部结构发生了改变,较为准确的单晶硅的硬度测量值为15.7GPa。 展开更多
关键词 单晶硅薄片 纳米力学 纳米压痕 硬度 纳米级切削加工
在线阅读 下载PDF
光伏法测量AlAs/GaAs超晶格子带间光跃迁 被引量：7
7
作者 朱文章 陈朝 +2 位作者 刘士毅 江德生 庄蔚华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第7期405-410,共6页
采用电容耦合法,在18—300K温度范围内测量了AlAs/GaAs超晶格的光伏谱.在100K以下,光伏曲线反映了台阶式二维状态密度分布,可观测到6个信号峰.采用Kronig-Penney模型计算势阱中导带和价带子带的位置和带宽,共有3个导带子带,6个重空穴子... 采用电容耦合法,在18—300K温度范围内测量了AlAs/GaAs超晶格的光伏谱.在100K以下,光伏曲线反映了台阶式二维状态密度分布,可观测到6个信号峰.采用Kronig-Penney模型计算势阱中导带和价带子带的位置和带宽,共有3个导带子带,6个重空穴子带和3个轻空穴子带.根据宇称守恒确定光跃迁选择定则,对6个峰进行指认.实验结果与理论计算的结果基本相符合. 展开更多
关键词 超晶格 光伏谱法 子带 光跃迁 测量
在线阅读 下载PDF
多层悬臂梁静电作用下的弯曲及吸合电压分析 被引量：8
8
作者 聂萌 黄庆安 +1 位作者 王建华 戎华 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期72-75,共4页
多层悬臂粱MEMS器件具有广泛的应用,其吸合电压对器件性能有重要影响。通过选取合适的挠度试函数,并考虑多层悬臂梁中的绝缘层对等效间隙高度的影响,运用能量法分析了多层悬臂梁在静电作用下的弯曲情况。推导出了梁在发生吸合现象时,其... 多层悬臂粱MEMS器件具有广泛的应用,其吸合电压对器件性能有重要影响。通过选取合适的挠度试函数,并考虑多层悬臂梁中的绝缘层对等效间隙高度的影响,运用能量法分析了多层悬臂梁在静电作用下的弯曲情况。推导出了梁在发生吸合现象时,其自由端归一化的挠度值和对应的吸合电压的解析表达式。用Coventor软件中的CoSolveEM模块验证所得公式,表明模型具有较高的精度。所得结论对静电执行结构设计具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 多层悬臂梁 挠度试函数 等效间隙高度 MEMS 静电作用 弯曲 吸合电压
在线阅读 下载PDF
GIS中快速暂态过电压的测试技术 被引量：10
9
作者 周瑜 李军 +3 位作者 徐世山 孟可风 张仲秋 谢彭盛 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2009年第4期68-71,共4页
分析了气体绝缘封闭式组合电器(GIS)中快速暂态过电压(VFTO)现象,介绍了目前国内外VFTO测试装置的原理、技术特点和存在的问题,针对是否预置传感器及不同的测试点,提出了VFTO的有效测试方法。
关键词 气体绝缘组合电器(GIS) 快速暂态过电压(VFTO) 快速暂态电流(FTC) 传感器
在线阅读 下载PDF
X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度 被引量：7
10
作者 曹福年 卜俊鹏 +5 位作者 吴让元 郑红军 惠峰 白玉珂 刘明焦 何宏家 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期635-638,共4页
本文通过测量ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层）的Ｘ射线回摆曲线ＦＷＨＭ，与抛光晶片的ＴＥＭ观测相结合，作出晶片回摆曲线ＦＷＨＭ的比率Ｒ与ＴＥＭ观测的晶片亚表面损伤层厚度Ｄ的关系曲线，建立了一种... 本文通过测量ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层）的Ｘ射线回摆曲线ＦＷＨＭ，与抛光晶片的ＴＥＭ观测相结合，作出晶片回摆曲线ＦＷＨＭ的比率Ｒ与ＴＥＭ观测的晶片亚表面损伤层厚度Ｄ的关系曲线，建立了一种定量检测ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片的亚表面损伤层厚度技术，文中将对这种技术进行描述并作讨论． 展开更多
关键词 SI-砷化镓 抛光晶片 亚表面损伤层 定量检测
在线阅读 下载PDF
基于单片机控制的恒流源的设计 被引量：19
11
作者 郭继昌 李香萍 张宏涛 《电子测量与仪器学报》 CSCD 2000年第4期59-63,共5页
介绍一种用于场强机的智能化 2 0 0V/ 1 0A恒流源的设计过程。该恒流源采用 51系列单片机控制 ,设计中采用了改变D/A变换器基准电压的新方法 ,校正了由于铁磁质的非线性而引起的误差 ,提高了输出的精度。
关键词 电压基准 智能化电源 闭环控制 半导体 恒流源
在线阅读 下载PDF
化学染色法测量B,Al及P扩散结深 被引量：7
12
作者 佟丽英 赵权 +2 位作者 史继祥 王聪 李亚光 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1213-1215,共3页
采取化学染色法对B,Al和P杂质扩散形成的结深进行检测,通过实验不同浓度染色液的腐蚀特性,选择易于控制和重复性好的染色腐蚀液。同时采用扩展电阻法对同一个样品的结深进行测试,以扩展电阻法所得结果为标准,与染色法的测量结果进行对比... 采取化学染色法对B,Al和P杂质扩散形成的结深进行检测,通过实验不同浓度染色液的腐蚀特性,选择易于控制和重复性好的染色腐蚀液。同时采用扩展电阻法对同一个样品的结深进行测试,以扩展电阻法所得结果为标准,与染色法的测量结果进行对比,根据测试结果与理论分析,对染色法的测试结果进行修正,确定P扩散结深的测试系数。 展开更多
关键词 扩散结深 染色液 扩展电阻探针法
在线阅读 下载PDF
CdZnTe单晶的机械抛光及其表面损伤层的测定 被引量：9
13
作者 查钢强 介万奇 +1 位作者 李强 刘永勤 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期120-122,共3页
研究了CdZnTe单晶片的机械抛光工艺。采用SiO2和MgO进行分步机械抛光后的晶片光亮平整,在光学显微镜下观察没有划伤,采用New View5000TM测得抛光后晶片的表面粗糙度Ra为8.752nm。采用X射线摇摆曲线的半峰宽表征了表面损伤程度。通过分... 研究了CdZnTe单晶片的机械抛光工艺。采用SiO2和MgO进行分步机械抛光后的晶片光亮平整,在光学显微镜下观察没有划伤,采用New View5000TM测得抛光后晶片的表面粗糙度Ra为8.752nm。采用X射线摇摆曲线的半峰宽表征了表面损伤程度。通过分析不同时间腐蚀后晶片的质量和半峰宽值,计算出机械抛光产生的表面损伤层厚度约为26.7μm。 展开更多
关键词 CDZNTE 机械抛光 X射线摇摆曲线 表面损伤层
在线阅读 下载PDF
半导体纳米晶的光吸收系数与尺寸的关系 被引量：7
14
作者 黄社松 陈东明 +1 位作者 何天敬 刘凡镇 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 1999年第6期663-669,共7页
利用有效质量近似，考虑有限深势阱，对半导体纳米晶的光吸收增强效应进行了研究，提出了一个基本的模型．在强限制区，随着半导体纳米晶尺寸的减小，势阶壁对电子一空穴对的相对运动的限制作用大大地增强了光吸收振子强度，对激子的质... 利用有效质量近似，考虑有限深势阱，对半导体纳米晶的光吸收增强效应进行了研究，提出了一个基本的模型．在强限制区，随着半导体纳米晶尺寸的减小，势阶壁对电子一空穴对的相对运动的限制作用大大地增强了光吸收振子强度，对激子的质心运动的限制作用缓慢地增加了吸收振子强度，而跃迁频率的变化减小了吸收振子强度，这三者的总体贡献导致了光吸收系数的大大增强；在弱限制区，单位体积的光吸收振子强度趋于一个常数，这与著名的巨振子强度理论是一致的．用该模型计算的和用反尺寸立方关系模型计算的吸收系数同实验进行比较，其结果更与实验相。吻合． 展开更多
关键词 半导体纳米晶 EMA理论 有限泞势阱 光吸收系数
在线阅读 下载PDF
双电测组合法测试半导体电阻率的研究 被引量：20
15
作者 宿昌厚 鲁效明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期298-306,共9页
对双电测组合四探针法测试方块电阻 (Rs)和体电阻率 ( ρ)进行了研究 ,从理论和实践上揭示三种组合模式的共同优点 :测量结果与探针间距无关 ,可使用不等距探针头 ;具有自动修正边界影响的功能 ,不必寻找修正因子 ;不移动探针头即可得... 对双电测组合四探针法测试方块电阻 (Rs)和体电阻率 ( ρ)进行了研究 ,从理论和实践上揭示三种组合模式的共同优点 :测量结果与探针间距无关 ,可使用不等距探针头 ;具有自动修正边界影响的功能 ,不必寻找修正因子 ;不移动探针头即可得知均匀性 .推导出用于体电阻率时的厚度函数 .论述了Rs、ρ、大小样片及边界附近的测试原理 ,给出了Rs 和 ρ的计算公式 . 展开更多
关键词 半导体 双电测组合四探针法 方块电阻 电阻率
在线阅读 下载PDF
半导体材料对连续波YAG激光的热耦合系数的测量 被引量：4
16
作者 陈金宝 陆启生 +2 位作者 蒋志平 张正文 赵伊君 《应用激光》 CSCD 北大核心 1995年第4期167-168,共2页
对ＩｎＳｂ单晶、ＨｇＣｄＴｅ单晶、硅光电池三种半导体材料，利用积分球测量了在连续波ＹＡＧ激光（功率３Ｗ）辐照下，材料的热耦合系数．结果表明，材料的表面缺陷将增强对入射激光的热耦合．
关键词 热耦合系数 积分球 CW YAG激光 半导体材料 测量
原文传递
CTLM测量金属/半导体欧姆接触电阻率 被引量：6
17
作者 孙燕杰 何山虎 +3 位作者 甄聪棉 龚恒翔 杨映虎 王印月 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期241-244,共4页
系统地介绍了用圆形传输线模型（ Ｃ Ｔ Ｌ Ｍ） 测量金属／ 半导体欧姆接触电阻率的基本原理。以 Ａｌ／ Ｓｉ 接触为例研究了不同掺杂浓度和不同温度退火对接触特性和接触电阻率ρ Ｃ 的影响。测量得到 Ａｌ／ Ｓｉ 欧姆接触电阻率的... 系统地介绍了用圆形传输线模型（ Ｃ Ｔ Ｌ Ｍ） 测量金属／ 半导体欧姆接触电阻率的基本原理。以 Ａｌ／ Ｓｉ 接触为例研究了不同掺杂浓度和不同温度退火对接触特性和接触电阻率ρ Ｃ 的影响。测量得到 Ａｌ／ Ｓｉ 欧姆接触电阻率的最小值约为２ ．４ ×１０ － ５ Ω·ｃｍ ２ 。 展开更多
关键词 圆形传输线模型 金属/半导体接触 接触电阻率
在线阅读 下载PDF
电感耦合等离子体光谱法测定高纯镓中的痕量元素 被引量：4
18
作者 朱连德 刘杰 +1 位作者 李瑛琇 陈杭亭 《分析科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期25-28,共4页
比较了乙醚和甲基异丁基酮 ( MIBK)两种萃取剂对高纯镓中基体与杂质的分离效果。选择 MIBK作为萃取剂 ,将高纯镓中的基体元素镓萃入有机相 ,绝大多数金属杂质则留在水相中 ,用电感耦合等离子体发射光谱法测定了水溶液中的 1 4种痕量元... 比较了乙醚和甲基异丁基酮 ( MIBK)两种萃取剂对高纯镓中基体与杂质的分离效果。选择 MIBK作为萃取剂 ,将高纯镓中的基体元素镓萃入有机相 ,绝大多数金属杂质则留在水相中 ,用电感耦合等离子体发射光谱法测定了水溶液中的 1 4种痕量元素。方法的加标回收率为 80 %～ 1 1 0 % ,检出限在 0 .0 0 1～ 0 .0 75μg/m 展开更多
关键词 电感耦合等离子体发射光谱 溶剂萃取 高纯镓 痕量元素 测定方法 半导体材料
在线阅读 下载PDF
垂直腔面发射激光器的结构生长及特性研究 被引量：3
19
作者 李林 钟景昌 +6 位作者 张永明 赵英杰 王勇 刘文莉 郝永琴 苏伟 晏长岭 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期343-345,共3页
在偏〈111〉A2°的GaAs(100)衬底上生长了Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As周期结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片P型DBR的周期数为24.5对,N型DBR的周期数为34.5对用光荧光(PL)谱、扫描电子显微镜(SEM)和X射线双晶衍射(XRD)方法对VC... 在偏〈111〉A2°的GaAs(100)衬底上生长了Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As周期结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片P型DBR的周期数为24.5对,N型DBR的周期数为34.5对用光荧光(PL)谱、扫描电子显微镜(SEM)和X射线双晶衍射(XRD)方法对VCSEL的光学特性和结构特性进行了分析室温量子阱材料的PL谱峰值波长为837.0nm,半高宽达到28.9nm在X射线双晶衍射回摆曲线中,除了“0”级衍射峰外,还观察到一级和二级卫星峰“0”级双晶衍射峰的半高宽为12.56弧秒(″),衬底GaAs的衍射峰半高宽为11.79″“0”级衍射峰半高宽与衬底GaAs的衍射峰半高宽比较接近,表明晶格具有很高的完整性实验结果表明腔模波长为837.2nm。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 分布布拉格反射镜(DBR) 光荧光(PL) X射线双晶衍射(XRD)
在线阅读 下载PDF
低维纳米材料的力学性能测试技术研究进展 被引量：6
20
作者 张段芹 刘建秀 褚金奎 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第7期451-457,共7页
低维纳米材料作为纳机电系统(NEMS)中重要的结构层材料,其力学性能与变形失效机理的研究直接影响NEMS的功能实现、可靠性分析与寿命预测。首先,介绍了现有低维纳米材料力学性能测试技术,如纳米压痕法、基于原子力显微镜(AFM)的纳米力学... 低维纳米材料作为纳机电系统(NEMS)中重要的结构层材料,其力学性能与变形失效机理的研究直接影响NEMS的功能实现、可靠性分析与寿命预测。首先,介绍了现有低维纳米材料力学性能测试技术,如纳米压痕法、基于原子力显微镜(AFM)的纳米力学测试法、基于电子显微镜(EM)的原位纳米力学测试法与基于微机电系统(MEMS)技术的片上纳米力学测试法,并讨论了各种测试方法的优缺点与存在的挑战性。然后,详细介绍了低维纳米材料力学测试,特别是片上纳米力学测试中的关键技术,如低维微纳米试样的拾取、操纵与固定技术、片上微驱动技术、片上微位移与微力检测技术。最后,得出基于MEMS技术的片上力学测试方法有望成为低维纳米材料力学测试的发展方向,并指出此方法中存在的问题。 展开更多
关键词 低维纳米材料 力学性能 测试技术 片上测试 纳机电系统(NEMS)
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 19 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部