TMAH腐蚀液制作硅微结构的研究 被引量：13

1

作者 张建辉 李伟东 +1 位作者 万红 吴学忠 《传感技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期593-596,共4页

通过各向异性腐蚀硅微结构工艺,研究了四甲基氢氧化铵(TMAH)腐蚀液的特性,包括硅(100)晶面腐蚀速率与TAMH溶液浓度、温度、pH值以及过硫酸铵添加剂的关系,并采用原子力显微镜研究了不同腐蚀条件下硅的表面形貌,研究表明随TMAH溶液的浓... 通过各向异性腐蚀硅微结构工艺,研究了四甲基氢氧化铵(TMAH)腐蚀液的特性,包括硅(100)晶面腐蚀速率与TAMH溶液浓度、温度、pH值以及过硫酸铵添加剂的关系,并采用原子力显微镜研究了不同腐蚀条件下硅的表面形貌,研究表明随TMAH溶液的浓度的降低和腐蚀温度的提高,腐蚀速率提高,硅腔的表面粗糙度增大;过硫酸铵添加剂明显改善了硅微腔的表面平整度。本研究所确定的最佳腐蚀工艺条件为溶液中TMAH浓度为25%,过硫酸铵添加剂浓度为3%,腐蚀温度80℃。在此工艺条件下腐蚀出了深度为230μm、表面粗糙度小于50nm的硅微腔。 展开更多

关键词 MEMS TMAH 硅微结构 各向异性腐蚀

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ZnS:Mn水溶胶的合成 被引量：6

2

作者 孙聆东 李正鹏 +2 位作者 刘昌辉 廖春生 严纯华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期280-282,共3页

在不同条件下合成了ＺｎＳＭｎ水溶胶，ＺｎＳＭｎ微粒的尺寸与溶液ｐＨ、Ｓ２－浓度等有关．ｐＨ＞７时所得样品因氧化致使其颜色随ｐＨ的增加而由白色向棕色变化．Ｍｎ２＋离子的特征发射强度亦受合成条件影响．掺杂浓度为４％时，可... 在不同条件下合成了ＺｎＳＭｎ水溶胶，ＺｎＳＭｎ微粒的尺寸与溶液ｐＨ、Ｓ２－浓度等有关．ｐＨ＞７时所得样品因氧化致使其颜色随ｐＨ的增加而由白色向棕色变化．Ｍｎ２＋离子的特征发射强度亦受合成条件影响．掺杂浓度为４％时，可获得最大的发射强度．样品在酸性及碱性范围内均有最强发射峰，碱性条件下的最大发射强度约为酸性下的两倍．此外，过量的Ｓ２－可引起Ｍｎ２＋发射的猝灭． 展开更多

关键词 水溶胶 荧光猝灭 硫化锌 锰 合成

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半导体工艺用高纯水中硅、硼的去除 被引量：7

3

作者 闻瑞梅 邓守权 +1 位作者 张亚峰 葛伟伟 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期197-199,共3页

本文主要研究了EDI(Electrodeionization)对高纯水中硅、硼的脱除方法 .通过对电压、进水电导率 (淡室、浓室 )、流量 (淡室、浓室、极室 )、pH值等因素的研究 ,得出EDI最佳脱硅、硼条件 .EDI进水SiO_2 浓度为 10 0 0 μg/L ,最佳出水硅... 本文主要研究了EDI(Electrodeionization)对高纯水中硅、硼的脱除方法 .通过对电压、进水电导率 (淡室、浓室 )、流量 (淡室、浓室、极室 )、pH值等因素的研究 ,得出EDI最佳脱硅、硼条件 .EDI进水SiO_2 浓度为 10 0 0 μg/L ,最佳出水硅为 2 .6 6 μg/L ,为目前国内最好水平 .EDI进水硼浓度为 5 0 μg/L ,最佳出水中硼含量为 <1μg/L .满足了大规模集成电路用水中硅、硼的要求 (对于兆位电路硅要求 <3μg/L ,硼要求 <1μg/L) . 展开更多

关键词 电脱盐 EDI(Electrodeioniation)硅 硼 高纯水

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间苯二酚-糠醛气凝胶的制备与表征 被引量：4

4

作者 吴丁财 余志铨 符若文 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期2679-2681,共3页

以氢氧化钠为催化剂和乙醇为溶剂合成间苯二酚-糠醛凝胶,经乙醇超临界干燥后得到有机气凝胶.间苯二酚与催化剂的摩尔比、间苯二酚与糠醛的摩尔比以及反应物总浓度等制备条件是影响有机气凝胶密度的主要因素.TEM和N2吸附法表明,有机气凝... 以氢氧化钠为催化剂和乙醇为溶剂合成间苯二酚-糠醛凝胶,经乙醇超临界干燥后得到有机气凝胶.间苯二酚与催化剂的摩尔比、间苯二酚与糠醛的摩尔比以及反应物总浓度等制备条件是影响有机气凝胶密度的主要因素.TEM和N2吸附法表明,有机气凝胶具有典型的三维纳米网络结构,网络颗粒约为10nm,平均孔径为7.8nm,其BET表面积和中孔体积分别为589 m2/g和1.106 cm3/g. 展开更多

关键词 有机气凝胶 无机碱催化剂 乙醇超临界干燥 制备

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生物质炭在工业硅冶炼中的应用研究 被引量：6

5

作者 白淑坤 陈科彤 +1 位作者 周涛 包崇军 《有色金属（冶炼部分）》 CAS 北大核心 2015年第2期42-44,共3页

采用废弃农作物制备生物质炭,并开展了生物质炭在工业硅冶炼中替代木炭作还原剂使用的工业试验。结果表明,生物质炭含碳量高、灰分低、化学活性好,制备的工业硅产品质量提高,产量稳定,冶炼电耗下降7.9%,电极消耗下降22.2%。

关键词 生物质炭 工业硅 应用

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微喷口阵列的TMAH“两步法”制备工艺 被引量：2

6

作者 余协正 叶迎华 沈瑞琪 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期184-187,共4页

为了高效经济地实现单晶硅喷口阵列的批量加工,通过大量实验,研究了TMAH溶液在不同浓度、温度、刻蚀时间以及添加剂过硫酸铵的添加量和添加方式等对单晶硅刻蚀结果的影响规律,得到了"两步法"的优化刻蚀工艺:第1步在低浓度、... 为了高效经济地实现单晶硅喷口阵列的批量加工,通过大量实验,研究了TMAH溶液在不同浓度、温度、刻蚀时间以及添加剂过硫酸铵的添加量和添加方式等对单晶硅刻蚀结果的影响规律,得到了"两步法"的优化刻蚀工艺:第1步在低浓度、高温度下进行高速刻蚀;第2步降低刻蚀温度,同时添加过硫酸铵,进行表面修饰,降低粗糙度。该工艺具有操作简便、经济高效的特点,结合该工艺已成功制备出高质量的固体化学微推进器喷口阵列。 展开更多

关键词 MEMS 微喷口阵列 各向异性刻蚀 TMAH 过硫酸铵 粗糙度

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炭气凝胶的制备及其在超级电容器中的应用研究进展 被引量：2

7

作者 符若文 刘晓方 吴丁财 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1772-1775,共4页

综述炭气凝胶的制备工艺,介绍炭气凝胶在超级电容器中的应用,论述了炭气凝胶制备工艺-结构-电极性能的关系.

关键词 炭气凝胶 超级电容器 电极 进展

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KCl-NaCl-NaF-SiO_2熔盐体系中硅离子的结晶机理 被引量：2

8

作者 何小凤 李运刚 李智慧 《有色金属（冶炼部分）》 CAS 北大核心 2011年第3期16-18,共3页

在KCl-NaCl-NaF-SiO2熔盐体系中,以铂丝为参比电极、研究电极,高纯石墨坩埚为辅助电极,采用循环伏安法和计时电流法对硅离子的结晶机理进行了研究。结果表明:该体系中硅的电结晶过程符合扩散步骤控制的半球形三维晶核连续长大成核机理;... 在KCl-NaCl-NaF-SiO2熔盐体系中,以铂丝为参比电极、研究电极,高纯石墨坩埚为辅助电极,采用循环伏安法和计时电流法对硅离子的结晶机理进行了研究。结果表明:该体系中硅的电结晶过程符合扩散步骤控制的半球形三维晶核连续长大成核机理;增大过电位可使晶核密度增加,有利于获得较好的沉积硅层。 展开更多

关键词 SIO2 KCl-NaCl-NaF 循环伏安法 计时电流法

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Ge_xSi_（1－x）减压化学气相外延过程的流体力学和表面反应动力学分析 被引量：1

9

作者 金晓军 梁骏吾 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第8期14-17,共4页

结合流体力学和表面反应动力学分析了ＳｉＨ２Ｃｌ２＋ＧｅＨ４＋Ｈ２减压化学气相外延系统．计算和讨论了由于生长压力的变化而导致的反应管内速度分布、温度分析和反应气体浓度分布的变化．计算了生长温度为７００℃时，ＧｅＳｉ外延... 结合流体力学和表面反应动力学分析了ＳｉＨ２Ｃｌ２＋ＧｅＨ４＋Ｈ２减压化学气相外延系统．计算和讨论了由于生长压力的变化而导致的反应管内速度分布、温度分析和反应气体浓度分布的变化．计算了生长温度为７００℃时，ＧｅＳｉ外延层中Ｓｔ、Ｇｅ和ＧｅｘＳｉ１－ｘ生长速度与初始ＧｅＨ４流量的关系．从理论上解释了ＧｅｘＳｉ１－ｘ生长速度随ＧｅＨ４流量的变化关系，并与Ｐ．Ｍ．Ｇａｒｏｎｅ等人的实验结果进行了比较． 展开更多

关键词 化学气相外延 流体力学 表面反应动力学 半导体

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化学气相淀积在集成电路制造后段工艺中的应用 被引量：1

10

作者 易万兵 涂瑞能 +3 位作者 张炳一 吴谨 毛杜立 邹世昌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期35-38,共4页

介绍了CVD技术的原理和分类。对不同种类的CVD薄膜进行了比较和分析,并主要讨论了 CVD绝缘介质薄膜在后段工艺中的应用。

关键词 化学气相淀积 集成电路制造 后段工艺

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小黑豆分离蛋白的制取与分析 被引量：10

11

作者 李清云 王常青 《农产品加工（下）》 2007年第2期65-67,共3页

论述了小黑豆分离蛋白的制取与功能特性。试验表明,小黑豆分离蛋白(SBSPI)最佳提取条件为:pH值为8.5,碱溶温度为55℃,料液比为1∶10。与大豆分离蛋白的功能特性相比,小黑豆分离蛋白的溶解度、乳化性和乳化稳定性均较好,但起泡性较差。

关键词 小黑豆 分离蛋白 提取工艺

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冶金法制备多晶硅造渣除硼技术工艺研究 被引量：3

12

作者 张济祥 周京明 许金泉 《云南冶金》 2014年第5期27-30,共4页

冶金法生产太阳能级多晶硅过程中最难去除的是B,通过定向凝固、电子束炉等真空熔炼手段很难去除。针对冶金硅造渣除B技术工艺进行了研究,重点考察造渣剂种类、造渣次数、渣金比、熔炼时间等因素的影响,获得的优化工艺为:选用CaCO3-SiO2... 冶金法生产太阳能级多晶硅过程中最难去除的是B,通过定向凝固、电子束炉等真空熔炼手段很难去除。针对冶金硅造渣除B技术工艺进行了研究,重点考察造渣剂种类、造渣次数、渣金比、熔炼时间等因素的影响,获得的优化工艺为:选用CaCO3-SiO2渣系并添加5%CaF2,造渣次数2次,渣金比为1∶1,熔炼时间为60min。通过造渣除B工艺处理后,冶金硅中的B从3.2μg/g降低到了0.3μg/g以下,达到了太阳能级多晶硅B指标的要求。 展开更多

关键词 冶金硅 造渣剂 提纯 除硼 多晶硅

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冷等离子体提纯硅的速率模型分析

13

作者 尹盛 何笑明 +3 位作者 冯信华 赵宁 陈丽 王敬义 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期32-35,共4页

应用反应动力学方法建立基元反应速率方程并按工艺条件进行耦合，得出了以宏观工艺参数表达的提纯速率方程。这种方程便于计算，能指导工艺优化并容易为工程师应用。

关键词 冷等离子体 提纯速率 反应动力学 半导体材料

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有机气凝胶的磺化研究

14

作者 刘宁 汤丽鸳 +2 位作者 沈璐璐 梁端怡 符若文 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1697-1699,共3页

选用纳米结构有机气凝胶为基体,通过磺化制备强酸型有机气凝胶吸附分离材料.阐明有机气凝胶的制备工艺(磺化温度、磺化时间、磺化剂浓度及固液比)对产品性能的影响.制得纳米网络状强酸型吸附分离材料,其交换容量可达6～7mmol/g,具有较... 选用纳米结构有机气凝胶为基体,通过磺化制备强酸型有机气凝胶吸附分离材料.阐明有机气凝胶的制备工艺(磺化温度、磺化时间、磺化剂浓度及固液比)对产品性能的影响.制得纳米网络状强酸型吸附分离材料,其交换容量可达6～7mmol/g,具有较好的应用前景. 展开更多

关键词 有机气凝胶 磺化 离子交换

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Si上Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元合金薄膜的化学气相淀积生长研究

15

作者 江宁 臧岚 +7 位作者 江若琏 朱顺明 刘夏冰 程雪梅 韩平 王荣华 胡晓宁 方家熊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第8期650-655,共6页

本文报道了用快速加热化学气相淀积方法，乙烯（ Ｃ２ Ｈ４）作为 Ｃ 源在 Ｓｉ（１００）衬底上生长 Ｓｉ１ｘ ｙ Ｇｅｘ Ｃｙ 合金薄膜的实验结果．经喇曼（ Ｒａｍ ａｎ）光谱和傅里叶变换红外光谱（ Ｆ Ｔ Ｉ Ｒ）测量表明... 本文报道了用快速加热化学气相淀积方法，乙烯（ Ｃ２ Ｈ４）作为 Ｃ 源在 Ｓｉ（１００）衬底上生长 Ｓｉ１ｘ ｙ Ｇｅｘ Ｃｙ 合金薄膜的实验结果．经喇曼（ Ｒａｍ ａｎ）光谱和傅里叶变换红外光谱（ Ｆ Ｔ Ｉ Ｒ）测量表明：我们成功地制备了具有一定代位式 Ｃ 含量的 Ｓｉ１ｘ ｙ Ｇｅｘ Ｃｙ 合金薄膜材料，较低的生长温度和较高的 Ｓｉ Ｈ４ ／ Ｃ２ Ｈ４ 流量比有助于提高代位式 Ｃ 含量和薄膜材料的晶体质量。 展开更多

关键词 硅 三元合金薄膜 化学气相淀积

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化学沉淀法制备SnO2纳米级粉体 被引量：1

16

作者 吴柏源 伍建新 《电子元件》 1996年第3期79-84,共6页

用液相沉淀法，在分析纯的ＳｎＣｌ４·５Ｈ２Ｏ水溶液中滴加分析纯ＮＨ３含量２５％￣２８％的ＮＨ４ＯＨ水溶液，得到粒度为几个纳米至二十几个内米的ＳｎＯ２超细粉末；系统研究了ＳｎＣｌ４的浓度、滴加ＮＨ４ＯＨ水溶液的速度... 用液相沉淀法，在分析纯的ＳｎＣｌ４·５Ｈ２Ｏ水溶液中滴加分析纯ＮＨ３含量２５％￣２８％的ＮＨ４ＯＨ水溶液，得到粒度为几个纳米至二十几个内米的ＳｎＯ２超细粉末；系统研究了ＳｎＣｌ４的浓度、滴加ＮＨ４ＯＨ水溶液的速度、干燥方法、煅烧温度及粉末中氯离子的含量对最终粉末颗粒度的影响规律，并探讨了影响机理。 展开更多

关键词 制备工艺 二氧化锡 纳米级粉末 化学沉淀法

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MOCVD技术制备ZnS∶MnACTFEL的研究现状和前景

17

作者 赵丽娟 钟国柱 杨宝钧 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期222-227,共6页

综述了用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）技术制备ＺｎＳ∶Ｍｎ交流薄膜电致发光（ＡＣＴＦＥＬ）器件的发展历史及研究现状，对各种改进技术和使用的源材料进行了比较，并指出进一步的研究方向。

关键词 薄膜 电致发光 化学气相沉积 硫化锌 锰

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电化学还原方法制备锆钛酸铅薄膜的研究

18

作者 朱嘉林 谢崇伟 +1 位作者 虎志明 吴兴惠 《光电子技术》 CAS 1998年第1期60-65,共6页

以Pb（NO3）2、TiCl3和ZrOCl2为电解质，就利用电化学还原法及退火晶化处理在不锈钢基底上制备钙钛矿型PZT薄膜进行了研究。结果表明：在一定条件下，淀积在基底上的膜层，其组份比与电解液的组份摩尔浓度、还原电流密度和还原时间存在... 以Pb（NO3）2、TiCl3和ZrOCl2为电解质，就利用电化学还原法及退火晶化处理在不锈钢基底上制备钙钛矿型PZT薄膜进行了研究。结果表明：在一定条件下，淀积在基底上的膜层，其组份比与电解液的组份摩尔浓度、还原电流密度和还原时间存在某种确定的关系。通过调整电解液中组份的摩尔浓度，选择合适的还原电流密度和还原时间，可以控制膜层的组份比，再经过退火处理制备出所需化学配比的钙钛矿结构PZT薄膜。 展开更多

关键词 电化学还原法 铁电薄膜 PZT

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MOCVD过程中金属有机源(C_3H_7)_2Te和(CH_3)_2Cd热裂解机理质谱实时研究

19

作者 桑文斌 K.Durose +1 位作者 A.W.Brinkman J.Woods 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1997年第6期578-584,共7页

采用质谱技术实时研究了金属有机源DIPTe和DMCd在MOCVD反应器中热裂解的性质.着重分析了可能发生的气相反应及热裂解机理,并探讨了在CdTe,HgCdTe实际生长条件下两个有机源之间可能发生的相互作用及其对热裂解温度的影响.

关键词 半导体化合物 碲化镉 汞 MOCVD 热裂解 质谱

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MOCVD法制备ZnS：Mn薄膜中锰掺杂浓度的实验研究

20

作者 赵丽娟 杨宝钧 钟国柱 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期280-283,290,共5页

用ＭＯＣＶＤ方法制备ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜，研究了薄膜中锰浓度与ＴＣＭ源温度、衬底温度及ＴＣＭ源流量之间的关系。以ＭＯＣＶＤ方法生长的ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜为发光层，制备了双绝缘层结构的交流薄膜电致发光显示器。

关键词 硫化锌 锰 化学气相沉积 电致发光 薄膜 锰 掺杂

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