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nc-Si∶H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析 被引量：5
1
作者 彭英才 刘明 +3 位作者 余明斌 李月霞 奚中和 何宇亮 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期583-590,共8页
采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管．在１０～１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性．结果指出，当反... 采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管．在１０～１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性．结果指出，当反向偏压为－７～－９Ｖ时，无论在σ－Ｖ还是在Ｉ－Ｖ特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶，此起因于在ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜中具有无序排布且粒径大小不一的Ｓｉ微晶粒中，由于微晶粒中能级的量子化而导致的共振隧穿现象．如果进一步改进膜层生长工艺，以制备出具有趋于有序排布、尺寸均匀和粒径更小的Ｓｉ微晶粒的ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜，有可能实现更高温度范围内的共振隧穿． 展开更多
关键词 半导体量子点 量子点二极管 共振隧穿特性
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热激励微梁谐振器的温度分布和谐振振幅 被引量：4
2
作者 韩建强 朱长纯 +2 位作者 刘君华 张声良 段捷 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期592-595,共4页
对热激励微梁谐振器的结构进行了合理的简化 ,用解析方法求出了交变热源激励的微悬臂梁和微桥谐振器的温度分布 :在激励点附近 ,交变温度的幅度最大 ;远离激励点时 ,幅度趋于 0 .基于该温度分布 ,推导出了在“热膨胀效应”作用下微桥谐... 对热激励微梁谐振器的结构进行了合理的简化 ,用解析方法求出了交变热源激励的微悬臂梁和微桥谐振器的温度分布 :在激励点附近 ,交变温度的幅度最大 ;远离激励点时 ,幅度趋于 0 .基于该温度分布 ,推导出了在“热膨胀效应”作用下微桥谐振器的谐振振幅 .该计算方法利用振型函数来计算谐振时桥长度的伸长量 。 展开更多
关键词 热激励 微悬臂梁 微桥 谐振器 谐振振幅
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纳米TiO_2的晶型、粒径与光催化活性 被引量：14
3
作者 黄艳娥 贾静娴 《河北工业科技》 CAS 2001年第3期6-9,21,共5页
分析了纳米 Ti O2 的晶型、粒径与光催化活性的关系 ,指出了高催化活性下的晶型和控制晶型的条件以及高催化活性下的粒径范围和保持粒子分散的方法。
关键词 晶型 粒径 光催化活性 半导体 纳米二氧化钛
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应变层In_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱的光调制反射谱研究 被引量：3
4
作者 潘士宏 刘毅 +3 位作者 张存洲 张光寅 冯巍 周钧铭 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第6期343-350,共8页
用光调制反射谱(PR)测量了三块应变层 In_xGa_(1-x)As/GaAs 量子阱多重结构样品,每块样品中包含宽度为140、80、50、30和20A的量子阱.在300K和77K的PR谱中观察到各个量子阱的11H和11L光跃迁.根据PR数据用包络函数法进行分析,估算了量子... 用光调制反射谱(PR)测量了三块应变层 In_xGa_(1-x)As/GaAs 量子阱多重结构样品,每块样品中包含宽度为140、80、50、30和20A的量子阱.在300K和77K的PR谱中观察到各个量子阱的11H和11L光跃迁.根据PR数据用包络函数法进行分析,估算了量子阱中In的成分.在解释300K和77K实验结果时考虑了流体静压形变势常数的温度依赖性.实验和理论最佳符合时求得导带边不连续性在300K为0.7,77K为0.66. 展开更多
关键词 应变层 量子阱 光调制 反射谱
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有序纳米半导体量子点的自组织生长 被引量：3
5
作者 王英龙 韩理 +2 位作者 陈金忠 傅广生 彭英才 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期71-77,共7页
纳米半导体量子点以其所具有的新颖光电性质与输运特性 ,正在各类量子功能器件中获得成功应用。作为纳米量子点的一种主要制备工艺 ,自组织生长技术正在受到人们的普遍重视。而如何实现具有尺寸与密度可控纳米量子点的自组织生长 ,更为... 纳米半导体量子点以其所具有的新颖光电性质与输运特性 ,正在各类量子功能器件中获得成功应用。作为纳米量子点的一种主要制备工艺 ,自组织生长技术正在受到人们的普遍重视。而如何实现具有尺寸与密度可控纳米量子点的自组织生长 ,更为材料物理学家们所广泛关注。因为这是由自组织方法形成的量子点最终能否器件实用化的关键。本文简要介绍了有序纳米量子点的自组织生长及其新近研究进展。 展开更多
关键词 有序排列 纳米半导体量子点 自组织生长 光电性质 输运特性
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全耗尽CMOS／SOI技术的研究进展 被引量：3
6
作者 张兴 李映雪 +4 位作者 奚雪梅 赵清太 程玉华 魏丽琼 王阳元 《微电子学》 CAS CSCD 1996年第3期160-163,共4页
ＳＯＩ材料技术的成熟，为功耗低、抗干扰能力强、集成度高、速度快的ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件的研制提供了条件。分析比较了ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件与体硅器件的差异，介绍了国外薄膜全耗尽ＳＯＩ技术的发展和北京大学微电子所的研究成果。
关键词 半导体材料 SOI CMOS 半导体器件
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气相沉积法制备含酞菁铜聚酰亚胺薄膜的光电性能 被引量：3
7
作者 郑建邦 汪远 +1 位作者 任驹 侯超奇 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期338-341,349,共5页
在2×10-3Pa真空度下,以酞菁铜、均苯四甲酸酐和二氨基二苯醚为原料,通过控制三源单体的加入摩尔计量、加热时间和沉积速率,在玻璃衬底上合成了含酞菁铜的聚酰胺酸,再经150℃～200℃真空加热亚胺化1 h后得到了成膜性良好的均匀含酞... 在2×10-3Pa真空度下,以酞菁铜、均苯四甲酸酐和二氨基二苯醚为原料,通过控制三源单体的加入摩尔计量、加热时间和沉积速率,在玻璃衬底上合成了含酞菁铜的聚酰胺酸,再经150℃～200℃真空加热亚胺化1 h后得到了成膜性良好的均匀含酞菁铜聚酰亚胺薄膜.红外谱图证实了所合成产物的结构,紫外-可见光吸收分析表明含酞菁铜聚酰亚胺薄膜在可见光区、近红外区具有较强的吸收,热失重分析表明所制备的含酞菁铜聚酰亚胺具有良好的热稳定性能;用简并四波混频方法测得薄膜的三阶非线性极化率为1.984×10-9esu,表现出良好的三阶非线性特性. 展开更多
关键词 非线性光学材料 酞菁铜 聚酰亚胺 气相沉积
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块状非晶合金的玻璃形成能力研究述评 被引量：3
8
作者 袁子洲 郝雷 +1 位作者 陈学定 王冰霞 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期7-9,46,共4页
综合评述了表征非晶合金的玻璃形成能力的六个常见参数:约化玻璃转变温度Trg、过冷液相区△Txg、参数△T*、参数γ、约化非晶形成厚度H和临界局域体积应变。通过上述参数的物理内涵的分析,指出了它们在表征玻璃形成能力上的不足及进一... 综合评述了表征非晶合金的玻璃形成能力的六个常见参数:约化玻璃转变温度Trg、过冷液相区△Txg、参数△T*、参数γ、约化非晶形成厚度H和临界局域体积应变。通过上述参数的物理内涵的分析,指出了它们在表征玻璃形成能力上的不足及进一步研究非晶转变机理的必要性。 展开更多
关键词 块状非晶合金 玻璃形成能力 表征参数
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中子辐照损伤区对硅少数载流子寿命的影响 被引量：2
9
作者 施毅 吴凤美 +2 位作者 沈德勋 程开甲 王长河 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第9期672-679,共8页
中子辐照在半导体硅晶体中形成无序区,使其电学性能受到严重影响.本文根据无序区基本特征,系统分析中子辐照对少数载流子寿命影响的过程,给出了一个完整自洽的计算表达式;理论计算了材料掺杂浓度、无序区辐照缺陷分布态,以及载流子注入... 中子辐照在半导体硅晶体中形成无序区,使其电学性能受到严重影响.本文根据无序区基本特征,系统分析中子辐照对少数载流子寿命影响的过程,给出了一个完整自洽的计算表达式;理论计算了材料掺杂浓度、无序区辐照缺陷分布态,以及载流子注入量等参量对少数载流子寿命的影响.最后,将计算结果与点缺陷模型、及实验测量数量进行比较和讨论. 展开更多
关键词 硅 少子寿命 中子辐照 无序区
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结区中存在量子阱结构样品的C－V特性分析 被引量：3
10
作者 陆昉 王勤华 +2 位作者 王建宝 蒋家禹 孙恒慧 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期245-251,共7页
对不同组分、阱宽和垒宽的锗硅单量子阱和多量子阶样品的Ｃ－Ｖ特性及其与温度的关系进行了测量，并用数值方法解油松方程模拟计算了单量子阱样品的Ｃ－Ｖ特性及其Ｃ－Ｖ载流于浓度分布．实验和模拟计算的结果均表明，Ｃ－Ｖ载流子浓度... 对不同组分、阱宽和垒宽的锗硅单量子阱和多量子阶样品的Ｃ－Ｖ特性及其与温度的关系进行了测量，并用数值方法解油松方程模拟计算了单量子阱样品的Ｃ－Ｖ特性及其Ｃ－Ｖ载流于浓度分布．实验和模拟计算的结果均表明，Ｃ－Ｖ载流子浓度分布在量子阱位置有一个浓度较高的峰值，它反映了被限制在阱中的载流子的积累，峰高随着量子阶异质界面的能带偏移的增加而增加．低温时由于阱中载流子的热发射几率变小，阱中载流于浓度的变化跟不上测试电压的频率，造成电容值显著变小． 展开更多
关键词 量子阱结构 C-V特性 半导体材料
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半导体材料研究的新进展 被引量：19
11
作者 王占国 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期8-12,14,共6页
首先对作为现代信息社会的核心和基础的半导体材料在国民经济建设、社会可持续发展以及国家安全中的战略地位和作用进行了分析,进而介绍几种重要半导体材料如,硅材料、GaAs和InP单晶材料、半导体超晶格和量子阱材料、一维量子线、零维... 首先对作为现代信息社会的核心和基础的半导体材料在国民经济建设、社会可持续发展以及国家安全中的战略地位和作用进行了分析,进而介绍几种重要半导体材料如,硅材料、GaAs和InP单晶材料、半导体超晶格和量子阱材料、一维量子线、零维量子点半导体微结构材料、宽带隙半导体材料、光学微腔和光子晶体材料、量子比特构造和量子计算机用材料等目前达到的水平和器件应用概况及其发展趋势作了概述。最后,提出了发展我国半导体材料的建议。本文未涉及II-VI族宽禁带与II-VI族窄禁带红外半导体材料、高效太阳电池材料Cu(In,Ga)Se2、CuIn(Se,S)等以及发展迅速的有机半导体材料等。 展开更多
关键词 半导体材料 量子线 量子点材料 光子晶体 现状 硅材料 砷化钾 磷化铟
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一种新的空间调制光谱技术及其对几种半导体材料的应用 被引量：2
12
作者 查访星 黄醒良 沈学础 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期329-332,共4页
本文提出了另一种新的对样品实行空间调制的微分反射光谱技术．文中给出了实验方法，讨论了调制机理，指出即使纯的体材料表面未经不均匀性处理，该方法也可直接给出其能隙大小，对GaAs的实验结果说明了这一观点．本文还分析了微分反射... 本文提出了另一种新的对样品实行空间调制的微分反射光谱技术．文中给出了实验方法，讨论了调制机理，指出即使纯的体材料表面未经不均匀性处理，该方法也可直接给出其能隙大小，对GaAs的实验结果说明了这一观点．本文还分析了微分反射方法研究量子阱超晶格等薄膜半导体材料时的物理机理，给出并解释了InGaAs／GaAs单量子阱，AlGaAs／GaAsHBT等材料的微分反射谱．为了比较起见，文中还对照给出了每一样品的光调制反射谱． 展开更多
关键词 半导体材料 空间调制 微分反射谱
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半导体纳米结构的可控生长 被引量：10
13
作者 王占国 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期208-217,共10页
应用MBE技术和SK生长模式 ,通过对研究材料体系的应力分布设计 ,生长动力学研究和生长工艺优化 ,实现了In(Ga)As/GaAs,InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAl(Ga)As/InP无缺陷量子点 (线 )的尺寸、形状、密度和分布有序性的可控生长 ,这对进一... 应用MBE技术和SK生长模式 ,通过对研究材料体系的应力分布设计 ,生长动力学研究和生长工艺优化 ,实现了In(Ga)As/GaAs,InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAl(Ga)As/InP无缺陷量子点 (线 )的尺寸、形状、密度和分布有序性的可控生长 ,这对进一步的器件应用特别重要。讨论了半导体纳米结构的空间有序性分布物理起因和退火的机制。 展开更多
关键词 半导体 纳米材料 可控生长 量子点 量子线
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气相沉积法制备含酞菁铜聚酰亚胺薄膜的光电性能研究 被引量：1
14
作者 郑建邦 汪远 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期879-883,共5页
在2×10-3Pa真空度下,以酞菁铜(CuPc)、均苯四甲酸酐(PMDA)和二氨基二苯醚(ODA)为原料,通过控制三源单体的加入摩尔计量、加热时间和其沉积速率,在玻璃衬底上合成了含酞菁铜的聚酰胺酸,再经150～200℃真空加热亚胺化1h后得到了成膜... 在2×10-3Pa真空度下,以酞菁铜(CuPc)、均苯四甲酸酐(PMDA)和二氨基二苯醚(ODA)为原料,通过控制三源单体的加入摩尔计量、加热时间和其沉积速率,在玻璃衬底上合成了含酞菁铜的聚酰胺酸,再经150～200℃真空加热亚胺化1h后得到了成膜性良好的均匀含酞菁铜聚酰亚胺薄膜。红外谱图证实了所合成产物的结构,紫外吸收分析表明含酞菁铜聚酰亚胺薄膜在可见光区、近红外区具有较强的吸收,热失重分析表明所制备的含酞菁铜聚酰亚胺具有良好的热稳定性能;简并四波混频方法测得薄膜的三阶非线性极化率为1.984×10-9esu,表现出良好的三阶非线性特性。 展开更多
关键词 非线性光学材料 酞菁铜 聚酰亚胺 气相沉积 简并四波混频
原文传递
基于CloudSim的作业调度算法评价模型设计与实现 被引量：8
15
作者 王宇宾 《现代电子技术》 北大核心 2015年第14期12-15,共4页
针对云计算作业调度算法评价问题,引入经济学中的消费者均衡理论和帕累托最优理论,在Cloud Sim仿真框架中,构建一个云计算作业调度评价模型,为选择最优的作业调度算法提供决策支持。同时,针对Cloud Sim在用户交互上的不足,进行可视化扩... 针对云计算作业调度算法评价问题,引入经济学中的消费者均衡理论和帕累托最优理论,在Cloud Sim仿真框架中,构建一个云计算作业调度评价模型,为选择最优的作业调度算法提供决策支持。同时,针对Cloud Sim在用户交互上的不足,进行可视化扩展,使研究者能够直观地观测仿真结果。最后,在Cloud Sim上进行仿真实验,仿真结果表明,对于模拟的云计算服务,Cloud Sim自身提供的作业调度算法不是最优算法。 展开更多
关键词 云计算 CloudSim 作业调度 评价模型
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MoS_2激子效应的压电光声研究 被引量：1
16
作者 王桂芬 马根源 +3 位作者 王宣 张光寅 钟源 秦利 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第6期467-470,共4页
本文首先利用光声压电法,研究了MoS_2单晶在540-740nm波段的室温本征吸收边的光声吸收光谱,得到了在2.0eV附近的A、B两个强激子的吸收峰及杂质峰A,与以前报道的用透射光谱法测得的吸收谱及光电流谱的结果一致.
关键词 低维材料 光声光谱 激子效应
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负电子亲和势GaAs光阴极的研究 被引量：1
17
作者 李慧蕊 顾肇业 +1 位作者 马建一 丁辉敏 《光电子技术》 CAS 1994年第3期183-189,共7页
分析正、负电子亲和势在发射机理上的差别,重点阐述 GaAs 光阴极的设计原理。讨论这种阴极参数的设定依据,扼要介绍它的主要制作工艺。最后,和传统的光阴极作了比较,并就其优越性进行了综合性讨论。
关键词 砷化镓 光阴极 电子 亲合力
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Ka波段AlGaAs/InGaAs低噪声PHEMT异质材料结构的计算机优化与实验结果 被引量：2
18
作者 陈效建 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第11期120-123,共4页
讨论了毫米波低噪声PHEMT的设计要点藉助Schroedinger／Poisson方程及器件方程，进行了Ka波段AlGaAs／InGaAs低噪声PHEMT用异质层结构的数值计算及CAD优化．确定出分子束外延MBE时诸层的最佳组分。浓度与厚度上述优化分析的结果用于器... 讨论了毫米波低噪声PHEMT的设计要点藉助Schroedinger／Poisson方程及器件方程，进行了Ka波段AlGaAs／InGaAs低噪声PHEMT用异质层结构的数值计算及CAD优化．确定出分子束外延MBE时诸层的最佳组分。浓度与厚度上述优化分析的结果用于器件的实验研制，取得了34．4Gfu下噪声系数（NF）1．92dB、相关增益Ga6． 展开更多
关键词 优化 低噪声 PPHEMT 异质材料 结构
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自组装半导体量子点在纳米电子器件中的应用 被引量：2
19
作者 孙捷 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期61-65,共5页
随着微电子工艺逐渐逼近其物理极限,具有量子特性的纳米电子器件的研制被提上日程。自组装半导体量子点由于缺陷少、生长技术成熟和具有δ函数形式的能态密度等优点而被广泛用于纳米电子器件制备中。本文按纵向输运器件、横向输运器件... 随着微电子工艺逐渐逼近其物理极限,具有量子特性的纳米电子器件的研制被提上日程。自组装半导体量子点由于缺陷少、生长技术成熟和具有δ函数形式的能态密度等优点而被广泛用于纳米电子器件制备中。本文按纵向输运器件、横向输运器件的分类扼要评述了该领域的最新进展,并对待解决的问题和发展前景作了分析。 展开更多
关键词 微电子工艺 量子特性 自组装半导体量子点 纳米电子器件
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压应变In_(0.63)Ga_(0.37)As/InP单量子阱的变温光致发光研究
20
作者 王晓亮 孙殿照 +2 位作者 孔梅影 侯洵 曾一平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第9期660-666,共7页
我们对用GSMBE技术生长的In0.63Ga0.37AS／lnP压应变单量子阱样品进行了变温光致发光研究，In0.63Ga0.37As阱宽为1nm到11nm，温度变化范围为10K到300K．发现不同阱宽的压应变量子阱中激子跃迁能量随温度的变化关系与体In0.53Ga0.47As材... 我们对用GSMBE技术生长的In0.63Ga0.37AS／lnP压应变单量子阱样品进行了变温光致发光研究，In0.63Ga0.37As阱宽为1nm到11nm，温度变化范围为10K到300K．发现不同阱宽的压应变量子阱中激子跃迁能量随温度的变化关系与体In0.53Ga0.47As材料相似，温度系数与阱宽无关．对1nm的阱，我们观察到其光致发光谱峰为双峰，经分析表明，双峰结构由量子阱界面起伏一个分子单层所致．说明量子阱界面极为平整，样品具有较高的质量．考虑到组分效应、量子尺寸效应及应变效应，计算了In0.63G0.37As／InP压应变量子阱中的激子跃迁能量，理论计算结果与实验结果符合得很好． 展开更多
关键词 单量子阱 变温光致发光 半导体 材料 GSMBE技术
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