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6英寸低缺陷掺硫磷化铟晶体制备与性质研究
1
作者 李晓岚 高渊 +4 位作者 闫小兵 徐成彦 史艳磊 王书杰 孙聂枫 《半导体技术》 北大核心 2025年第7期684-690,共7页
低缺陷掺硫磷化铟晶片是光电器件的主要衬底材料,制备6英寸(1英寸=2.54 cm)大直径单晶是降低器件成本的重要手段之一。通过分析6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶生长过程的杂质效应机理、热应力和热场温度分布,并对掺硫磷化铟晶体头、中、尾... 低缺陷掺硫磷化铟晶片是光电器件的主要衬底材料,制备6英寸(1英寸=2.54 cm)大直径单晶是降低器件成本的重要手段之一。通过分析6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶生长过程的杂质效应机理、热应力和热场温度分布,并对掺硫磷化铟晶体头、中、尾切片进行电学性能、位错密度及应力测试,得到载流子浓度与掺杂量、迁移率及位错(腐蚀坑)密度之间的关系,以及掺硫磷化铟晶体易开裂的原因。优化了适合生长6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶的半封闭可调热场系统,通过增加热屏罩,提高了炉体上部空间的气氛温度,降低了晶体内部的温度梯度,从而有效降低了晶体内的残余应力。确定了InP中In2S3的掺杂质量分数最大限度(≤300×10^(-6)),得到了低位错密度(<3000 cm^(-2))的磷化铟晶体,并有效地降低了晶体开裂的概率,实现了6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶的重复生长。 展开更多
关键词 掺硫磷化铟 晶体生长 杂质效应 位错(腐蚀坑)密度 晶体开裂
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富磷半绝缘磷化铟晶体生长的行波磁场调控
2
作者 邵会民 史睿菁 +4 位作者 李早阳 孙聂枫 姜剑 毛旭瑞 宋瑞良 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期901-907,共7页
针对高压垂直梯度凝固(HP-VGF)法生长InP晶体,建立了行波磁场作用下的晶体生长流动传热数值模型,并结合晶体生长实验研究了磁场对富磷半绝缘InP晶体中缺陷生成与掺杂分布的调控作用。研究结果表明,行波磁场可以在InP熔体中产生足够大的... 针对高压垂直梯度凝固(HP-VGF)法生长InP晶体,建立了行波磁场作用下的晶体生长流动传热数值模型,并结合晶体生长实验研究了磁场对富磷半绝缘InP晶体中缺陷生成与掺杂分布的调控作用。研究结果表明,行波磁场可以在InP熔体中产生足够大的洛伦兹力,使得熔体流动增强且温度分布发生变化;磁场调控使孪晶形核概率降低了15%,促进富磷熔体中气泡的逃逸,获得少气孔甚至无气孔的InP晶体,并能够减少晶体中心位错和提高Fe掺杂及轴向电学参数的均匀性。本研究可为生长大尺寸高品质InP晶体提供参考。 展开更多
关键词 磷化铟 单晶 孪晶 半绝缘 磁场 位错
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面向10 kV以上碳化硅器件耐压区厚外延技术研究
3
作者 房玉龙 李帅 +3 位作者 芦伟立 王健 李建涛 王波 《微纳电子技术》 2025年第6期20-26,共7页
随着10 kV及以上超高压碳化硅(SiC)功率器件在柔性输电等领域的需求增长,开发低位错、低缺陷密度、长少子寿命的厚外延材料成为关键挑战,是当前SiC材料研究的核心问题。基于单片水平式SiC外延设备,通过引入双界面调制缓冲层外延生长技术... 随着10 kV及以上超高压碳化硅(SiC)功率器件在柔性输电等领域的需求增长,开发低位错、低缺陷密度、长少子寿命的厚外延材料成为关键挑战,是当前SiC材料研究的核心问题。基于单片水平式SiC外延设备,通过引入双界面调制缓冲层外延生长技术,成功实现了对缓冲层与衬底及漂移层之间界面应力的调控,显著降低了外延片基平面位错密度,结合漂移层生长速率、缓冲层工艺以及C/Si比的协同优化,显著提升了4H-SiC厚外延材料的性能。实验结果表明:优化后的缓冲层工艺通过渐变掺杂设计有效调控界面应力,将基平面位错密度从1.5 cm^(-2)降至0.07 cm^(-2);同时,通过将生长速率提升至70μm/h并优化C/Si比至0.85,成功制备了厚度100μm、掺杂浓度2.5×10^(14)cm^(-3)的高质量外延层,原生少子寿命均值达1.76μs,材料均匀性及表面缺陷密度均满足10 kV以上超高压器件耐压区需求。 展开更多
关键词 超高压 基平面位错 C/Si比 双界面调制缓冲层 少子寿命
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基于QST衬底的厚GaN外延材料生长研究
4
作者 韩颖 高爽 +3 位作者 房玉龙 王波 高楠 张志荣 《微纳电子技术》 2025年第4期108-113,共6页
在QST复合衬底上生长出厚度超过12μm的GaN外延层。测试结果表明外延片表面平整、无裂纹;原子力显微镜(AFM)分析表明样品表面为良好的台阶流形貌,样品表面中心的均方根表面粗糙度为0.224 nm;外延片的弯曲度仅为6.086μm,这对于维持器件... 在QST复合衬底上生长出厚度超过12μm的GaN外延层。测试结果表明外延片表面平整、无裂纹;原子力显微镜(AFM)分析表明样品表面为良好的台阶流形貌,样品表面中心的均方根表面粗糙度为0.224 nm;外延片的弯曲度仅为6.086μm,这对于维持器件应用中的结构完整性至关重要;GaN的(002)和(102)晶面半高全宽(FWHM)分别为131和272 arcsec,表明材料具有较高程度的结晶取向和晶格有序性;外延片的方块电阻为276.5Ω/□,二维电子气(2DEG)密度为1.05×10^(13)cm^(-2),载流子迁移率为2150 cm^(2)/(V·s),表明材料具有良好的电学性能。本研究在QST衬底上成功制备了低弯曲度、厚GaN外延片,为在更大直径QST衬底上生长更厚的GaN外延层提供了参考,对未来高压GaN在电力电子领域的应用具有指导意义。 展开更多
关键词 QST衬底 热膨胀系数(CTE) 厚外延 二维电子气(2DEG) 异质外延
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基于晶圆级介电薄膜掺杂参考样片的FTIR光谱校准建模应用
5
作者 金红霞 饶张飞 +1 位作者 秦凯亮 薛栋 《半导体技术》 北大核心 2025年第10期1085-1092,共8页
为解决复杂工艺环境下多元素掺杂质量分数在线监测的难题,提出一种基于晶圆级介电薄膜参考样片的掺杂质量分数设计与定量检测方法。基于全因子设计与中心复合分布,制定了介电薄膜掺杂参考样片设计方案,结合次常压化学气相沉积(SACVD)工... 为解决复杂工艺环境下多元素掺杂质量分数在线监测的难题,提出一种基于晶圆级介电薄膜参考样片的掺杂质量分数设计与定量检测方法。基于全因子设计与中心复合分布,制定了介电薄膜掺杂参考样片设计方案,结合次常压化学气相沉积(SACVD)工艺与Si_3N_4阻隔膜技术制备了6英寸(1英寸=2.54 cm)硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)掺杂参考样片。采用傅里叶变换红外(FTIR)光谱技术对参考样片进行特征峰吸光度分析,构建硼、磷掺杂质量分数的定量校准模型,实现了双元素同步检测。校准集分析结果显示,该模型对硼、磷掺杂质量分数的预测值与标准值的决定系数(R~2)分别达0.998和0.995;在验证集下该模型对硼、磷掺杂质量分数的预测误差分别仅为0.22%和0.17%,各项指标均满足集成电路工艺的精度要求。 展开更多
关键词 介电薄膜 掺杂质量分数 全因子设计 阻隔膜技术 傅里叶变换红外(FTIR)光谱校准建模
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脉冲激光沉积α相氧化镓薄膜及其日盲光电探测器 被引量：1
6
作者 丁子舰 颜世琪 +1 位作者 徐希凡 辛倩 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期329-336,共8页
本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在m面蓝宝石衬底上外延生长了高质量亚稳态α相氧化镓(α-Ga_(2)O_(3))薄膜,结合X射线衍射和扫描电子显微镜等表征手段,研究了不同生长温度和不同氧分压对薄膜形貌及结晶性的影响。基于优化条件下生长的... 本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在m面蓝宝石衬底上外延生长了高质量亚稳态α相氧化镓(α-Ga_(2)O_(3))薄膜,结合X射线衍射和扫描电子显微镜等表征手段,研究了不同生长温度和不同氧分压对薄膜形貌及结晶性的影响。基于优化条件下生长的异质外延α-Ga_(2)O_(3)薄膜,制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的日盲紫外光电探测器。由于薄膜较好的结晶质量和较少的缺陷,该探测器在254 nm日盲紫外光照射下表现出良好的光电响应,5 V偏压下具有10^(-6)A的光电流及10^(-10)A的暗电流,光暗电流比可达104,最大响应度达到36.7 A/W,最大外量子效率为1.79×10^(4)%,最大探测率为2.45×10^(14)Jones。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 α相氧化镓 生长温度 氧分压 金属-半导体-金属 日盲光电探测器
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基于衬底台阶调控技术的高质量GaN生长
7
作者 高楠 房玉龙 +4 位作者 王波 张志荣 尹甲运 韩颖 刘超 《半导体技术》 北大核心 2025年第5期481-487,共7页
GaN晶体质量提升对材料及器件性能优化至关重要。通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在SiC衬底上对GaN晶体质量进行了实验研究。对比了高温H2刻蚀与高温HCl刻蚀对衬底台阶的影响,并对后续生长的AlN和GaN晶体质量进行了表征,发现增加衬... GaN晶体质量提升对材料及器件性能优化至关重要。通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在SiC衬底上对GaN晶体质量进行了实验研究。对比了高温H2刻蚀与高温HCl刻蚀对衬底台阶的影响,并对后续生长的AlN和GaN晶体质量进行了表征,发现增加衬底台阶宽度有助于降低半高宽(FWHM)。采用不同表面预处理条件进行材料生长,发现氨气/三甲基铝(NH_(3)/TMAl)交替预处理对台阶有修饰作用,有助于降低GaN(002)晶面X射线衍射(XRD)峰FWHM,对(102)晶面XRD峰FWHM影响较小。最后讨论了AlN生长温度对GaN晶体质量的影响,发现AlN和GaN晶体质量均随温度升高而提高。综合各条件生长得到的GaN(002)晶面XRD峰FWHM为58.5 arcsec的GaN外延层,该FWHM为目前已知最低值,该样品GaN(102)晶面XRD峰FWHM为104.9 arcsec。 展开更多
关键词 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) GAN 衬底台阶 高温刻蚀 半高宽(FWHM)
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不同晶面蓝宝石衬底上α-Ga_(2)O_(3)雾化学气相沉积法生长研究
8
作者 李雄杰 宁平凡 +4 位作者 陈世澳 乔思博 程红娟 王英民 牛萍娟 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期255-262,共8页
采用雾化学气相沉积(Mist-CVD)法在不同晶面蓝宝石衬底上异质外延生长了α-Ga_(2)O_(3)薄膜,并利用XRD、SEM和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)分析了薄膜样品的物相、光学特性和表面形貌。600℃以内,在C、M、A、R面蓝宝石衬底上生长纯相α-... 采用雾化学气相沉积(Mist-CVD)法在不同晶面蓝宝石衬底上异质外延生长了α-Ga_(2)O_(3)薄膜,并利用XRD、SEM和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)分析了薄膜样品的物相、光学特性和表面形貌。600℃以内,在C、M、A、R面蓝宝石衬底上生长纯相α-Ga_(2)O_(3)薄膜的温度窗口分别为420~480、480~550、590~600、540~600℃;对应纯相α-Ga_(2)O_(3)薄膜的光学带隙分别为5.12、5.23、5.25、5.21 eV。研究发现与C面蓝宝石衬底相比,在M、A、R面蓝宝石衬底上外延α-Ga_(2)O_(3)薄膜需要更高的生长温度,同时在M、A、R面蓝宝石衬底上获得的薄膜禁带宽度更大。样品表面形貌的SEM表征结果显示,不同晶面的α-Ga_(2)O_(3)薄膜表面形貌差异显著,C面蓝宝石衬底上α-Ga_(2)O_(3)薄膜存在“连续薄膜+大尺寸柱状岛”结构。本文关于不同晶面蓝宝石衬底外延α-Ga_(2)O_(3)薄膜的研究对α-Ga_(2)O_(3)材料的应用有一定参考价值。 展开更多
关键词 α-Ga_(2)O_(3) 蓝宝石衬底 雾化学气相沉积 异质外延 生长温度 禁带宽度
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异酰亚胺化对正性聚酰亚胺光刻胶光敏特性的影响
9
作者 步颜倩 陆忠刚 +3 位作者 胡嘉琪 董杰 赵昕 张清华 《高分子学报》 北大核心 2025年第8期1392-1404,共13页
围绕正性光敏聚酰亚胺(p-PSPI)光刻胶开展研究,开发了基于对聚酰亚胺前驱体异酰亚胺预处理再酯化从而调控前驱体树脂酯化率的有效方法,并确定了在50℃下反应2 h的最佳酯化条件.在光刻工艺方面,深入研究显影液浓度、光敏剂含量、前烘温... 围绕正性光敏聚酰亚胺(p-PSPI)光刻胶开展研究,开发了基于对聚酰亚胺前驱体异酰亚胺预处理再酯化从而调控前驱体树脂酯化率的有效方法,并确定了在50℃下反应2 h的最佳酯化条件.在光刻工艺方面,深入研究显影液浓度、光敏剂含量、前烘温度与时间等因素对该类p-PSPI光化学反应的影响.该光刻胶在365 nm紫外光照下,对比度达到2.5,灵敏度为70 mJ/cm^(2),且展现出良好的分辨率,在玻璃板上可达10μm,硅片上最小线宽为3μm.异酰亚胺化显著提升了聚酰胺酸酯的酯化程度,改善了光刻胶显影工艺中的溶解速率差异,表现出优异的光刻能力,在半导体、集成电路等领域应用前景广阔. 展开更多
关键词 光敏聚酰亚胺 异酰亚胺化 酯化 光刻工艺 光敏特性
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lnP快速注入合成、提纯与大尺寸高品质多晶制备
10
作者 李贺斌 王书杰 +4 位作者 孙聂枫 姜剑 邵会民 康永 谷伟侠 《半导体技术》 北大核心 2025年第8期809-814,共6页
高纯InP是制备高品质单晶的基础,通过分析InP注入合成过程及动力学,阐明了InP快速注入合成与提纯机理。注入合成与提纯的主要机制为:注入合成速率快,其他耗材对合成熔体的污染少;高压气泡形成与迁移过程起到吸收易挥发杂质元素的作用;... 高纯InP是制备高品质单晶的基础,通过分析InP注入合成过程及动力学,阐明了InP快速注入合成与提纯机理。注入合成与提纯的主要机制为:注入合成速率快,其他耗材对合成熔体的污染少;高压气泡形成与迁移过程起到吸收易挥发杂质元素的作用;注入合成后提拉生长可以对多晶锭进一步提纯。基于晶体生长原理,分析了富铟生长和富磷生长缺陷的形成机制。通过控制熔体的配比度,获得了抑制上述缺陷的条件。通过InP快速注入合成实验,在2.5 h内合成18 kg InP多晶,制备出直径150~180 mm适用于6英寸(1英寸=2.54 cm)及8英寸垂直梯度凝固(VGF)法单晶生长用高品质多晶,其迁移率为4400~4500 cm^(2)/(V·s),载流子浓度为1.5×10^(15)~3.5×10^(15)cm^(-3)。 展开更多
关键词 INP 注入合成 提拉生长 多晶 提纯 结晶
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双生长腔互联MOCVD外延生长氧化镓异质结构及其紫外光电探测器件的研究
11
作者 王月飞 高冲 +2 位作者 吴哲 李炳生 刘益春 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第3期426-437,共12页
本文报道了利用氮化物-氧化物双生长腔互联金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统外延生长氧化镓/氮化物薄膜异质结构并制备了高性能紫外光电探测器件。通过X射线衍射仪、原子力显微镜对不同衬底与不同缓冲层材料的薄膜结晶质量和表面形貌进... 本文报道了利用氮化物-氧化物双生长腔互联金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统外延生长氧化镓/氮化物薄膜异质结构并制备了高性能紫外光电探测器件。通过X射线衍射仪、原子力显微镜对不同衬底与不同缓冲层材料的薄膜结晶质量和表面形貌进行了表征;同时也利用光电测试系统对氧化镓平面和异质结型器件的紫外光电探测性能进行了研究。结果显示,AlN缓冲层的引入可以降低薄膜与衬底之间的晶格失配,有效提高了不同衬底外延氧化镓薄膜的结晶质量。利用双腔优势,分别在蓝宝石、p-Si(111)衬底上引入AlN缓冲层,获得具有(201)优选取向的高结晶质量的β-Ga_(2)O_(3)薄膜,显著提升了异质结日盲紫外光电探测器的器件性能。此外,还将β-Ga_(2)O_(3)与p型GaN结合制备了pn异质结构,研究了不同氧化层厚度对异质结光电探测性能的影响,最终制备了氧化镓基高性能紫外光电探测器件。 展开更多
关键词 氧化镓 宽禁带半导体 金属有机化学气相沉积 外延生长 异质结 紫外光电探测
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热裂解源应用及模拟的研究进展
12
作者 于广琛 王俊莉 王晓冬 《真空科学与技术学报》 北大核心 2025年第5期349-358,共10页
裂解源是分子束外延设备(MBE)及表面处理设备中的关键及核心,目前其以广泛应用于化合物半导体芯片制造行业。随着对半导体性能的要求逐步提高,半导体制造设备也需要不断发展。对于具有催化作用的热裂解源,由于其内部复杂流态的分布以及... 裂解源是分子束外延设备(MBE)及表面处理设备中的关键及核心,目前其以广泛应用于化合物半导体芯片制造行业。随着对半导体性能的要求逐步提高,半导体制造设备也需要不断发展。对于具有催化作用的热裂解源,由于其内部复杂流态的分布以及存在壁面催化化学反应,应用直接模拟蒙特卡洛方法(DSMC)进行模拟及结构优化。文章以砷/磷(固体),氢(气体)热裂解源为例,介绍了裂解源的基本构造和原理,以及其模拟方法。 展开更多
关键词 裂解源 分子束外延 应用及模拟 直接模拟蒙特卡洛法
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钨薄膜原子层沉积腔室内前驱体分布模拟与实验研究
13
作者 刘志远 王国政 +3 位作者 徐子晧 蒋恩桐 高管哗 杨继凯 《半导体光电》 北大核心 2025年第1期63-69,共7页
利用SolidWorks软件构建了原子层沉积反应腔室的三维模型,并利用ANSYS Fluent流体模块对乙硅烷(Si2H6)和六氟化钨(WF6)两种前驱体在反应腔室内的分布特性进行了数值模拟分析。模拟结果表明,前驱体在腔室内的分布均匀性与脉冲时间、腔室... 利用SolidWorks软件构建了原子层沉积反应腔室的三维模型,并利用ANSYS Fluent流体模块对乙硅烷(Si2H6)和六氟化钨(WF6)两种前驱体在反应腔室内的分布特性进行了数值模拟分析。模拟结果表明,前驱体在腔室内的分布均匀性与脉冲时间、腔室压强及温度密切相关:脉冲时间越长、腔室压强越低、腔室温度越高,前驱体的分布均匀性越好。在优化条件下,即腔室温度为250℃,载气流量为20 sccm,乙硅烷和六氟化钨的腔室压强分别为20和15 Pa,脉冲时间分别为30和35 ms,两种前驱体在腔室内的质量分数分布达到一致,实现了均匀分布。基于模拟数据,在玻璃衬底上成功制备出钨薄膜,并通过原子力显微镜和扫描电子显微镜对薄膜进行了表征。结果表明,所制备的薄膜具有较低的表面粗糙度和良好的厚度均匀性,验证了模拟结果的可靠性。 展开更多
关键词 原子层沉积 前驱体分布 钨薄膜
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基于DSMC方法的热裂解原子氢源数值仿真
14
作者 于广琛 王俊莉 王晓冬 《真空科学与技术学报》 北大核心 2025年第10期820-826,共7页
热裂解原子氢源在材料处理与半导体工艺中至关重要,其核心是通过高温催化裂解氢分子(H2)生成原子氢(H)。针对裂解腔内过渡流/分子流态下连续介质假设不再适用的情况下,研究基于直接模拟蒙特卡罗方法,结合微观反应概率公式,在OpenFOAM平... 热裂解原子氢源在材料处理与半导体工艺中至关重要,其核心是通过高温催化裂解氢分子(H2)生成原子氢(H)。针对裂解腔内过渡流/分子流态下连续介质假设不再适用的情况下,研究基于直接模拟蒙特卡罗方法,结合微观反应概率公式,在OpenFOAM平台构建催化裂解壁面反应模型,揭示热钨丝表面氢分子裂解机制及流场分布特性。仿真结果显示,当灯丝温度为2500 K、氢气流量0.176 sccm时,裂解效率可达28%,而流量增至1.056 sccm时裂解效率降至约12%;且裂解效率随灯丝温度升高呈指数增长,随流量增大显著下降。同时,通Cercignani–Lampis–Lord(CLL)模型分析发现,裂解效率主要由切向容纳系数调控,法向容纳系数影响极小;氢分子与氢原子在速度、密度分布上存在显著差异,入口狭缝可有效抑制氢原子返流。上述结果验证了Direct Simulation Monte Carlo(DSMC)方法在热裂解氢原子源模拟中的适用性与模型有效性,为原子氢源裂解工艺优化及结构设计提供关键参考。 展开更多
关键词 直接模拟蒙特卡洛法(DSMC) 热裂解原子氢源 仿真
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锑化物半导体材料及其分子束外延生长研究进展 被引量：2
15
作者 胡德鹏 王红真 +1 位作者 路云峰 贺训军 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期229-240,共12页
锑化物半导体的带隙能量覆盖了整个红外区域,为开展材料的能带工程提供了很大的自由度和灵活性。分子束外延(MBE)是一种在超高真空环境下能够高度可控地生长高纯化合物薄膜材料的技术,在III-V族化合物半导体尤其是锑化物半导体材料生长... 锑化物半导体的带隙能量覆盖了整个红外区域,为开展材料的能带工程提供了很大的自由度和灵活性。分子束外延(MBE)是一种在超高真空环境下能够高度可控地生长高纯化合物薄膜材料的技术,在III-V族化合物半导体尤其是锑化物半导体材料生长中得到了广泛应用。通过对锑化物半导体材料的特性、实际应用的探讨,着重介绍了分子束外延技术在锑化物生长领域的最新研究进展。首先,阐述了二元、三元和四元锑化物半导体材料的物理特性;其次,总结了相关的红外探测器、激光器和热光伏电池等器件在低暗电流和高工作温度等研究方向的进展;最后,针对锑化物半导体的MBE生长工艺和过程中存在的问题,总结了一些切实可行的解决方案,并且展望了未来锑化物半导体材料分子束外延的发展趋势。 展开更多
关键词 锑化物 半导体 分子束外延(MBE) 能带结构 生长工艺
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工业硅生产碳排放核算方法的适用性验证及优化路径探讨
16
作者 陈远翔 许瑞 +3 位作者 张星梓 付君哲 章朝 瞿广飞 《有色金属(冶炼部分)》 北大核心 2025年第10期256-264,共9页
在碳排放双控背景下,准确的碳核算是工业硅行业深化绿色低碳发展方式的重要前提,但国内现行碳核算方法仍存在适用性不足的问题。通过分析国际国内针对工业硅生产的主要碳核算方法,探讨国内方法适用性,并对云南省34家工业硅企业进行算例... 在碳排放双控背景下,准确的碳核算是工业硅行业深化绿色低碳发展方式的重要前提,但国内现行碳核算方法仍存在适用性不足的问题。通过分析国际国内针对工业硅生产的主要碳核算方法,探讨国内方法适用性,并对云南省34家工业硅企业进行算例分析,阐明核算边界、核算范围及电力排放因子选取对核算结果的影响。下一步,应结合政策、市场、技术等新态势,优化核算边界与范围、强化核算规范与时效、深化技术问题研究,提升碳核算方法适用性。 展开更多
关键词 工业硅 碳排放核算 全国碳市场 电力排放因子
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关于提高SiC外延设备生产效率的研究
17
作者 邱孟逊 王翼 +2 位作者 孔龙 殷履文 李赟 《电子制作》 2025年第18期114-116,共3页
本文研究了提高水平式碳化硅化学气相沉积外延设备生长效率的方法,针对尾气处理系统的关键局部进行了改进,通过调试尾气处理系统中蝶阀的使用方法、改良蝶阀垫片的材质、优化单向阀的开启阀值等措施,切实降低了设备的故障率,增加了有效... 本文研究了提高水平式碳化硅化学气相沉积外延设备生长效率的方法,针对尾气处理系统的关键局部进行了改进,通过调试尾气处理系统中蝶阀的使用方法、改良蝶阀垫片的材质、优化单向阀的开启阀值等措施,切实降低了设备的故障率,增加了有效生产机时,增加了外延片的实际产量,降低了生产成本。在24小时连续生产模式下,经过六个月的长周期验证,未发现任何与此相关的不良影响。 展开更多
关键词 碳化硅 化学气相沉积 尾气处理系统 故障率 生产效率
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低温下ITO薄膜的制备及其性能研究
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作者 葛新明 赵栋才 +2 位作者 郭东龙 杨英 郑军 《真空与低温》 2025年第2期156-164,共9页
为了研究低温下氧流量对ITO薄膜光电性能的影响,在-15℃下,利用直流磁控溅射技术在石英玻璃上制备了ITO薄膜。结果表明,氧气流量从10 mL/min增加到30 mL/min,会促进O元素与In原子和Sn原子的结合,使氧空位状态的氧和其他状态的氧的比值从... 为了研究低温下氧流量对ITO薄膜光电性能的影响,在-15℃下,利用直流磁控溅射技术在石英玻璃上制备了ITO薄膜。结果表明,氧气流量从10 mL/min增加到30 mL/min,会促进O元素与In原子和Sn原子的结合,使氧空位状态的氧和其他状态的氧的比值从0.82降低至0.69, SnO_(2):SnO的比值从0.52增加到3.33,In_(2)O_(3):In_(2)O_(3-x)的比值从0.25增加到0.82。同时Sn原子的含量也从3.13%减小至2.87%,薄膜中载流子浓度从253.1×10^(18)cm^(-3)减小至98.9×10^(18)cm^(-3),载流子的迁移率从4.9 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)增大至35.98 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),使薄膜的电阻率由50.0×10^(-4)Ω·cm降低到17.5×10^(-4)Ω·cm。可见光区的平均透过率从42.06%增加到82.92%,提高了薄膜的导电性能和透光性能。 展开更多
关键词 ITO薄膜 氧空位 载流子 透过率
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基于WOA优化FNN-PID的单晶硅加热炉炉温控制
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作者 周佳凯 张洪 《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期86-94,共9页
针对单晶硅加热炉炉温控制的大惯性、强耦合、长调节时间等问题,提出了基于鲸鱼优化算法(WOA)的优化模糊神经网络(FNN)比例-积分-微分(PID)算法。通过测试实验装置的温度推算出模型表达式,采用WOA进行选代寻优,得到合适的PID参数,利用FN... 针对单晶硅加热炉炉温控制的大惯性、强耦合、长调节时间等问题,提出了基于鲸鱼优化算法(WOA)的优化模糊神经网络(FNN)比例-积分-微分(PID)算法。通过测试实验装置的温度推算出模型表达式,采用WOA进行选代寻优,得到合适的PID参数,利用FNN对PID参数进行实时调整,以实现动态解耦。通过仿真软件进行仿真验证,并在搭建的模型上分别进行阶跃响应实验和信号跟随实验。仿真结果表明,相较于传统的PID算法和FNN-PID算法,基于WOA的优化FNN-PID算法有效提升了系统的升温速度且无超调。对加热炉进行升温实验,结果表明温度超调量最高为0.9℃,恒温区温控精度保持在±0.3℃,表明该方法可有效提升系统升温速度和稳定性。 展开更多
关键词 多温区温度控制 鲸鱼优化算法(WOA) 模糊神经网络(FNN) 比例-积分-微分(PID) 单晶硅加热炉
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PEDOT∶PSS/n-Si和MoOx/n-Si异质结太阳电池比较研究
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作者 王嘉文 崔义乾 +2 位作者 羊小倩 张瑜 于威 《半导体光电》 北大核心 2025年第2期240-247,共8页
文章对聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT∶PSS)和氧化钼(MoO_(x))两种空穴传输材料及其所制备的n-Si异质结隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池进行了系统地比较研究。首先,对比了PEDOT∶PSS和MoO_(x)薄膜的功函数、电阻率... 文章对聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT∶PSS)和氧化钼(MoO_(x))两种空穴传输材料及其所制备的n-Si异质结隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池进行了系统地比较研究。首先,对比了PEDOT∶PSS和MoO_(x)薄膜的功函数、电阻率、光吸收及对硅片的减反射作用等光电特性;随后,根据薄膜性质设计并制备全背电极结构的PEDOT∶PSS/n-Si和MoO_(x)/n-Si异质结TOPCon太阳电池,通过量子效率(EQE)、光照/暗态J-V曲线及稳定性测试对比性能。结果表明,PEDOT∶PSS/n-Si太阳电池具有更高的P-N结质量和转换效率,而MoO_(x)/n-Si太阳电池则具有更高的开路电压和稳定性。本研究为基于非掺杂硅基异质结太阳电池优化提供了理论参考。 展开更多
关键词 MoOx PEDOT∶PSS 比较研究 太阳电池 非掺杂空穴传输层
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