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金属-非晶硅锗合金肖特基势垒在玻璃基底红外光电子集成电路中的应用
1
作者
Y.K.Fang
《电子器件》
CAS
1993年第2期97-102,共6页
近年来,有许多利用非晶硅锗合金(a-Si<sub>l-x</sub>Ge<sub>x</sub>·H)作为长波长光探测器材料的研究报导.p-i-n结构的a-SiGe∶H二极管已成功地用于检测红外光.这表明采用非晶硅薄膜晶体管工艺,有可能在...
近年来,有许多利用非晶硅锗合金(a-Si<sub>l-x</sub>Ge<sub>x</sub>·H)作为长波长光探测器材料的研究报导.p-i-n结构的a-SiGe∶H二极管已成功地用于检测红外光.这表明采用非晶硅薄膜晶体管工艺,有可能在玻璃基底上制作红外光电子集成电路.在我们对非晶硅光传感器的研究中,肖特基势垒二极管的性能优于p-i-n结构,它快速响应、制造简单、可靠性高。这促使我们开展对a-Si<sub>l-x</sub>Ge<sub>x</sub>∶H红外肖特基势垒探测器的研究.
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关键词
非晶硅锗合金
玻璃基底
红外光
光电子集成电路
在线阅读
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职称材料
红外液晶光阀
2
作者
Wu,ST
李玲
《红外》
CAS
1989年第9期5-11,共7页
关键词
红外图象
液晶光阀
传感器
投射
在线阅读
下载PDF
职称材料
红外发光二极管及其应用
3
作者
苏长赞
《电世界》
1991年第1期8-10,共3页
关键词
红外发光
二极管
应用
在线阅读
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职称材料
如何正确选择红外测温仪
4
作者
张德欣
林瑶
《电子产品世界》
1999年第7期67-68,共2页
关键词
红外测温仪
温度测量
红外技术
应用
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职称材料
题名
金属-非晶硅锗合金肖特基势垒在玻璃基底红外光电子集成电路中的应用
1
作者
Y.K.Fang
机构
红外教学组
出处
《电子器件》
CAS
1993年第2期97-102,共6页
文摘
近年来,有许多利用非晶硅锗合金(a-Si<sub>l-x</sub>Ge<sub>x</sub>·H)作为长波长光探测器材料的研究报导.p-i-n结构的a-SiGe∶H二极管已成功地用于检测红外光.这表明采用非晶硅薄膜晶体管工艺,有可能在玻璃基底上制作红外光电子集成电路.在我们对非晶硅光传感器的研究中,肖特基势垒二极管的性能优于p-i-n结构,它快速响应、制造简单、可靠性高。这促使我们开展对a-Si<sub>l-x</sub>Ge<sub>x</sub>∶H红外肖特基势垒探测器的研究.
关键词
非晶硅锗合金
玻璃基底
红外光
光电子集成电路
分类号
TN214.09 [电子电信—物理电子学]
TN491 [电子电信—微电子学与固体电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
红外液晶光阀
2
作者
Wu,ST
李玲
出处
《红外》
CAS
1989年第9期5-11,共7页
关键词
红外图象
液晶光阀
传感器
投射
分类号
TN214.09 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
红外发光二极管及其应用
3
作者
苏长赞
出处
《电世界》
1991年第1期8-10,共3页
关键词
红外发光
二极管
应用
分类号
TN214.09 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
如何正确选择红外测温仪
4
作者
张德欣
林瑶
机构
电子工业部十一所
雷泰(中国)公司
出处
《电子产品世界》
1999年第7期67-68,共2页
关键词
红外测温仪
温度测量
红外技术
应用
分类号
TN214.09 [电子电信—物理电子学]
TH811 [机械工程—精密仪器及机械]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
金属-非晶硅锗合金肖特基势垒在玻璃基底红外光电子集成电路中的应用
Y.K.Fang
《电子器件》
CAS
1993
0
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职称材料
2
红外液晶光阀
Wu,ST
李玲
《红外》
CAS
1989
0
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职称材料
3
红外发光二极管及其应用
苏长赞
《电世界》
1991
0
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职称材料
4
如何正确选择红外测温仪
张德欣
林瑶
《电子产品世界》
1999
0
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职称材料
已选择
0
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引用分析
参考文献
引证文献
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