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LED电源整流芯片的弧形失效机理分析
1
作者 王永恒 保爱林 顾在意 《照明工程学报》 2024年第6期89-94,共6页
LED电源用的桥式整流器芯片的弧形失效形貌具有一定的典型性,该失效形貌预示着一种失效机制。从整流桥的内互连方法入手,分析了该互连方式必然形成径向电流,该电流在焊接区外缘的分布是不均匀的,由其功耗引起的该区域的PN结温升也是不... LED电源用的桥式整流器芯片的弧形失效形貌具有一定的典型性,该失效形貌预示着一种失效机制。从整流桥的内互连方法入手,分析了该互连方式必然形成径向电流,该电流在焊接区外缘的分布是不均匀的,由其功耗引起的该区域的PN结温升也是不均匀的,该温升会形成数个峰值点,其中之一会成为芯片在反向工作期间失效的起始点。同时数个结温峰值点之间的弧形高温区域也会演化为弧形失效区域。 展开更多
关键词 LED电源 整流桥 正向偏置 反向偏置
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向内发射同轴型二极管电流电压关系二维修正 被引量：9
2
作者 邵浩 刘国治 +3 位作者 宋志敏 黄文华 胡咏梅 宁辉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期631-636,共6页
给出了对同轴型强流电子束二极管的电流电压关系进行的部分理论推导与介绍 ,同时利用 PIC数值模拟以及实验研究得到的二维效应修正关系曲线。在研究中首先给出了对向内发射同轴型二极管在不同电压等级下的电流电压关系 ,然后用 PIC数值... 给出了对同轴型强流电子束二极管的电流电压关系进行的部分理论推导与介绍 ,同时利用 PIC数值模拟以及实验研究得到的二维效应修正关系曲线。在研究中首先给出了对向内发射同轴型二极管在不同电压等级下的电流电压关系 ,然后用 PIC数值模拟方法进行验证。对数值模拟的结果也给出了理论推导公式在不同状态下的二维效应修正因子与电子束流运动的特点。在研究中得到的电流电压关系理论公式基本上反映了不同条件下同轴型二极管的束流特性 ,所以此研究结果可以直接应用于包含同轴型二极管结构的脉冲功率器件的设计与实验结果的分析中 。 展开更多
关键词 强流电子束 二极管 脉冲功率 电流电压关系 空间电荷限制电流 PIC数值模拟
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二极管失效和烧毁阈值与电磁波参数关系 被引量：9
3
作者 余稳 蔡新华 +1 位作者 黄文华 刘国治 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期215-218,共4页
利用半导体 PN结器件一维模拟程序 m PND1 D,计算了二极管在不同电磁脉冲电压源条件下的失效和烧毁时器件吸收的能量 ,并对结果作了初步分析。
关键词 电磁脉冲 半导体器件 失效 烧毁 二极管 电磁波
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基于开关序列的RTD多值反相器设计 被引量：4
4
作者 林弥 沈继忠 王林 《浙江大学学报（理学版）》 CAS CSCD 2004年第1期38-42,共5页
共振隧穿二极管(ResonantTunnelingDiode-RTD)本身所具有的负阻抗(NegativeDifferentialResistance-NDR)特性使其成为天然的多值器件.本文描述了RTD以及三端共振隧穿(ResonantTunneling-RT)器件的伏安特性,介绍了元件用PSPICE软件的模... 共振隧穿二极管(ResonantTunnelingDiode-RTD)本身所具有的负阻抗(NegativeDifferentialResistance-NDR)特性使其成为天然的多值器件.本文描述了RTD以及三端共振隧穿(ResonantTunneling-RT)器件的伏安特性,介绍了元件用PSPICE软件的模拟方法,并以开关序列原理为指导思想设计出更为简洁的三值、四值反相器电路.设计出的电路具有低功耗和高速的特点,适合作为超高速大规模数字集成电路中的单元电路. 展开更多
关键词 开关序列 RTD 多值反相器 量子电路 多值逻辑 共振隧穿二极管
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一台基于串级二极管技术的高强度脉冲硬X射线源 被引量：2
5
作者 来定国 邱孟通 +4 位作者 杨实 苏兆锋 徐启福 丛培天 任书庆 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期113-118,共6页
介绍了利用串级二极管产生高强度脉冲硬X射线的方法及其辐射场参数。以“闪光二号”加速器为平台,通过适应性改造,产生快前沿电压脉冲;研制了两级阻抗1Ω串级二极管,通过串联分压降低二极管端电压、各级二极管电子束独立打靶在空间叠加... 介绍了利用串级二极管产生高强度脉冲硬X射线的方法及其辐射场参数。以“闪光二号”加速器为平台,通过适应性改造,产生快前沿电压脉冲;研制了两级阻抗1Ω串级二极管,通过串联分压降低二极管端电压、各级二极管电子束独立打靶在空间叠加形成高强度均匀辐射场。解决了悬浮电极绝缘支撑、二极管阴极均匀发射等技术难题,实现了串级二极管的稳定工作。在总电压约700 kV、电流约310 kA条件下,X射线平均能量87 keV,500 cm^(2)上的平均能注量36 mJ/cm^(2),剂量均匀性(最大值比最小值)达到2∶1。 展开更多
关键词 串级二极管 强流电子束 脉冲硬X射线 闪光二号加速器 辐射模拟
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遮挡下光伏组件中旁路二极管的研究 被引量：6
6
作者 程泽 宋成 刘力 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2017年第4期50-53,共4页
以太阳能电池的数学模型理论为基础,通过求解标准条件(STC)下光伏组件的数学模型5参数,得到无遮挡条件下光伏组件的输出特性,当光伏组件受到遮挡时,内部并联旁路二极管的导通与阻断使其输出I-U特性曲线发生变化且呈阶梯状。针对光伏组... 以太阳能电池的数学模型理论为基础,通过求解标准条件(STC)下光伏组件的数学模型5参数,得到无遮挡条件下光伏组件的输出特性,当光伏组件受到遮挡时,内部并联旁路二极管的导通与阻断使其输出I-U特性曲线发生变化且呈阶梯状。针对光伏组件内旁路二极管导通个数不同进行了实验研究,分析了旁路二极管导通个数不同条件下,光伏组件输出特性的电压特征及导数的变化,结合正常和遮挡条件下光伏组件的输出I-U特性,最后得到了有效的判断旁路二极管导通个数不同的算法,为光伏系统的遮挡研究提供了方法。 展开更多
关键词 旁路二极管 光伏组件 部分遮挡
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无箔二极管中引导磁场对电子回流的影响 被引量：2
7
作者 刘列 刘永贵 张亚洲 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期101-105,共5页
无箔二极管中电子回流是造成绝缘子表面闪络的重要因素 ,用Maxwell方程和电子运动方程定性分析了电子束回流的可能性 ,采用PIC方法模拟了无箔二极管中电子束回流的物理过程 ,由此提出了对引导磁场和阴阳极结构进行优化设计的建议。
关键词 无箔二极管 引导磁场 电子束回流 电子运动方程 PIC方法
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金属硅化物—硅功率肖特基二极管 被引量：4
8
作者 宁宝俊 高玉芝 +1 位作者 赵忠礼 张利春 《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1993年第1期71-78,共8页
本文用X射线衍射(XRD)方法、俄歇电子能谱(AES)分析和电学测量方法研究了Ti/Si、Ni/Si和Cr/Si三种结构的金属硅化物的形成和特性。用电流—电压法和电容—电压法测量分析了TiSi_2/n-Si、Nix/n-Si和CrSi_2/n-Si三种肖特基势垒二极管特性... 本文用X射线衍射(XRD)方法、俄歇电子能谱(AES)分析和电学测量方法研究了Ti/Si、Ni/Si和Cr/Si三种结构的金属硅化物的形成和特性。用电流—电压法和电容—电压法测量分析了TiSi_2/n-Si、Nix/n-Si和CrSi_2/n-Si三种肖特基势垒二极管特性,其势垒高度分别为0.61eV、0.66eV和0.66eV,理想因子均接近1。用此项技术制作的金属硅化物—n型硅肖特基功率二极管有优异的电学性能。 展开更多
关键词 金属硅化物 肖特基二极管
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基于CFBR-Ⅱ堆中子辐射场的硅整流二极管辐照效应试验研究 被引量：5
9
作者 邱东 邹德慧 《核动力工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期127-130,共4页
以中国第Ⅱ号快中子脉冲反应堆（CFBR-Ⅱ）为试验平台,采用高功率稳定和多注量点拟合的试验方法测定了典型硅整流二极管的中子辐照实验损伤常数,验证了硅整流二极管的中子辐射损伤规律。试验结果表明：以正向压降为观测效应参数的硅整... 以中国第Ⅱ号快中子脉冲反应堆（CFBR-Ⅱ）为试验平台,采用高功率稳定和多注量点拟合的试验方法测定了典型硅整流二极管的中子辐照实验损伤常数,验证了硅整流二极管的中子辐射损伤规律。试验结果表明：以正向压降为观测效应参数的硅整流二极管对于CFBR-Ⅱ堆泄漏中子能谱的试验损伤常数在3～4×10^-15 V·cm^2范围,硅整流二极管正向压降随中子注量的变化近似遵从指数增长规律。 展开更多
关键词 快中子脉冲反应堆 硅整流二极管 辐照效应
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电子回流对高功率无箔二极管效率的影响 被引量：1
10
作者 向飞 罗敏 +2 位作者 李春霞 罗光耀 王朋 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期83-87,共5页
基于单电子在电磁场中的运动理论,对某过模微波器件,用无箔二极管通过分析其导引螺旋管磁场和电子发射区电场的分布与相互关系,证明了电子回流与电子束传输效率密切相关。效率实验研究表明:对大尺寸导引磁场,不同半径薄环阴极发射电子... 基于单电子在电磁场中的运动理论,对某过模微波器件,用无箔二极管通过分析其导引螺旋管磁场和电子发射区电场的分布与相互关系,证明了电子回流与电子束传输效率密切相关。效率实验研究表明:对大尺寸导引磁场,不同半径薄环阴极发射电子束电功率有较大区别;如果电子束半径小于50mm,二极管效率大于95%;如果电子束半径大于90mm,二极管效率小于75%。 展开更多
关键词 高功率 无箔二极管 电子束传输效率 过模微波源
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高发射电流密度二极管实验研究 被引量：1
11
作者 张永辉 常安碧 +3 位作者 向飞 甘延青 刘忠 周传明 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1423-1426,共4页
介绍了一种径向绝缘的高发射电流密度二极管的结构及其磁场系统,该二极管采用爆炸发射方式,阴极为高密度热解石墨,绝缘子为氧化铝陶瓷,并采用阴极屏蔽技术,阴极尖端处的最高场强达2.470MV/cm。同时利用CHP01加速器实验平台对这种二极管... 介绍了一种径向绝缘的高发射电流密度二极管的结构及其磁场系统,该二极管采用爆炸发射方式,阴极为高密度热解石墨,绝缘子为氧化铝陶瓷,并采用阴极屏蔽技术,阴极尖端处的最高场强达2.470MV/cm。同时利用CHP01加速器实验平台对这种二极管的发射特性进行了实验研究。其输出电子束参数达到:电压600 kV、电流12 kA、脉冲宽度45 ns、脉冲重复频率100 Hz、阴极电子发射密度达17 kA/cm2。电压不稳定度小于3%,电流不稳定度小于5%。研究了在高发射电流密度下二极管重复频率稳定运行问题及引导磁场对二极管输出束流及特性阻抗的影响,结果表明:二极管输出束流随磁场增大而有所减小并趋于稳定;特性阻抗则随磁场的增大而增大,当磁场强度达到临界磁场以上时,特性阻抗也趋于稳定。 展开更多
关键词 二极管 重复脉冲 电子束 发射密度
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快中子临界装置状态参数监测单元设计 被引量：2
12
作者 胡倩 李勐 胡锦权 《核动力工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期63-66,共4页
为满足快中子临界装置测控系统要求,采用虚拟仪表技术与智能化仪表相结合,设计了快中子临界装置测控系统状态参数监测单元,用于实时监测装置的运行状态。本文主要介绍了单元的结构与设计。测试结果表明,该参数监测单元改善了监测信号的... 为满足快中子临界装置测控系统要求,采用虚拟仪表技术与智能化仪表相结合,设计了快中子临界装置测控系统状态参数监测单元,用于实时监测装置的运行状态。本文主要介绍了单元的结构与设计。测试结果表明,该参数监测单元改善了监测信号的抗干扰能力、可靠性和可维护性,满足系统人因工程需要,达到了预期要求。 展开更多
关键词 快中子临界装置 参数监测单元 虚拟仪表
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用等效法测二极管的伏安特性 被引量：7
13
作者 桂维玲 陶肖韵 《物理实验》 2000年第11期39-40,共2页
提出在测量二极管伏安特性实验中 ,用等效的测量方法代替传统的内。
关键词 伏安特性 系统误差 分压点 等效法 二极管
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第52届国际物理奥林匹克竞赛实验试题2的介绍与解答 被引量：1
14
作者 王槿 惠王伟 +2 位作者 董校 宋峰 孔勇发 《物理实验》 2022年第10期32-37,共6页
第52届国际物理奥林匹克竞赛实验试题2为柱状二极管(Cylindrical diode),试题主要考查了学生设计实验和数据处理能力.考试采用远程线上虚拟实验形式,利用计算机辅助完成实验.本文绍了实验试题2的命题和虚拟实验考试流程,并且给出了试题... 第52届国际物理奥林匹克竞赛实验试题2为柱状二极管(Cylindrical diode),试题主要考查了学生设计实验和数据处理能力.考试采用远程线上虚拟实验形式,利用计算机辅助完成实验.本文绍了实验试题2的命题和虚拟实验考试流程,并且给出了试题解答.结合物理背景知识和实际应用介绍了竞赛的命题动机,并且分析了参赛选手的答题情况. 展开更多
关键词 柱状二极管 远程虚拟考试 国际物理奥林匹克竞赛
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基于LabWindows/CVI的光谱分析系统的设计与实现 被引量：3
15
作者 龙兴明 戴特力 周静 《微计算机信息》 2003年第10期60-61,102,共3页
针对WDP500-2A平面光栅单色仪在不同电流下测试大功率激光二极管的发射波长时,匹配激光二极管的自动化程度不高、效率低以及分析界面不友好等缺点。采用自制的RS232串口通讯接口卡,并运用美国NI公司的虚拟仪器编程语言LabWindows/CVI开... 针对WDP500-2A平面光栅单色仪在不同电流下测试大功率激光二极管的发射波长时,匹配激光二极管的自动化程度不高、效率低以及分析界面不友好等缺点。采用自制的RS232串口通讯接口卡,并运用美国NI公司的虚拟仪器编程语言LabWindows/CVI开发分析软件,实现了单色仪的自动定位、扫描、数据分析、数据处理等功能。该光谱分析系统运行良好,提高了测试效率。 展开更多
关键词 大功率激光二极管 测试 光谱分析系统 设计 LABWINDOWS/CVI
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LED自动注胶机胶水气泡去除系统的设计 被引量：3
16
作者 罗小林 伍瑞华 余海旭 《机电工程技术》 2006年第9期35-37,共3页
本文从LED自动注胶机总体开发方案出发,详细探究了LED自动注胶机生产过程中胶水气泡去除机理,制定了相应方案和进行了部件的结构设计。
关键词 注胶机 气泡 去除
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二极管电流方程中m值的测定 被引量：1
17
作者 王玉清 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2009年第4期22-23,121,共3页
对二极管电流方程中m值的测定进行了实验研究。结果表明,m值随正向电压变化而变化。对于锗二极管,m存在一个最小值;对于硅二极管,m值随正向电压的增大而减小。
关键词 二极管 电流方程 玻尔兹曼常数
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半导体发光二极管(LED)的应用及发展前途 被引量：4
18
作者 夏继军 江仁杰 《湖南农机》 2007年第5期11-12,共2页
半导体二极管(LED)是应用最为广泛的电子元件之一,本文介绍了半导体二极管(LED)的发光原理、特性、分类、检测、应用及发展前景。
关键词 LED 光 应用 照明
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高压二极管中子、电子和γ辐照特征的研究
19
作者 施毅 吴凤美 +3 位作者 滕敏康 沈德勋 程开甲 王长河 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1989年第3期35-41,共7页
本文对加固P^+nn^+高压整流二极管分别进行了中子、电子和γ射线不同剂量的辐照,测试和分析了辐照感生缺陷的能级位置、密度及俘获截面,并研究了材料少数载流子寿命和器件正向电压等参量的变化特征及退火行为.实验结果表明,由于采用了... 本文对加固P^+nn^+高压整流二极管分别进行了中子、电子和γ射线不同剂量的辐照,测试和分析了辐照感生缺陷的能级位置、密度及俘获截面,并研究了材料少数载流子寿命和器件正向电压等参量的变化特征及退火行为.实验结果表明,由于采用了新工艺、新材料使器件只有良好的抗辐照性能,同时NTD材料亦显示出较好的耐辐照特性.三种不同辐照源的辐照结果反映了它们各自的损伤特征。 展开更多
关键词 二极管 中子 电子 γ 辐照
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三路平面二极管发射同步性实验研究
20
作者 杨宇 耿力东 +4 位作者 伍友成 郝世荣 王敏华 韩文辉 张南川 《微波学报》 CSCD 北大核心 2014年第S1期508-510,共3页
研究了单台脉冲功率源驱动三路并联真空二极管的爆炸发射电流的同步性和波形,设计了三路并联二极管和相关探测传感器。在此基础上进行了实验研究,结果表明,在单台脉冲功率源驱动下,三路并联二极管启动时间基本同步,波形基本一致。该研... 研究了单台脉冲功率源驱动三路并联真空二极管的爆炸发射电流的同步性和波形,设计了三路并联二极管和相关探测传感器。在此基础上进行了实验研究,结果表明,在单台脉冲功率源驱动下,三路并联二极管启动时间基本同步,波形基本一致。该研究结果对研制单台脉冲功率源驱动多路高功率微波器件合成输出的新型高功率微波装置提供了基础依据。 展开更多
关键词 同步性 电感储能 脉冲功率源 功率合成 高功率微波
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