锆钛酸铅/高分子复合膜的吸声特性 被引量：27

1

作者 成国祥 沈锋 +4 位作者 卢涛 万怡灶 孙清池 刘静 姚康德 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期133-135,共3页

以锆钛酸铅（ＰＺＴ）压电陶瓷微粒为填料，分别与丙烯酸酯共聚物和环氧树脂复合制得ＰＺＴ／高分子（ＰＺＴ／Ｐ）复合膜。用驻波管法测定了复合膜的吸声特性。用动态粘弹仪测定了复合膜的阻尼特性。实验结果表明，在声频３７５～２０... 以锆钛酸铅（ＰＺＴ）压电陶瓷微粒为填料，分别与丙烯酸酯共聚物和环氧树脂复合制得ＰＺＴ／高分子（ＰＺＴ／Ｐ）复合膜。用驻波管法测定了复合膜的吸声特性。用动态粘弹仪测定了复合膜的阻尼特性。实验结果表明，在声频３７５～２０００Ｈｚ范围内，在聚合物中加入ＰＺＴ微粒并使其极化产生压电性，可使其吸声性能增加。动态粘弹实验结果表明。 展开更多

关键词 PZT 高分子复合膜 吸声特性 锆钛酸铅 压电陶瓷

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ZnO压敏陶瓷的晶粒生长和电学性能 被引量：15

2

作者 章天金 周东祥 龚树萍 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期921-926,共6页

研究了不同价态Co、Mn添加物对低压ZnO压敏陶瓷晶粒生长和电学性能的影响，分析了由于不同价态Mn和Co掺杂所产生的缺陷类型，应用晶粒生长的动力学方程：确定了晶粒生长的动力学指数和激活能．实验结果表明：对于低压ZnO压敏陶瓷，其晶... 研究了不同价态Co、Mn添加物对低压ZnO压敏陶瓷晶粒生长和电学性能的影响，分析了由于不同价态Mn和Co掺杂所产生的缺陷类型，应用晶粒生长的动力学方程：确定了晶粒生长的动力学指数和激活能．实验结果表明：对于低压ZnO压敏陶瓷，其晶粒生长的动力学指数n＝6，激活能E＝224±17kJ／mol，随着Mn、Co价态的增加，ZnO压敏陶瓷的平均晶粒大小增加，提高烧结温度，ZnO压敏陶瓷的压敏场强E1mA降低，漏电流IL增加，非线性系数α降低．在低压ZnO压敏陶瓷的制备过程中，烧结温度以不超过1250℃为宜． 展开更多

关键词 晶粒生长 电性能 价态 氧化锌陶瓷 压敏陶瓷

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逆压电效应的压电常数和压电陶瓷微位移驱动器 被引量：16

3

作者 陈大任 李国荣 殷庆瑞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期861-866,共6页

本文介绍了由过压电效应的应变-电场曲线测得弱场和强场下的压电常数d_33、d_31．测量发现S～E曲线上呈现应变和压电系数突增的阈值场强E_b，用铁电陶瓷固有的90°畴转向对应变的贡献进行了分析和讨论．该方法与以往常用的正压电效... 本文介绍了由过压电效应的应变-电场曲线测得弱场和强场下的压电常数d_33、d_31．测量发现S～E曲线上呈现应变和压电系数突增的阈值场强E_b，用铁电陶瓷固有的90°畴转向对应变的贡献进行了分析和讨论．该方法与以往常用的正压电效应的压电常数测试相比，方便、简单，尤其对过压电效应的压电微位移驱动器应用更具有实际意义． 展开更多

关键词 压电常数 逆压电效应 压电陶瓷 微位移器

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压电陶瓷带形中Ⅲ型裂纹的精确分析解 被引量：10

4

作者 李显方 范天佑 《力学学报》 EI CSCD 北大核心 2002年第3期335-343,共9页

分析无限长压电带形中的Ⅲ型裂纹问题．主要讨论了在带形边界受四种机电组合载荷情况下裂纹位于带形中平面上的情形．通过积分变换,与其相应的复合边值问题分别转化为对偶积分方程组．使用对偶积分方程的熟知结果,获得了裂纹线上电弹性... 分析无限长压电带形中的Ⅲ型裂纹问题．主要讨论了在带形边界受四种机电组合载荷情况下裂纹位于带形中平面上的情形．通过积分变换,与其相应的复合边值问题分别转化为对偶积分方程组．使用对偶积分方程的熟知结果,获得了裂纹线上电弹性场的明显的解析表达式及在裂尖处一些量的强度因子和能量释放率公式．与已知的近似解比较,所得结果是以封闭形式给出的精确解． 展开更多

关键词 压电陶瓷 无限带形 电弹性场 Ⅲ型裂纹 精确分析解 积分变换 机电偶合 能量释放率公式 封闭形式

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Ca-(Na,Ce)-Bi-Ti系列高温压电陶瓷材料及其压电性能的研究 被引量：14

5

作者 黄宣威 李承恩 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期59-64,共6页

本文开展了对CaBi4Ti4O15基料的置换和掺杂的研究，获得一个较好的Ca-（Na,Ce）-Bi-Ti材料系列，并在该材料系列的基础上再进行一元和多元掺杂，使它的d33值较CaBi4Ti4O15有较大程度的改善，其电阻率、电容和损耗的温度系数也均优于CaBi... 本文开展了对CaBi4Ti4O15基料的置换和掺杂的研究，获得一个较好的Ca-（Na,Ce）-Bi-Ti材料系列，并在该材料系列的基础上再进行一元和多元掺杂，使它的d33值较CaBi4Ti4O15有较大程度的改善，其电阻率、电容和损耗的温度系数也均优于CaBi4Ti4O15，是一种较有开发潜力的高温压电陶瓷材料． 展开更多

关键词 高温 压电陶瓷 压电性 钙钛矿型

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TiO_2系复合功能陶瓷的电性能研究 被引量：4

6

作者 武明堂 张卫 +1 位作者 刘辅宜 李平 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第3期288-294,共7页

本文从材料设计的角度出发,参考电容-压敏复合功能陶瓷的理想结构,通过 Sb_2O_5施主掺杂控制材料的晶粒电阻率,借助 MnO_2的掺杂,调节材料的晶界势垒高度,探讨了它们对压敏特性和电容特性的影响.文中还对非线性系数、介电常数的理论值... 本文从材料设计的角度出发,参考电容-压敏复合功能陶瓷的理想结构,通过 Sb_2O_5施主掺杂控制材料的晶粒电阻率,借助 MnO_2的掺杂,调节材料的晶界势垒高度,探讨了它们对压敏特性和电容特性的影响.文中还对非线性系数、介电常数的理论值和实验值进行了比较. 展开更多

关键词 二氧化钛 压电陶瓷 电性能

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掺Pb[(Y_(1/2)Nb_(1/2))_(0.06)(Zr_(1/2)Ti_(1/2))_(0.94)]O_3铁电陶瓷的性能 被引量：2

7

作者 董火民 王矜奉 +4 位作者 王勇军 陈洪存 刘华 张沛霖 钟维烈 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第5期396-400,共5页

研究了ＭｎＯ２、ＭｇＯ 掺杂的０．０６Ｐｂ（Ｙ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３－０．９４Ｐｂ（Ｚｒ１／２Ｔｉ１／２）Ｏ３ 三元系压电陶瓷。通过测量得出了不同组分时的压电常数、机电耦合系数、极化前后的介电常数以及弹性柔顺系数；获得... 研究了ＭｎＯ２、ＭｇＯ 掺杂的０．０６Ｐｂ（Ｙ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３－０．９４Ｐｂ（Ｚｒ１／２Ｔｉ１／２）Ｏ３ 三元系压电陶瓷。通过测量得出了不同组分时的压电常数、机电耦合系数、极化前后的介电常数以及弹性柔顺系数；获得掺杂物与这些性能之间的关系；对实验现象进行了简单的讨论。 展开更多

关键词 掺杂物 压电性 机电耦合系数 三元系 铁电陶瓷

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PZN-PZT压电陶瓷高温石墨还原行为研究 被引量：2

8

作者 魏晓勇 陈大任 李国荣 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期692-698,共7页

为研制具有超大位移量的 Ｒ Ａ Ｉ Ｎ Ｂ Ｏ Ｗ 新型压电微位移驱动器， 对制备该器件所用铌锌酸铅锆钛酸铅（ Ｐ Ｚ Ｎ Ｐ Ｚ Ｔ） 压电陶瓷材料的还原行为进行了初步研究， 观察到还原样品断口上呈现出清晰的多层层次结构采用 ... 为研制具有超大位移量的 Ｒ Ａ Ｉ Ｎ Ｂ Ｏ Ｗ 新型压电微位移驱动器， 对制备该器件所用铌锌酸铅锆钛酸铅（ Ｐ Ｚ Ｎ Ｐ Ｚ Ｔ） 压电陶瓷材料的还原行为进行了初步研究， 观察到还原样品断口上呈现出清晰的多层层次结构采用 Ｓ Ｅ Ｍ、 Ｘ Ｒ Ｄ 和电导率测量等研究方法， 研究了还原样品各层次的断口形貌、物相组成和导电类型， 对 Ｐ Ｚ Ｎ Ｐ Ｚ Ｔ 压电陶瓷材料在高温下被石墨还原的过程和机理作了初步解释研究表明还原反应是按照先晶界后晶粒的顺序进行， 各层的导电类型随还原程度由浅到深呈现出绝缘体型半导体型金属型的变化规律， 对于轻度还原层， 仍保持着初始的固溶体晶相结构， 相应地对深度还原层， 初始晶相结构已被破坏， 展开更多

关键词 压电微位移 驱动器 还原行为 压电陶瓷 PZN PZT

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激光干涉法测压电陶瓷的压电常数d_(31) 被引量：4

9

作者 范素华 王培吉 《应用光学》 CAS CSCD 1997年第4期30-32,共3页

介绍迈克尔逊干涉仪原理在测微小位移中的应用。确定一种锆钛酸铅镧（PLZT）压电陶瓷的压电常数d(31)，得到了一种测d(31)的可行可靠的新方法。

关键词 激光干涉法 压电陶瓷 压电常数 干涉仪

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改性PbTiO_3压电陶瓷各向异性的研究 被引量：2

10

作者 姜胜林 张绪礼 +1 位作者 王筱珍 万向红 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1995年第2期26-29,共4页

以改性ＰｂＴｉＯ＿３压电陶瓷的结构为基础，对其各向异性进行了探讨。认为产生大的压电各向异性在于其钙钛矿结构ＡＢＯ＿３中Ａ位取代离子的特定离子半径和电子态。并依据一些实验现象进行了分析。

关键词 各向异性 三氧化钯钛 压电陶瓷 钙钛矿结构

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PMMN四元系压电陶瓷结构与性能的研究 被引量：4

11

作者 崔万秋 周静 刘舒曼 《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第4期317-320,共4页

用ＰｂＯ、ＺｒＯ＿２、ＴｉＯ＿２等原料经固相反应烧结制备了ＰＺＴ基四元系压电陶瓷。ＸＲＤ、ＳＥＭ及密度测试表明，材料主晶相为四方晶系的Ｐ４ｍｍ群，烧结致密度较好。极化后的性能测试表明，材料具有高介电系数（ε＿ｒ＝２０... 用ＰｂＯ、ＺｒＯ＿２、ＴｉＯ＿２等原料经固相反应烧结制备了ＰＺＴ基四元系压电陶瓷。ＸＲＤ、ＳＥＭ及密度测试表明，材料主晶相为四方晶系的Ｐ４ｍｍ群，烧结致密度较好。极化后的性能测试表明，材料具有高介电系数（ε＿ｒ＝２０１５），压电系数（ｄ＿（３３）＝５７８×１０￣（－１２）Ｃ／Ｎ），机电耦合系数（Ｋ＿（３３）＝０．８１）和良好的机械品质因数（Ｑ＿ｍ＝５４３．８），是压电高压装置的理想材料。 展开更多

关键词 四元系 压电陶瓷 压电系数 机电耦合系数

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压电陶瓷变压器的工作原理及其应用 被引量：8

12

作者 左孝杰 孙清池 +1 位作者 张树森 张晓航 《热固性树脂》 CAS CSCD 1999年第4期87-89,共3页

本文介绍了压电陶瓷变压器的发展、结构、工作原理、特点及其应用。目前，成熟应用的压电陶瓷变压器均为罗森（Ｒｏｓｅｎ）型，利用电能－机械能－电能的转换使电压升高。目前升压比可达５００倍以上。为提高功率及转换效率，日本ＮＥ... 本文介绍了压电陶瓷变压器的发展、结构、工作原理、特点及其应用。目前，成熟应用的压电陶瓷变压器均为罗森（Ｒｏｓｅｎ）型，利用电能－机械能－电能的转换使电压升高。目前升压比可达５００倍以上。为提高功率及转换效率，日本ＮＥＣ公司推出多层三次罗森型压电变压器。 展开更多

关键词 压电陶瓷 变压器 工作原理

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压电陶瓷非线性断裂的有限元分析 被引量：6

13

作者 潘亦苏 陈大鹏 《西南交通大学学报》 EI CSCD 北大核心 2000年第5期451-456,共6页

提出了一个简单的包含有极化反转及电饱和影响的压电材料的本构模型。在此基础上实施了非线性有限元分析 ,并以局部J积分作为断裂准则 ,导出了作用电场与断裂载荷的关系曲线 。

关键词 有限元法 压电陶瓷 电饱和 极化反转

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PSN,PSLN压电陶瓷结构与介电性能研究 被引量：1

14

作者 崔万秋 张丛春 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期372-374,共3页

通过固相反应烧结法制备了ＰＳＮ、ＰＳＬＮ陶瓷，对样品进行ＸＲＤ分析，发现有超晶格衍射峰，说明Ｂ位离子部分有序。研究了不同频率下样品的介电常数随温度的变化情况，发现介电常数表现出明显的频率色散性，相变为弥散相变，但Ｔｍ... 通过固相反应烧结法制备了ＰＳＮ、ＰＳＬＮ陶瓷，对样品进行ＸＲＤ分析，发现有超晶格衍射峰，说明Ｂ位离子部分有序。研究了不同频率下样品的介电常数随温度的变化情况，发现介电常数表现出明显的频率色散性，相变为弥散相变，但Ｔｍ随频率变化不大。ＰＳＬＮ四元系的Ｔｍ较三元系ＰＳＮ低。 展开更多

关键词 PSN PSLN 介电性能 DPT相变 压电陶瓷

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压电陶瓷中的空间电荷 被引量：1

15

作者 李景德 邓人忠 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期167-170,共4页

用微分时域谱方法，可以将陶瓷的介电、压电和热释电效应中来自铁电极化、异极电荷和同极电荷的贡献分开．对同一样品作介电谱和热释电谱测量，可以区分异极和同极电荷的分量；因为两者的热释电效应反号．

关键词 压电陶瓷 热释电 空间电荷 电工陶瓷

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钛酸钡(BaTiO_3)膨胀系数及空隙对其介电常数的影响 被引量：3

16

作者 杨海 王才璋 +2 位作者 杨卫平 余鸿飞 李君康 《半导体杂志》 1998年第1期17-20,共4页

本文研究钛酸钡（ＢａＴｉＯ３）膨胀系数随温度变化的行为。结果表明在钛酸钡的三个相变温度点（１２０℃、８℃、－８０℃）处，热膨胀系数反常变化，我们认为相变温度为－８０℃处的热膨胀反常是因钛酸钡ＢａＴｉＯ３中对称元“Ｔｉ... 本文研究钛酸钡（ＢａＴｉＯ３）膨胀系数随温度变化的行为。结果表明在钛酸钡的三个相变温度点（１２０℃、８℃、－８０℃）处，热膨胀系数反常变化，我们认为相变温度为－８０℃处的热膨胀反常是因钛酸钡ＢａＴｉＯ３中对称元“Ｔｉ—Ｂａ—Ｔｉ”的静态畸变造成。同时本文讨论了ＢａＴｉＯ３中空隙对其介电常数的影响。 展开更多

关键词 热膨胀 陶瓷材料 钛酸钡 压电陶瓷

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压电陶瓷材料的Hamilton体系与辛正交模型 被引量：1

17

作者 邹贵平 《计算物理》 CSCD 北大核心 1997年第6期735-739,共5页

建立了压电陶瓷材料电固耦合问题的Ｈａｍｉｌｔｏｎ正则方程，并通过对全状态向量分离变量，给出了压电陶瓷材料的共轭辛正交解析解。

关键词 正则方程 辛正交模型 电固耦合 压电陶瓷 H体系

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压电陶瓷柱体中裂纹前缘场分析 被引量：2

18

作者 黄上恒 《强度与环境》 1998年第2期14-19,24,共7页

为了揭示含裂纹的压电陶瓷介质在机械载荷作用下裂纹前缘的力学和电学的奇异行为，以一承受扭矩的压电陶瓷柱体为例，求得了其中所含的圆币形裂纹前缘的应力场和电位移场。所得结果表明，机械载荷下的压电陶瓷介质中裂纹前线不仅存在高... 为了揭示含裂纹的压电陶瓷介质在机械载荷作用下裂纹前缘的力学和电学的奇异行为，以一承受扭矩的压电陶瓷柱体为例，求得了其中所含的圆币形裂纹前缘的应力场和电位移场。所得结果表明，机械载荷下的压电陶瓷介质中裂纹前线不仅存在高度的应力集中，同时存在着电荷奇异增强现象。最后对以上结果作了简单的讨论。 展开更多

关键词 压电陶瓷 柱 裂纹 应力强度因子 电位移 应力

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Bi、Zn掺杂的PNN-PZ-PT系压电陶瓷电畴结构的TEM研究

19

作者 朱信华 朱健民 +2 位作者 周舜华 李齐 孟中岩 《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第5期483-484,共2页

在Ａ（Ｂ′Ｂ″）Ｏ３－ＰＺ－ＰＴ三元系中，Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３（ＰＮＮ）－ＰＺ－ＰＴ系压电陶瓷具有稳定的温度特性、优良的压电性能和瞬态电压响应特性，能够综合满足压电陶瓷微位移执行器的性能要求，是一种很有潜... 在Ａ（Ｂ′Ｂ″）Ｏ３－ＰＺ－ＰＴ三元系中，Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３（ＰＮＮ）－ＰＺ－ＰＴ系压电陶瓷具有稳定的温度特性、优良的压电性能和瞬态电压响应特性，能够综合满足压电陶瓷微位移执行器的性能要求，是一种很有潜力的压电材料［１］。人们对它的介电... 展开更多

关键词 铋 锌 掺杂 电畸结构 压电陶瓷 PNN-PZ-PT系 TEM

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退火对氧化锌压敏电阻器电气性能的影响

20

作者 韩述斌 范坤泰 吴德喜 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 1997年第11期19-21,共3页

描述了退火工艺对氧化锌压敏电阻器电气性能的影响。样品热处理后晶粒界层中的富铋相发生了由β－Ｂｉ２Ｏ３向γ－Ｂｉ２Ｏ３的相变。用点缺陷理论的准化学反应分析了消除间隙锌离子的过程。试验和理论分析都说明经过处理后，虽然某些... 描述了退火工艺对氧化锌压敏电阻器电气性能的影响。样品热处理后晶粒界层中的富铋相发生了由β－Ｂｉ２Ｏ３向γ－Ｂｉ２Ｏ３的相变。用点缺陷理论的准化学反应分析了消除间隙锌离子的过程。试验和理论分析都说明经过处理后，虽然某些参数下降，但其稳定性大大提高。适当地选取退火的温度和时间，可使参数的下降较小并在允许的范围内，从而制得性能符合要求、稳定性较好的产品。 展开更多

关键词 压敏电阻 退火 稳定性 氧化锌 电气性能 器件

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