电光、热释电材料KTa_（1－x）Nb_xO_3的制备、性能及应用 被引量：6

1

作者 王龙海 王世敏 +1 位作者 黄桂玉 邝安祥 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1995年第5期36-44,共9页

介绍了电光、热释电材料ＫＴａ＿（１－ｘ）Ｎｂ＿ｘＯ＿３单晶、陶瓷、薄膜的制备方法，以及所制备材料的性能和应用。分析了其研究现状，简要论述了其发展趋势。

关键词 热释电材料 电光材料 制备

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La_xBa_(1-x)CoO_3系导电陶瓷的显微结构与电特性关系的研究 被引量：3

2

作者 王成建 肖鸣山 黄佶 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期506-508,共3页

通过Ｘ射线衍射分析和扫描电镜观察，得到了ＬａｘＢａ１－ｘＣｏＯ３系导电陶瓷的显微结构，并发现当Ｘ从０到１变化时，相结构随之发生六方—立方—多相结构变化。在显微结构形状上，呈现出晶粒通道网络。

关键词 导电陶瓷 显微结构 电特性 LaBaCoO3

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Nd_2O_3改性PbTiO_3陶瓷性能的研究 被引量：6

3

作者 王成建 肖鸣山 +1 位作者 张承琚 兰建胜 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期126-129,共4页

通过添加少量的Ｎｄ２Ｏ３可以改善ＰｂＴｉＯ３陶瓷的性能。这种性能的改善是与用Ｎｄ２Ｏ３改性的ＰｂＴｉＯ３陶瓷的显微结构和导电机制密切相关的。本文研究了Ｎｄ２Ｏ３改性的ＰｂＴｉＯ３陶瓷的性能参数。

关键词 钕 PbTiO3陶瓷 结构 钛酸铝陶瓷 导电性

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铁电钛酸铋超微粉及陶瓷的研究 被引量：12

4

作者 王旭升 张良莹 姚熹 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 1997年第6期415-419,共5页

采用类溶胶－凝胶方法制备了铁电Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２超微粉，分别用Ｘ射线衍射、透射电子显微镜、激光散射粒度仪和差热分析仪对其结构、形貌、粒度和相变特性进行了测试分析。结果表明，超微粉形成了正交晶系Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２结构，... 采用类溶胶－凝胶方法制备了铁电Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２超微粉，分别用Ｘ射线衍射、透射电子显微镜、激光散射粒度仪和差热分析仪对其结构、形貌、粒度和相变特性进行了测试分析。结果表明，超微粉形成了正交晶系Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２结构，晶粒尺寸为１０～５０ｎｍ。由微粉制备了Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２陶瓷，其介电常数和损耗角正切分别为ε＝１０５．６和ｔｇδ＝０．０５２（１００Ｈｚ）及ε＝９７．２和ｔｇδ＝０．０００３６（４ＭＨｚ），铁电参数矫顽电场Ｅｃ为２．９１×１０６Ｖ／ｍ，剩余极化强度Ｐｒ为７×１０－３Ｃ／ｍ２。 展开更多

关键词 超微粉 陶瓷 铁电体钛酸铋

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Mn在SrTiO_3功能陶瓷中的作用 被引量：9

5

作者 曹全喜 周晓华 +1 位作者 孙志 牛苏彦 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第1期59-3,共1页

从实验结果出发，通过微观分析研究了Ｍｎ在ＳｒＴｉＯ３双功能陶瓷中的作用以及它对电性能的影响。热重分析和Ｘ光衍射的结果说明了ＭｎＯ２在加热过程中物相和Ｍｎ离子价态的变化，得出Ｍｎ２＋、Ｍｎ３＋、Ｍｎ４＋共存的结论。并指... 从实验结果出发，通过微观分析研究了Ｍｎ在ＳｒＴｉＯ３双功能陶瓷中的作用以及它对电性能的影响。热重分析和Ｘ光衍射的结果说明了ＭｎＯ２在加热过程中物相和Ｍｎ离子价态的变化，得出Ｍｎ２＋、Ｍｎ３＋、Ｍｎ４＋共存的结论。并指出Ｍｎ在此为受主杂质，过量的Ｍｎ使晶粒电阻率增大，损耗增加，它促进晶粒生长，却又使气孔率上升。适量的Ｍｎ含量可明显地提高非线性特性，这是在ＳｒＴｉＯ３双功能陶瓷中添加Ｍｎ的主要原因。 展开更多

关键词 价态 锰 功能陶瓷 电工陶瓷

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PLZT陶瓷的晶界现象 被引量：3

6

作者 祝炳和 赵梅瑜 +3 位作者 姚尧 郑鑫森 敖海宽 殷之文 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1999年第5期13-16,共4页

利用显微技术，研究了ＰＬＺＴ陶瓷的显微结构及它在外电场作用下的行为。制备粗晶粒及单个晶粒厚的抛光薄片， 利用十字形电极， 观察在电场作用下， 电畴运动的动态过程。讨论所观察到的一些晶界有关现象，如： 晶界平滑区， 晶界区... 利用显微技术，研究了ＰＬＺＴ陶瓷的显微结构及它在外电场作用下的行为。制备粗晶粒及单个晶粒厚的抛光薄片， 利用十字形电极， 观察在电场作用下， 电畴运动的动态过程。讨论所观察到的一些晶界有关现象，如： 晶界平滑区， 晶界区的电光性， “壳－芯”结构， 析出物在晶界区的沉积， 电畴在该区的成核和生长， 空间电荷在该区的积累等等。认为存在高应变能的晶界区， 展开更多

关键词 功能陶瓷 晶界 电畴 PLZT

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含La或Sm的BaNd_(2-y)R_yTi_(4+x)O_(12+2x)瓷的结构与性能 被引量：3

7

作者 江涛 郭育源 +1 位作者 王军 邹琼 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1999年第3期3-6,共4页

ＢａＯ－Ｎｄ２Ｏ３－ＴｉＯ２系富钛区含Ｌａ或Ｓｍ的陶瓷，ＸＲＤ、ＳＥＭ显微结构分析表明，其主晶相为Ｒ（Ｒ＝Ｌａ或Ｓｍ）取代Ｎｄ固溶体ＢａＮｄ２－ｙＲｙＴｉ５Ｏ１４和ＢａＮｄ２－ｙＲｙＴｉ４Ｏ１２，均属斜方晶系，并存在... ＢａＯ－Ｎｄ２Ｏ３－ＴｉＯ２系富钛区含Ｌａ或Ｓｍ的陶瓷，ＸＲＤ、ＳＥＭ显微结构分析表明，其主晶相为Ｒ（Ｒ＝Ｌａ或Ｓｍ）取代Ｎｄ固溶体ＢａＮｄ２－ｙＲｙＴｉ５Ｏ１４和ＢａＮｄ２－ｙＲｙＴｉ４Ｏ１２，均属斜方晶系，并存在少量的次晶相Ｒ２Ｔｉ２Ｏ７、ＢａＴｉ４Ｏ９、Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０等。富钛区ＢａＮｄ２Ｔｉ４＋ｘＯ１２＋２ｘ（ｘ＝０～１．４００）组分和含Ｌａ或Ｓｍ的ＢａＮｄ２－ｙＲｙＴｉ５Ｏ１４组分所组成的瓷料，介质损耗显著地降低，介电常数和电容温度系数遵从李赫涅德凯对数混合定律。 展开更多

关键词 镧 钐钛钡钕瓷 斜方晶体 介电性能 电工陶瓷

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铁电陶瓷的极化运动学模型 被引量：2

8

作者 凌志远 刘付德 +1 位作者 熊茂仁 陈楷 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期117-119,共3页

铁电陶瓷中两种机电耦合效应的相互关系及机理是一个引入注目的研究课题。本文从经典的固有偶极子取向极化模型出发，考虑固有偶极子取向时的弛豫现象，提出了在恒外力作用下的运动学模型，由此得到了在一定条件下铁电陶瓷中两种机电耦... 铁电陶瓷中两种机电耦合效应的相互关系及机理是一个引入注目的研究课题。本文从经典的固有偶极子取向极化模型出发，考虑固有偶极子取向时的弛豫现象，提出了在恒外力作用下的运动学模型，由此得到了在一定条件下铁电陶瓷中两种机电耦合效应的关系、起因和作用范围。 展开更多

关键词 铁电陶瓷 固有偶极子 机电耦合效应

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铌锌酸铅基铁电陶瓷的热膨胀行为 被引量：2

9

作者 樊慧庆 张良莹 姚熹 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 1997年第6期424-426,共3页

通过对铌锌酸铅基铁电陶瓷（０．９－ｘ）ＰＺＮ－０．１ＢＴ－ｘＰＴ，（ｘ＝０．０５，０．１５）在０～４５０°Ｃ热膨胀行为的详细测量，结合其相应温度范围内的介电温谱，发现一个弱的一级相变过程，进而探讨了复合钙钛矿结构... 通过对铌锌酸铅基铁电陶瓷（０．９－ｘ）ＰＺＮ－０．１ＢＴ－ｘＰＴ，（ｘ＝０．０５，０．１５）在０～４５０°Ｃ热膨胀行为的详细测量，结合其相应温度范围内的介电温谱，发现一个弱的一级相变过程，进而探讨了复合钙钛矿结构弛豫型铁电体中局域极化的转变特征。 展开更多

关键词 铌锌酸铅 铁电陶瓷 热膨胀 局域极化

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CeO_2掺杂的SrTiO_3陶瓷的介电性质 被引量：2

10

作者 肖鸣山 韩力群 陈晨 《功能材料》 EI CAS CSCD 1993年第3期206-209,共4页

SrTiO_3陶瓷是一种具有多功能特性的介质材料:用CeO_2掺杂改性的SrTiO_3陶瓷,可以提高其介电常数和降低介质损耗,对其介电温度特性和介电频率特性也有明显的改善。本文主要报道CeO_2对SrTiO_8陶瓷介电性质的影响。

关键词 介电性质 介质损耗 陶瓷 电容率

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飞机电热防冰用BaTiO_3热敏陶瓷力学性能的改进 被引量：1

11

作者 徐国跃 谢国治 +1 位作者 肖军 马立新 《南京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期97-102,共6页

飞机电热防冰系统用ＢａＴｉＯ３基ＰＴＣ热敏陶瓷材料要求有低电阻及优良的ＰＴＣ效应，同时有良好的力学性能。本文叙述了在ＢａＴｉＯ３为基的ＰＴＣ材料中，通过配方组成设计及先进的工艺制备手段，获得了居里温度５０℃，室温体电... 飞机电热防冰系统用ＢａＴｉＯ３基ＰＴＣ热敏陶瓷材料要求有低电阻及优良的ＰＴＣ效应，同时有良好的力学性能。本文叙述了在ＢａＴｉＯ３为基的ＰＴＣ材料中，通过配方组成设计及先进的工艺制备手段，获得了居里温度５０℃，室温体电阻率８０Ω·ｃｍ，ＰＴＣ效应１０６数量级，耐电压２４０Ｖ／ｍｍ，断裂韧性ＫＩＣ１９．１４ＭＮ／ｍ３／２，冲击韧性２．６Ｊ／ｃｍ２，抗弯强度１０８ＭＰａ，综合性能优良的ＰＴＣ材料。初步实验表明，该发热体陶瓷具有较强的防冰和化冰能力。 展开更多

关键词 热敏陶瓷 飞机 电热防冰系统 制备 钛酸钡

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Si_3N_4和Si_3N_4/SiO_2驻极体薄膜的化学表面修正 被引量：3

12

作者 张晓青 夏钟福 潘永刚 《同济大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期564-567,共4页

采用补偿法对六甲基二硅胺烷 (hexamethyedisilane ,HMDS)和二氯二甲基硅烷 (dichlorodimethsiliane ,DCDMS)化学表面修正恒压电晕充电硅基氮化硅 (Si3N4)薄膜驻极体及氮化硅 /二氧化硅 (Si3N4/SiO2 )薄膜驻极体的电荷储存稳定性进行了... 采用补偿法对六甲基二硅胺烷 (hexamethyedisilane ,HMDS)和二氯二甲基硅烷 (dichlorodimethsiliane ,DCDMS)化学表面修正恒压电晕充电硅基氮化硅 (Si3N4)薄膜驻极体及氮化硅 /二氧化硅 (Si3N4/SiO2 )薄膜驻极体的电荷储存稳定性进行了比较性的研究 .实验结果表明 ,经过化学表面修正后 ,驻极体薄膜在高湿环境中的电荷储存稳定性显著提高 ;在低于 2 0 0℃时 ,HMDS和DCDMS化学表面修正的效果相当 ;DCDMS化学表面处理具有较高的耐热性 . 展开更多

关键词 化学表面修正 驻极体薄膜 电荷储存稳定性

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钛酸钡基陶瓷材料晶界掺杂与PTCR效应 被引量：1

13

作者 齐建全 桂治轮 +1 位作者 李龙土 陈万平 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第3期210-213,共4页

“晶界掺杂”是一个全新的概念，它针对的是陶瓷晶界。在钛酸钡材料中，晶界掺杂能明显地改变ＰＴＣＲ效应。在晶界上，施主杂质同某些受主杂质一样，也可以明显提高材料的ＰＴＣＲ效应。通过晶界掺杂引入的Ｐｂ２＋则对ＰＴＣＲ效应有... “晶界掺杂”是一个全新的概念，它针对的是陶瓷晶界。在钛酸钡材料中，晶界掺杂能明显地改变ＰＴＣＲ效应。在晶界上，施主杂质同某些受主杂质一样，也可以明显提高材料的ＰＴＣＲ效应。通过晶界掺杂引入的Ｐｂ２＋则对ＰＴＣＲ效应有明显的损害。 展开更多

关键词 晶界 掺杂 钛酸钡 PTCR 陶瓷材料

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PMN基电致伸缩陶瓷电致应变温度特性 被引量：1

14

作者 温保松 严鸿萍 马佳华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期1025-1029,共5页

研究了扩散相变中心温度分别为４０℃和６５℃的两种Ｌａ－掺杂ＰＭＮ基陶瓷在其扩散相变温度范围的电致应变、电致应变随电场（Ｓ～Ｅ）的滞后特性和剩余应变效应．结果发现，对于扩散相变中心温度为４０℃的材料在０～１ｋＶ／ｍｍ单... 研究了扩散相变中心温度分别为４０℃和６５℃的两种Ｌａ－掺杂ＰＭＮ基陶瓷在其扩散相变温度范围的电致应变、电致应变随电场（Ｓ～Ｅ）的滞后特性和剩余应变效应．结果发现，对于扩散相变中心温度为４０℃的材料在０～１ｋＶ／ｍｍ单向电场驱动下；从－１０～６０℃电致应变和滞后都随温度的升高而减小；对另一种材料无论由±１ｋＶ／ｍｍ交变电场或由０～１ｋＶ／ｍｍ单向电场驱动，温度从１３～４１℃变化均出现电致应变峰值，而滞后和剩余应变随温度的升高而减小．对以上实验结果本文作了详细讨论． 展开更多

关键词 PMN基陶瓷 电致伸缩 扩散相变 电致应变 温度

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CeO_2的加入对(ZrO_2)_(0.86)(MgO)_(0.14)陶瓷电导率的影响 被引量：1

15

作者 梁广川 刘文西 陈玉如 《河北工业大学学报》 CAS 1999年第4期60-63,共4页

对（Zde2）0.86MgO0.14外加2～12mol％CeO2陶瓷材料的电导率进行了研究，对此类材料的电导率、活化能与强度、结构的关系进行了分析．实验发现，当外加CeO2含量在6～8mol％时，电导率、活化能发生反常变化，此变化可能与点缺陷行为有关... 对（Zde2）0.86MgO0.14外加2～12mol％CeO2陶瓷材料的电导率进行了研究，对此类材料的电导率、活化能与强度、结构的关系进行了分析．实验发现，当外加CeO2含量在6～8mol％时，电导率、活化能发生反常变化，此变化可能与点缺陷行为有关；随热处理时间的增加，电导率下降，电导活化能出现极小值，而弯曲强度出现极大值，出现极值的区域具有较好的对应关系． 展开更多

关键词 电导率 活化能 固体电解质 共析陶瓷 氧化锆陶瓷

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氮化铝陶瓷直接覆铜技术 被引量：1

16

作者 黄岸兵 崔嵩 张浩 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1999年第5期31-31,33,共2页

研制出一种直接覆铜ＡｌＮ基板。先将ＡｌＮ 陶瓷基板作表面氧化处理， 然后在１ ０６３～１ ０７０℃下， 氮气氛中煅烧， 使铜箔直接焊敷在ＡｌＮ基板上。铜箔的剥离强度可达到８５３．２ Ｐａ， 厚度为０．１～０．５ ｍ ｍ ， 最大... 研制出一种直接覆铜ＡｌＮ基板。先将ＡｌＮ 陶瓷基板作表面氧化处理， 然后在１ ０６３～１ ０７０℃下， 氮气氛中煅烧， 使铜箔直接焊敷在ＡｌＮ基板上。铜箔的剥离强度可达到８５３．２ Ｐａ， 厚度为０．１～０．５ ｍ ｍ ， 最大基板面积可达５０ ｍ ｍ ×５０ ｍ 展开更多

关键词 氮化铝陶瓷 覆铜基板 过渡层 表面处理

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电瓷材料介电性能的几个影响因素 被引量：3

17

作者 谢清云 黄世兰 《电瓷避雷器》 CAS 北大核心 1997年第4期11-14,共4页

讨论了气孔相，晶相及分布状况和玻璃相对电瓷材料介电性能的影响，认为影响电瓷材料介电强度的主要因素是材料在外加电场中，内部电场分布的均匀性。

关键词 电瓷材料 介电性能 相组成

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BN/TiB_2导电陶瓷的导电性与耐腐蚀性 被引量：5

18

作者 张国军 鲁默 《仪表材料》 CSCD 1990年第1期50-56,共7页

本文综合评述了 BN/TiB_2导电陶瓷的电阻率与组成及显微结构之间的关系.从材料的显微结构上解释了采用不同制造工艺的相同组分的导电陶瓷的电阻率相差甚远的原因.并对复合陶瓷耐熔融金属腐蚀性及抗化学药品性进行了介绍。

关键词 导电陶瓷 导电性 耐腐蚀性 电阻率

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Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3陶瓷的合成及性能

19

作者 刘宏 王矜奉 +1 位作者 王继扬 董火民 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第5期390-395,共6页

采用不同固相合成法对钙钛矿型Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）０．８Ｔｉ０．２陶瓷材料的合成过程进行了研究。ＸＤＲ结果表明，相同合成条件下，不同合成方法得到的陶瓷粉末钙钛矿含量不同，其中，传统固相合成法（ＰｂＯ＋ ＺｎＯ＋ ... 采用不同固相合成法对钙钛矿型Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）０．８Ｔｉ０．２陶瓷材料的合成过程进行了研究。ＸＤＲ结果表明，相同合成条件下，不同合成方法得到的陶瓷粉末钙钛矿含量不同，其中，传统固相合成法（ＰｂＯ＋ ＺｎＯ＋ Ｎｂ２Ｏ５＋ ＴｉＯ２）钙钛矿得率最低，简单先驱体合成法（ＰｂＯ＋ ＺＮ＋ ＴｉＯ２）钙钛矿得率较高，复合先驱体合成法（ＰｂＯ＋ ＺＮＴ）钙钛矿得率最高。先驱体合成法具有抑制Ｂ位复合钙钛矿固相合成过程中焦绿石相形成的作用。采用复合先驱体合成法以少量钛酸钡作为晶型稳定剂采用适当的合成工艺可以得到钙钛矿纯度大于９８％ Ｐｂ［（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）０．８Ｔｉ０．２］Ｏ３ 陶瓷粉末。其具有较宽的烧成温度范围，该陶瓷材料的居里温度为１９０ °Ｃ，具有较高的压电常数，且压电常数随烧结温度的提高而降低。用ＤＴＡ 对各合成方法的配合料进行了研究，发现，差热特征峰峰位与合成过程中焦绿石的出现和钙钛矿的合成温度有很好的对应关系。 展开更多

关键词 钙钛矿 合成 陶瓷 介电性能 压电性能

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云纹干涉法测量铁电陶瓷的离面位移

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作者 白辰阳 桂治轮 +1 位作者 李龙土 傅承诵 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1997年第6期427-430,共4页

文章采用反射式高灵敏度离面云纹干涉法测量了铁电陶瓷的离面位移。在铁电陶瓷上复制了每毫米１２００位相型闪耀光栅的试件栅；采用迈克尔逊干涉光路、全息干版照相、ＣＣＤ摄像机及其微机实时图像处理系统获取了试件表面的离面位移场... 文章采用反射式高灵敏度离面云纹干涉法测量了铁电陶瓷的离面位移。在铁电陶瓷上复制了每毫米１２００位相型闪耀光栅的试件栅；采用迈克尔逊干涉光路、全息干版照相、ＣＣＤ摄像机及其微机实时图像处理系统获取了试件表面的离面位移场的干涉条纹图。 展开更多

关键词 铁电陶瓷 电致伸缩 离面位移 云纹干涉法

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