SiC MOSFET热网络建模是预测、优化器件热行为以及实施有效热管理的重要基础。为解决现有Cauer热网络参数辨识误差较大的问题,提出了一种基于物理信息神经网络(PINN)的热网络参数辨识方法。根据器件物理结构及热边界层条件建立包含外部...SiC MOSFET热网络建模是预测、优化器件热行为以及实施有效热管理的重要基础。为解决现有Cauer热网络参数辨识误差较大的问题,提出了一种基于物理信息神经网络(PINN)的热网络参数辨识方法。根据器件物理结构及热边界层条件建立包含外部散热路径的Cauer热网络模型,并在分析热网络方程结构特点的基础上,设计了适用热网络不可观测节点和完整参数辨识的物理信息神经网络架构,提高了辨识结果的全局最优性与物理合理性。经Simulink与COMSOL有限元仿真验证,该参数辨识方法具有较高的准确性。展开更多
与硅金属氧化物半导体场效应管(silicon metal oxide semiconductor field effect transistor,SiMOSFET)相比,碳化硅(silicon carbide,SiC) MOSFET具有更高的击穿电压,更低的导通电阻,更快的开关速度和更高的工作温度,正被广泛应用于光...与硅金属氧化物半导体场效应管(silicon metal oxide semiconductor field effect transistor,SiMOSFET)相比,碳化硅(silicon carbide,SiC) MOSFET具有更高的击穿电压,更低的导通电阻,更快的开关速度和更高的工作温度,正被广泛应用于光伏逆变器、电动汽车和风力发电等领域,但是SiC MOSFET的高开关速度会导致器件开关过程中发生电流、电压过冲和振荡,不仅会增加器件的开关损耗,甚至会导致器件损坏。文中首先对SiC MOSFET的开关过程进行详细分析,得出器件开关过程中电流、电压过冲和振荡的产生机理,然后根据影响电流、电压过冲和振荡的关键因数,设计一款有源驱动电路。该电路能够在器件开关的特定阶段内同时增加驱动电阻阻值和减小栅极电流,从而抑制器件开关过程中的电流、电压过冲和振荡。实验结果表明,与传统驱动电路相比,所设计的有源驱动电路能够在不同驱动电阻、负载电流和SiC MOSFET条件下,均有效抑制器件的电流、电压过冲和振荡。展开更多
