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基于第一性原理计算的A位无序双层钙钛矿SrCaNiTeO_(6)的电磁性质
1
作者 李洪苹 张瑶明 +1 位作者 孙安 郭宝昌 《江苏大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第4期484-489,共6页
为探究A位无序对双层钙钛矿氧化物电磁性质的影响,采用第一性原理计算方法系统地研究了A位无序双层钙钛矿氧化物SrCaNiTeO_(6)的空间原子排布、磁耦合构型和电子结构.研究结果表明:在考虑A位Sr、Ca原子所有可能的排列情况所构建的3种不... 为探究A位无序对双层钙钛矿氧化物电磁性质的影响,采用第一性原理计算方法系统地研究了A位无序双层钙钛矿氧化物SrCaNiTeO_(6)的空间原子排布、磁耦合构型和电子结构.研究结果表明:在考虑A位Sr、Ca原子所有可能的排列情况所构建的3种不同原子排列结构中,该化合物的基态磁构型均为Ni离子之间的反铁磁耦合,且三者均为半导体,而B′位的Te离子是非磁性的,对化合物整体磁矩没有贡献;通过电子结构分析证实SrCaNiTeO_(6)的电荷组成为Sr^(2+)Ca^(2+)Ni^(2+)Te_(6)+O_(6)^(2-);虽然Sr和Ca之间存在A位离子无序现象,但是该化合物仍保持原有的空间群结构P2_(1)/n,且其电子结构不变. 展开更多
关键词 SrCaNiTeO 6 双层钙钛矿 晶体结构 第一性原理计算 半导体
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二硫化钴的制备研究进展
2
作者 汤春妮 《化学工程师》 2025年第8期76-79,共4页
过渡金属硫化物二硫化钴(CoS_(2))因理化性质独特、潜在应用好而受到广泛关注。本文梳理总结了CoS_(2)基材料的基本性质和制备方法,如水热法、微波辅助水热法、溶剂热法、模板法、熔融盐合成法、化学气相沉积法、电化学沉积法、声化学法... 过渡金属硫化物二硫化钴(CoS_(2))因理化性质独特、潜在应用好而受到广泛关注。本文梳理总结了CoS_(2)基材料的基本性质和制备方法,如水热法、微波辅助水热法、溶剂热法、模板法、熔融盐合成法、化学气相沉积法、电化学沉积法、声化学法等,并总结了各种制备方法的优缺点,以期为CoS_(2)的研究开发提供参考。 展开更多
关键词 CoS_(2) 制备 结构
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电力电缆半导电屏蔽料导电炭黑研究进展 被引量：6
3
作者 侯帅 何文 +4 位作者 展云鹏 傅明利 贾磊 罗鑫洪 洪浚轩 《中国电机工程学报》 北大核心 2025年第4期1632-1644,I0034,共14页
半导电屏蔽料是中高压电缆制造的关键原材料,其品质决定电压等级及电缆运行可靠性。导电填料作为半导电屏蔽料的重要组成成分,对其电性能、力学性能和表面光洁度等关键性能起决定性作用。导电炭黑(conductive carbon black,CCB)因其价... 半导电屏蔽料是中高压电缆制造的关键原材料,其品质决定电压等级及电缆运行可靠性。导电填料作为半导电屏蔽料的重要组成成分,对其电性能、力学性能和表面光洁度等关键性能起决定性作用。导电炭黑(conductive carbon black,CCB)因其价格低廉、易于加工等优点,是目前工业上生产中高压电缆半导电屏蔽料首选导电填料。该文系统阐述CCB的形成机理、结构特点和物理化学性质,分析CCB品质的主要影响因素,并对当前电缆半导电屏蔽料用CCB研究进展进行总结,并指出杂质控制和分散性提升将是未来CCB研究的重点。 展开更多
关键词 高压电缆 半导电屏蔽料 导电炭黑 体积电阻率
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Ar离子注入蓝宝石衬底诱导成核的高质量GaN外延
4
作者 安瑕 许晟瑞 +7 位作者 陶鸿昌 苏华科 杨赫 许钪 谢磊 贾敬宇 张进成 郝跃 《无机材料学报》 北大核心 2025年第1期91-96,共6页
氮化镓(Ga N)薄膜通常是在异质衬底上获得的,然而异质外延引入的高密度位错限制了其在高性能电子器件和光电器件中的发展。本研究采用Ar离子预处理蓝宝石衬底来实现诱导成核,显著降低了Ga N外延层中的位错密度。优化Ar离子的注入剂量发... 氮化镓(Ga N)薄膜通常是在异质衬底上获得的,然而异质外延引入的高密度位错限制了其在高性能电子器件和光电器件中的发展。本研究采用Ar离子预处理蓝宝石衬底来实现诱导成核,显著降低了Ga N外延层中的位错密度。优化Ar离子的注入剂量发现,当剂量为1×10^(11)cm^(-2)时,螺位错密度为5.26×10^(7)cm^(-2),刃位错密度为1.95×10^(8)cm^(-2),总位错密度比传统蓝宝石衬底上生长的Ga N降低了65%。光致发光(Photoluminescence,PL)测试结果表明,经过诱导成核的Ga N外延层的光学性能有所提高,与未注入的样品相比,PL强度最高提升了152%。本研究提出的Ar离子诱导成核技术是一种工艺简单、效果显著的方法,可以提高异质外延GaN层晶体质量,对实现高效率GaN基发光二极管(Light Emitting Diode,LED)和高性能电子器件具有重要意义。 展开更多
关键词 GAN 离子注入 诱导成核 外延
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基于双面布局的低寄生电感SiC功率模块
5
作者 马浩浩 杨媛 +2 位作者 郭孙毓 Santiago Cobreces 李言 《电工技术学报》 北大核心 2025年第16期5092-5105,共14页
碳化硅(SiC)功率模块的高开关速度导致其对寄生电感更加敏感,大的寄生电感使器件承受更大的电气应力,增加开关损耗。为降低模块寄生电感,该文提出一种双面布局SiC功率模块结构。该结构通过在直接覆铜陶瓷基板(DBC)上对称布置功率器件和... 碳化硅(SiC)功率模块的高开关速度导致其对寄生电感更加敏感,大的寄生电感使器件承受更大的电气应力,增加开关损耗。为降低模块寄生电感,该文提出一种双面布局SiC功率模块结构。该结构通过在直接覆铜陶瓷基板(DBC)上对称布置功率器件和功率端子,并利用穿孔实现三维电流流动,显著减少了空间占用和寄生电感,从而提升了模块的整体性能。此外,通过仿真和实验测试对该模块进行了系统分析,仿真结果显示,与传统二维键合线封装相比,双面布局结构将寄生电感降低了95%;实验测试进一步验证了该结构在动态特性方面的优势,与商用模块相比,该模块的电压超调减少了37%,开关损耗降低了14%。这些结果表明,双面布局结构在提高电气性能和优化开关特性方面具有显著优势。 展开更多
关键词 双面布局功率模块 功率模块封装设计 低寄生电感封装 碳化硅功率模块
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丝素蛋白/氯化钙复合忆阻器的性能调控及突触可塑性模拟
6
作者 谢玉龙 范苏娜 张耀鹏 《东华大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第1期15-21,共7页
神经形态计算的实现依赖于忆阻器等可以模拟生物突触行为的电子器件,从而使其拥有高度并行、低功耗的计算能力。丝素蛋白(SF)具有良好的生物相容性、可加工性和可调控的介电性能,在非易失性存储及仿生神经突触领域展现出巨大的潜力。然... 神经形态计算的实现依赖于忆阻器等可以模拟生物突触行为的电子器件,从而使其拥有高度并行、低功耗的计算能力。丝素蛋白(SF)具有良好的生物相容性、可加工性和可调控的介电性能,在非易失性存储及仿生神经突触领域展现出巨大的潜力。然而,目前SF基忆阻器仍面临开关电压大、稳定性差等问题,限制了其实际应用。采用SF与氯化钙进行复合,通过调控钙离子的掺杂浓度及SF的分子结构,构筑了忆阻性能可调的SF基复合忆阻器。结果表明:该忆阻器可在较低的开关电压下实现忆阻转变,具有典型的双极性电阻开关行为。此外,该复合忆阻器在50次循环周期内表现出良好的稳定性和可重复性,且高低阻态的保持时长均超过3000 s。在脉冲电压的作用下,SF复合忆阻器呈现出非线性电学特性,模拟了神经突触的短时和长时可塑性,为神经形态计算的发展提供了新的可能性。 展开更多
关键词 丝素蛋白 忆阻器 人工神经突触 突触可塑性
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基于第一性原理的二氧化铪内应力场特性仿真研究
7
作者 李琪春 丁曼 +1 位作者 刘鑫 戴超 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第8期908-918,共11页
在摩尔定律的持续推动下,半导体器件尺寸不断缩小,传统CMOS技术遭遇栅介质材料性能瓶颈,而纯二氧化铪(HfO_(2))的铁电相稳定性不足,难以满足高性能器件的需求。为了研究氧化铪铁电性能的改良方法,基于密度泛函理论(DFT),通过计算晶格参... 在摩尔定律的持续推动下,半导体器件尺寸不断缩小,传统CMOS技术遭遇栅介质材料性能瓶颈,而纯二氧化铪(HfO_(2))的铁电相稳定性不足,难以满足高性能器件的需求。为了研究氧化铪铁电性能的改良方法,基于密度泛函理论(DFT),通过计算晶格参数分析了硅(Si)、锆(Zr)、钇(Y)、铝(Al)、锶(Sr)、镧(La)等元素掺杂对HfO_(2)晶格畸变的影响,比较发现,Zr掺杂引起的晶格畸变最小。随后对Zr掺杂HfO_(2)的能带结构和电子结构展开分析,结果表明,Zr掺杂可以增大HfO_(2)材料的能带间隙,并通过计算弹性模量和内应力,表征了掺杂后HfO_(2)易于向正交相转变的趋势。此外,还针对温度和氧缺陷浓度对HfO_(2)正交相稳定性的影响开展了仿真,结果显示,高温下的单斜相氧化铪易于向正交相转变,而较高氧缺陷浓度不利于正交相的稳定。本研究不仅为开发基于HfO_(2)的新型铁电材料提供了参考,还为延续摩尔定律以及下一代高性能存储和逻辑器件的研发与应用提供理论依据。 展开更多
关键词 二氧化铪 铁电性 相变 第一性原理计算 元素掺杂
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基于半导体冷凝的开关柜水分子含量抑制
8
作者 王法 何军 +5 位作者 冯杰 马少强 郭磊 吴建东 谢东蔚 罗响 《电工技术》 2025年第2期155-159,166,共6页
电力系统中的高压开关柜受水分侵蚀后性能会下降并将导致柜内关键部件故障率升高,威胁到电力系统的可靠性。通过设计与优化半导体冷凝系统,并开展模拟除湿实验,研究了半导体冷凝除湿装置的除湿效果。实验采用聚乙烯薄膜搭建与现场开关... 电力系统中的高压开关柜受水分侵蚀后性能会下降并将导致柜内关键部件故障率升高,威胁到电力系统的可靠性。通过设计与优化半导体冷凝系统,并开展模拟除湿实验,研究了半导体冷凝除湿装置的除湿效果。实验采用聚乙烯薄膜搭建与现场开关柜尺寸相似的密闭空间。实验结果表明:半导体冷凝除湿装置的平均除湿速率高于0.25/h,改善散热条件能提高除湿效率。相比于传统电加热除湿,半导体冷凝除湿从源头上实现了开关柜的水分含量控制。 展开更多
关键词 高压开关柜 水分子含量控制 冷凝除湿 受潮抑制
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基于改进反向传播算法的特高压电抗器故障诊断方法研究
9
作者 施绮 顾春杰 +2 位作者 申昊天 朱佳蓓 吴建东 《电工技术》 2025年第13期208-212,共5页
针对传统反向传播神经网络算法在1000 kV特高压电抗器故障诊断中存在的训练速度慢和精度低的问题,基于17台投运特高压电抗器的7种特征气体运维参数,构建了大规模运维数据集,采用梯度裁剪、L2正则化技术和均方根传播算法,改进了传统反向... 针对传统反向传播神经网络算法在1000 kV特高压电抗器故障诊断中存在的训练速度慢和精度低的问题,基于17台投运特高压电抗器的7种特征气体运维参数,构建了大规模运维数据集,采用梯度裁剪、L2正则化技术和均方根传播算法,改进了传统反向传播神经网络。测试结果表明:训练输出的老化因子值与数据驱动法确定的预设目标值快速趋于一致,所需训练次数由传统5000减少至300,速度提高了约94%,平均损失值由0.0174下降至0.0044。将未参与训练设备的气体参数输入该模型后,输出的绝缘老化因子在设备故障前后呈现明显变化趋势,表明该模型能很好地评估特高压电抗器的绝缘状态。 展开更多
关键词 特高压电抗器 故障诊断 BP神经网络 RMSProp优化 L2正则化 梯度裁剪
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润湿特性对超级电容器储能性能影响
10
作者 杨创华 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第5期599-605,共7页
为解决超级电容器储能性能的优化难题,本研究深入探讨了电极材料的润湿特性对储能性能的影响。采用等离子体增强化学气相沉积技术,在Pt/Si基底上制备了石墨烯电极材料,并将其组装成超级电容器。通过拉曼光谱仪、伏安特性检测仪等设备,... 为解决超级电容器储能性能的优化难题,本研究深入探讨了电极材料的润湿特性对储能性能的影响。采用等离子体增强化学气相沉积技术,在Pt/Si基底上制备了石墨烯电极材料,并将其组装成超级电容器。通过拉曼光谱仪、伏安特性检测仪等设备,对在不同电解液渗流压力和不同沉积时间条件下制备的石墨烯电极材料及对应电容器性能进行系统测试。测试结果显示,随着电解液渗流压力的提高,石墨烯电极材料的润湿性增强,电容器的电流密度也随之提升。在沉积时间75 min、电解液渗流压力600 kPa的条件下,石墨烯电极材料的拉曼特征峰相对强度较高,SEM表征显示石墨烯分布均匀且结构优良,电解液浸润效果良好,电容器的双电层电容储能性能达到最优。研究证明,电极材料的润湿特性对超级电容器的储能性能具有重要影响,通过优化润湿特性可有效提升电容器的储能性能。 展开更多
关键词 润湿特性 超级电容器 储能性能 石墨烯 电极材料
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高强度烧结银的纳米晶制备和膏体研究
11
作者 李雨时 邓馨 +1 位作者 胡晓凯 闫海东 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第8期875-881,共7页
为满足碳化硅功率模块的高温封装需求,制备了双粒径分布银颗粒作为互连材料。该材料以硝酸银为前驱体,通过调控盐酸成核剂用量、反应温度和反应时间,实现了在微米级银颗粒表面原位生长纳米银颗粒的可控制备。通过调控有机物的种类与用... 为满足碳化硅功率模块的高温封装需求,制备了双粒径分布银颗粒作为互连材料。该材料以硝酸银为前驱体,通过调控盐酸成核剂用量、反应温度和反应时间,实现了在微米级银颗粒表面原位生长纳米银颗粒的可控制备。通过调控有机物的种类与用量制备微纳米银复合膏体,通过烧结实验对比,研究了银膏在银基板间的烧结特性和微连接性能。当银膏烧结温度为300℃时,剪切强度最大达到88 MPa,达到了碳化硅器件封装要求,并且断口形貌内存在大量韧窝,判断为韧性断裂。机理分析发现,相比较于传统的单一形貌的银颗粒,双粒径结构通过纳米颗粒与微米颗粒的协同作用可提升连接强度,表现出更好的性能,为碳化硅功率模块的银烧结工艺提供了新的技术参考。 展开更多
关键词 微纳米银 烧结 界面互连 剪切强度 银膏
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实现射线-光转换探测的氮化镓基半导体器件研究
12
作者 王方宝 周磊簜 +6 位作者 张斯龙 卢星 王建峰 赵乃哲 张囡 陈亮 欧阳晓平 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第10期51-57,共7页
氮化镓(GaN)材料具有优异的光电性能,可以兼顾半导体和闪烁体的工作模式,在辐射探测领域有广泛的应用潜力。制备了一种由高阻氮化镓衬底层和同质外延多量子阱层串联组合的转换器件,实现了高能辐射在高阻衬底部分激发的载流子通过电场输... 氮化镓(GaN)材料具有优异的光电性能,可以兼顾半导体和闪烁体的工作模式,在辐射探测领域有广泛的应用潜力。制备了一种由高阻氮化镓衬底层和同质外延多量子阱层串联组合的转换器件,实现了高能辐射在高阻衬底部分激发的载流子通过电场输运至多量子阱实现复合发光。实验表明,器件在工作模式下具有低的暗电流和对X射线灵敏的电学响应。在电场作用下,器件中多量子阱结构发光峰位于410 nm。发光强度随X射线剂量变化有明显提升。通过采集器件发光图像的方法直观验证了器件实现辐射到光信号的转换功能。 展开更多
关键词 GaN多量子阱 辐射-光转换 辐射测量 半导体探测器 闪烁体
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半导体光刻技术影响因素及发展趋势
13
作者 陈志辉 《光源与照明》 2025年第9期60-62,共3页
在当今科技水平的快速发展基础下,芯片集成度数的提高使器件尺寸不断缩小,其中,光刻技术的发展趋势呈现出越来越精密化的特点。目前,主流市场上应用的半导体光刻技术包括相移掩模(phase shift mask,PSM)技术、极紫外光刻技术和X射线曝... 在当今科技水平的快速发展基础下,芯片集成度数的提高使器件尺寸不断缩小,其中,光刻技术的发展趋势呈现出越来越精密化的特点。目前,主流市场上应用的半导体光刻技术包括相移掩模(phase shift mask,PSM)技术、极紫外光刻技术和X射线曝光技术,基于此,对当前国内外半导体光刻技术的影响因素及发展趋势展开分析,有助于为我国今后半导体光刻技术的发展提供必要的参考。 展开更多
关键词 半导体 光刻技术 PSM技术 极紫外光刻技术 X射线曝光技术
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锡掺杂二维卤化铅钙钛矿(PEA)_(2)PbBr_(4)的电学性能研究
14
作者 孙艺 刘淇铭 +2 位作者 王钟石 吴东旭 徐姣 《微纳电子技术》 2025年第7期31-37,共7页
在太阳能电池、忆阻器、场效应晶体管等多个领域,二维卤化铅钙钛矿在引入有机阳离子以隔绝湿气与氧气来提高材料稳定性的同时,也使得其导电性受到影响。另外,二维卤化铅钙钛矿中存在重金属有毒元素铅,会对环境和人体产生危害。研究认为... 在太阳能电池、忆阻器、场效应晶体管等多个领域,二维卤化铅钙钛矿在引入有机阳离子以隔绝湿气与氧气来提高材料稳定性的同时,也使得其导电性受到影响。另外,二维卤化铅钙钛矿中存在重金属有毒元素铅,会对环境和人体产生危害。研究认为B位掺杂是解决晶体毒性问题和提高光电性能的主要途径。Pb^(2+)具有非常稳定的空间结构,掺杂元素很难进行取代,所以B位掺杂是一个技术难题。通过原位掺杂的方法在二维卤化铅钙钛矿(PEA)_(2)PbBr_(4)中掺杂锡,以掺杂后的(PEA)_(2)PbBr_(4)作为半导体层制备场效应晶体管。该晶体管为p型,相较于未掺杂的器件,其在光照下表现出更为显著的场效应。 展开更多
关键词 二维钙钛矿 掺杂 电学性能 (PEA)_(2)PbBr_(4) SnBr_(2)
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氧化锌材料在光能转换领域的应用进展
15
作者 杨志伟 曹元勋 《山东工业技术》 2025年第1期41-47,共7页
氧化锌(ZnO)作为一种重要的金属氧化物半导体,在光能转换领域发挥着不可替代的作用。在光催化方面,氧化锌表现出优异的活性,可作为催化剂辅助光能用于水分解和有机废水处理。在光伏领域,氧化锌可作为透明电极材料应用于太阳能电池、发... 氧化锌(ZnO)作为一种重要的金属氧化物半导体,在光能转换领域发挥着不可替代的作用。在光催化方面,氧化锌表现出优异的活性,可作为催化剂辅助光能用于水分解和有机废水处理。在光伏领域,氧化锌可作为透明电极材料应用于太阳能电池、发光二极管和触摸屏等领域,未来的研究工作可以集中在开发新的制备技术来提高透射率和降低电阻,研究柔性透明电极材料和可持续的制备方法。总体来说,氧化锌在光催化和光伏领域表现出广泛的商业化应用潜力。 展开更多
关键词 氧化锌 光催化 光伏 光电子材料
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低维有机-无机杂化金属卤化物光电材料的研究进展
16
作者 陈祥宇 苗珍珍 +4 位作者 许利刚 武光宝 刘壮 吕文珍 陈润锋 《无机化学学报》 北大核心 2025年第11期2201-2217,共17页
有机-无机杂化金属卤化物因其光电特性可调、荧光量子产率高以及易于制备等特点引起了研究者的广泛关注。通过选择不同的有机阳离子模板剂可以得到结构、维度多变且性能优异的有机-无机杂化金属卤化物。近年来,尤其是关于低维有机-无机... 有机-无机杂化金属卤化物因其光电特性可调、荧光量子产率高以及易于制备等特点引起了研究者的广泛关注。通过选择不同的有机阳离子模板剂可以得到结构、维度多变且性能优异的有机-无机杂化金属卤化物。近年来,尤其是关于低维有机-无机杂化金属卤化物光电材料的研究取得了显著进展。本文深入分析了此类材料的晶体结构、合成方法,归纳了其光学性能、发光特性和机理,总结了低维有机-无机杂化金属卤化物在白光发光二极管(WLEDs)、X射线探测器、传感器、太阳能电池等方面的应用现状。最后,分析了该类材料当前存在的问题,并对其未来发展进行了展望,旨在为低维有机-无机杂化金属卤化物的研究与进一步发展提供参考。 展开更多
关键词 低维材料 金属卤化物 合成方法 光电性质 光电器件
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掺杂改性的氧化锡电子传输层在钙钛矿太阳能电池中研究进展
17
作者 华鹏程 李柯欣 +1 位作者 陈果 曹进 《复合材料学报》 北大核心 2025年第2期617-632,共16页
自从制备出第一件钙钛矿太阳能电池器件以来,钙钛矿太阳能电池的光电转换效率已从3.8%飞跃至26.1%,是下一代商用太阳能电池的有力竞争者。近十年来,SnO_(2)因其适宜的能带结构、较好的电子传输性能、简单的制备工艺及良好的化学稳定性成... 自从制备出第一件钙钛矿太阳能电池器件以来,钙钛矿太阳能电池的光电转换效率已从3.8%飞跃至26.1%,是下一代商用太阳能电池的有力竞争者。近十年来,SnO_(2)因其适宜的能带结构、较好的电子传输性能、简单的制备工艺及良好的化学稳定性成为n-i-p型钙钛矿太阳能电池电子传输层材料的首选。虽然SnO_(2)电子传输层优点众多,但还存在电子传输性能较差、传输层与钙钛矿层之间能级偏移、界面缺陷造成光生载流子大量损失及成膜性能较差容易出现针孔等问题。鉴于此,本文总结了上述问题形成的主要原因,并通过金属离子掺杂、卤素离子掺杂、有机分子掺杂、纳米颗粒掺杂等不同溶液掺杂工艺研究结果的分析,阐明了不同掺杂工艺在解决溶液法制备的SnO_(2)薄膜缺陷及在钙钛矿电池器件中应用的优点与缺点,并针对钙钛矿器件掺杂SnO_(2)传输层性能优化做出展望。 展开更多
关键词 SnO_(2) 钙钛矿太阳能电池 掺杂工程 界面缺陷 能级排列
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α-In_(2)Se_(3)铁电沟道场效应晶体管及其突触性能
18
作者 胡辰 彭松昂 《中山大学学报(自然科学版)(中英文)》 北大核心 2025年第3期103-108,共6页
利用机械剥离法制备α-In_(2)Se_(3)二维铁电材料,通过原子力显微镜分析样品的结构特征,并通过电子束光刻制备以α-In_(2)Se_(3)作为沟道的铁电沟道场效应晶体管。研究发现:通过在顶栅电极施加正负脉冲可以有效激励α-In_(2)Se_(3)面外... 利用机械剥离法制备α-In_(2)Se_(3)二维铁电材料,通过原子力显微镜分析样品的结构特征,并通过电子束光刻制备以α-In_(2)Se_(3)作为沟道的铁电沟道场效应晶体管。研究发现:通过在顶栅电极施加正负脉冲可以有效激励α-In_(2)Se_(3)面外极化,表现出增强和抑制的短程可塑性。并且,随着栅极电压脉冲积累,α-In_(2)Se_(3)面外极化特性会使得沟道铁电极化加强,对应的突触电流也会随之增加,从而实现由短程可塑性向长程可塑性的转变。此外,不同脉幅的激励信号可以调整长时程增强特性,展现了器件应用于复杂突触学习行为的可行性。 展开更多
关键词 机械剥离法 α-In_(2)Se_(3)二维铁电材料 面外极化 铁电沟道场效应晶体管 突触晶体管
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一种低寄生参数高功率密度GaN半桥模块研究 被引量：1
19
作者 廖志凌 桂久衡 +1 位作者 王华佳 陈兆岭 《电力电子技术》 2024年第8期121-124,共4页
针对高频环境下寄生参数引起氮化镓(GaN)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关损耗大的问题,提出一种基于GaN开关器件的半桥电路集成方案。该方案的实现基于寄生参数较低的高功率密度GaN半桥模块(GS66516T),通过有限元分析提取寄... 针对高频环境下寄生参数引起氮化镓(GaN)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关损耗大的问题,提出一种基于GaN开关器件的半桥电路集成方案。该方案的实现基于寄生参数较低的高功率密度GaN半桥模块(GS66516T),通过有限元分析提取寄生参数联合电气模型参数仿真分析,从而实现驱动电路和功率环路的优化设计。最后,研制一台4kW两相交错并联降压变换器原理样机,并搭建双脉冲测试(DPT)平台用于分析测试实验中寄生参数对开关过程的影响。实验结果表明,该样机可实现功率密度536.19 W/in^(3),峰值效率97.65%,并具有较好的动态开关特性。 展开更多
关键词 半桥模块 寄生参数 双脉冲测试
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自旋-轨道耦合对双层钙钛矿Ba_(2)CoOsO_(6)电磁性质的影响 被引量：1
20
作者 李洪苹 孙安 +1 位作者 张瑶明 郭宝昌 《江苏大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2024年第6期739-744,共6页
采用第一性原理计算方法,研究了双层钙钛矿氧化物Ba_(2)CoOsO_(6)的晶体结构、电子结构及自旋-轨道耦合作用(SOC)对其电磁性质的影响,并分析电子结构和自旋-轨道耦合作用对其宏观物理性质的影响.结果表明:Ba_(2)CoOsO_(6)为反铁磁窄带... 采用第一性原理计算方法,研究了双层钙钛矿氧化物Ba_(2)CoOsO_(6)的晶体结构、电子结构及自旋-轨道耦合作用(SOC)对其电磁性质的影响,并分析电子结构和自旋-轨道耦合作用对其宏观物理性质的影响.结果表明:Ba_(2)CoOsO_(6)为反铁磁窄带隙半导体,存在Os1/Co1反位缺陷;电子结构的分析结果证实了Ba_(2)CoOsO_(6)的电荷分布为Ba_(2)^(2+)Co^(2+)Os^(6+)O_(6)^(2-),确定了2价Co离子和6价Os离子的存在;SOC的存在减小了Co离子和Os离子的自旋磁矩,同时减小了带隙;根据第一性原理计算结果可知,自旋-轨道耦合作用对电子结构和电磁性质的影响不可忽视,相较于其他方法,该方法计算值与试验分析结果更接近,也验证了理论计算的准确性. 展开更多
关键词 Ba_(2)CoOsO_(6) 双层钙钛矿 自旋-轨道耦合 第一性原理计算 反铁磁耦合 半导体
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