电极对PZT铁电薄膜性能的影响 被引量：10

1

作者 王培英 余大年 +3 位作者 刘梅冬 曾亦可 饶韫华 李楚容 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第1期54-58,共5页

用溶胶－凝胶法制备ＰＺＴ铁电薄膜。以Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ为底电极，Ａｕ为上电极，形成金属－铁电薄膜－金属结构的铁电电容器。研究电极对ＰＺＴ铁电薄膜结构和电性能的影响，实验发现，金属Ｔｉ的厚度会影响ＰＺＴ铁电薄膜... 用溶胶－凝胶法制备ＰＺＴ铁电薄膜。以Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ为底电极，Ａｕ为上电极，形成金属－铁电薄膜－金属结构的铁电电容器。研究电极对ＰＺＴ铁电薄膜结构和电性能的影响，实验发现，金属Ｔｉ的厚度会影响ＰＺＴ铁电薄膜的结构。界面层的存在使介电系数、自发极化、矫顽电压、漏电流都与薄膜的厚度有关。 展开更多

关键词 铁电薄膜 PZT铁电薄膜 界面 电滞回线 电极

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MF(I)S结构设计对硅基铁电薄膜系统C-V特性的影响 被引量：5

2

作者 于军 董晓敏 +4 位作者 赵建洪 周文利 谢基凡 郑远开 刘刚 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期613-617,共5页

为制备符合铁电场效应晶体管（ Ｆ Ｆ Ｅ Ｔ） 及铁电存储二极管（ Ｆ Ｍ Ｄ） 要求的高质量铁电薄膜，采用 Ｐ Ｌ Ｄ （ Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 工艺， 制备了不同 Ｍ Ｆ （ Ｉ） Ｓ 结构的硅基铁电薄膜... 为制备符合铁电场效应晶体管（ Ｆ Ｆ Ｅ Ｔ） 及铁电存储二极管（ Ｆ Ｍ Ｄ） 要求的高质量铁电薄膜，采用 Ｐ Ｌ Ｄ （ Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 工艺， 制备了不同 Ｍ Ｆ （ Ｉ） Ｓ 结构的硅基铁电薄膜系统由 Ｃ－ Ｖ特性的对比分析可见， 影响 Ｃ－ Ｖ 特性的主要因素除了衬底类型、界面特性之外， 还有薄膜的结构设计在此基础上， 为改善铁电薄膜的 Ｃ－ Ｖ 展开更多

关键词 铁电薄膜 C-V特性 PLD法 二极管 存储器

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弛豫型铁电单晶Pb(Mg(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-PbTiO_(3)电畴结构与铁电性能的关系 被引量：4

3

作者 许桂生 罗豪甦 +2 位作者 齐振一 徐海清 殷之文 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期560-565,共6页

弛豫型铁电单晶Pb(Mg1 /3 Nb2 /3)O3_PbTiO3[PMNT]的电畴结构与铁电性能随组分变化 :由纯PMN至PMNT6 7/33晶体 ,晶体铁电性能由弛豫型铁电体向正常铁电体方向转变 ,电畴结构由微畴—不规则宏畴—规则宏畴演化 ,压电性能逐步增强 .电畴... 弛豫型铁电单晶Pb(Mg1 /3 Nb2 /3)O3_PbTiO3[PMNT]的电畴结构与铁电性能随组分变化 :由纯PMN至PMNT6 7/33晶体 ,晶体铁电性能由弛豫型铁电体向正常铁电体方向转变 ,电畴结构由微畴—不规则宏畴—规则宏畴演化 ,压电性能逐步增强 .电畴类型的转化也可由电场和温度诱导 .三方相PMNT晶体 (0 0 1)与 (111)切型晶片在极化后仍维持多畴态 ,它们在压电性能上的差异可从畴壁运动与两相共存方面获得解释 .尽管受晶体组分与结构起伏的影响 ,电畴分布的不均匀性在退火与极化前后始终存在 ,但晶体生长后期的退火处理与极化条件的改善对调节电畴结构、提高压电性能仍有一定效应 . 展开更多

关键词 铌镁酸铅-钛酸铅 铁电晶体 电畴结构 铁电性能 布里奇曼法

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铌酸锶钡铁电陶瓷的介电弛豫行为 被引量：7

4

作者 樊慧庆 张良莹 姚熹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期357-362,共6页

铌酸锶钡Sr1－xBaxNb2O6（0．25＜x＜075）陶瓷固溶体是典型的钨青铜结构弛豫型铁电体，其介电行为与钙钛矿结构弛豫型铁电体的介电行为极为相似，即射频介电温谱呈现弥散的居里温区.通过对Sr1－xBaxNb2O6（x＝0．4、0.5、06）在─170～... 铌酸锶钡Sr1－xBaxNb2O6（0．25＜x＜075）陶瓷固溶体是典型的钨青铜结构弛豫型铁电体，其介电行为与钙钛矿结构弛豫型铁电体的介电行为极为相似，即射频介电温谱呈现弥散的居里温区.通过对Sr1－xBaxNb2O6（x＝0．4、0.5、06）在─170～＋400℃的介电温谱进行详细测定；与其热释电测量结果进行对比，发现它们在低温区的介电响应存在一个不同于钙钛矿结构弛豫型铁电体的弛豫过程，高于居里温区的介电响应很好地符合居里-外斯定律．结合钨青铜结构铁电体存在无公度相的特征，初步探讨了钨青铜结构弛豫型铁电体中局域极化的产生、增大和凝聚特点． 展开更多

关键词 弛豫型 铁电体 铌酸锶钡陶瓷 介电弛豫 铁电陶瓷

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低温烧结Ph(Zn_(1/3)Nb_(2/3)O_3基复相陶瓷中的两相共存与介电性能 被引量：4

5

作者 岳振星 王晓莉 +1 位作者 张良莹 姚熹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期189-194,共6页

分别采用氟化物和硼硅玻璃为助烧剂制备了低温烧结PZN基复相陶瓷，并借助介电温度特性研究了复相陶瓷中的两相共存与助烧剂的关系．结果表明，添加剂引入的晶格缺陷对复相陶瓷中的两相共存有显著影响,LiF助烧剂因引起晶格氧空位促进两... 分别采用氟化物和硼硅玻璃为助烧剂制备了低温烧结PZN基复相陶瓷，并借助介电温度特性研究了复相陶瓷中的两相共存与助烧剂的关系．结果表明，添加剂引入的晶格缺陷对复相陶瓷中的两相共存有显著影响,LiF助烧剂因引起晶格氧空位促进两相固溶化，而MgF2和硼硅玻璃助烧的PZN复相陶瓷可保持两相共存．以硼硅玻璃为助烧剂获得了低温烧结、具有X7R温度稳定特性的PZN基复相陶瓷． 展开更多

关键词 铌锌酸铅 弛豫铁电体 介电性 铁电体 复合陶瓷

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掺镁铌酸锂晶体的光学均匀性和抗光伤性研究 被引量：4

6

作者 唐连安 朱泉宝 +2 位作者 王锦昌 周燕飞 谭浩然 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期415-418,共4页

研究了不同Ｌｉ／Ｎｂ克分子比、掺镁铌酸锂（ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ_３）晶体的光学均匀性和抗光伤特性．以二元同成分配比为基础，掺入约５ｍｏｌ％ＭｇＯ的ＬｉＮｂＯ_３晶体显示出高的抗光损伤特性，但光学均匀性较差．根据ＭｇＯ－Ｌ... 研究了不同Ｌｉ／Ｎｂ克分子比、掺镁铌酸锂（ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ_３）晶体的光学均匀性和抗光伤特性．以二元同成分配比为基础，掺入约５ｍｏｌ％ＭｇＯ的ＬｉＮｂＯ_３晶体显示出高的抗光损伤特性，但光学均匀性较差．根据ＭｇＯ－Ｌｉ_２Ｏ－Ｎｂ_２Ｏ_５三元相关系研究寻找到的三元同成分配比，生长出的ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ_３晶体具有优良的光学均匀性，但其抗光伤能力低．发现当配料组成为Ｌｉ／Ｎｂ＝４７．８／５２．２，而ＭｇＯ的掺入量为５．７ｍｏｌ％时，晶体既具有良好的光学均匀性，也有较好的抗光伤性． 展开更多

关键词 掺镁 铌酸锂 单晶 光学均匀性 铁电材料

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67 Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-33PbTiO_3单晶90°铁电畴光学研究 被引量：4

7

作者 李东林 王评初 +1 位作者 罗豪甦 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期678-684,共7页

采用偏光显微镜观察了６７Ｐｂ（Ｍｇ_（１／３）Ｎｂ_（２／３））Ｏ_３－３３ＰｂＴｉＯ_３固溶体铁电单晶在室温时 ９０°铁电畴结构．铁电畴结构与晶体质量有关，在正交偏光显微镜下光学透明晶体中存在着尺 寸为２～３ｍｍ的均... 采用偏光显微镜观察了６７Ｐｂ（Ｍｇ_（１／３）Ｎｂ_（２／３））Ｏ_３－３３ＰｂＴｉＯ_３固溶体铁电单晶在室温时 ９０°铁电畴结构．铁电畴结构与晶体质量有关，在正交偏光显微镜下光学透明晶体中存在着尺 寸为２～３ｍｍ的均匀大畴，不同极化方向的大畴重叠形成雾状区，使晶体表现出光学质量宏观 不均匀．在光学质量差的雾状晶体中则存在着 ０．１ｍｍ宽的｛１１０｝型带状孪生畴，使晶体形成 表面浮凸，带状畴内还存在着９０°亚畴．并对这些畴的形成作了讨论． 展开更多

关键词 弛预铁电体 铁电畴 固溶体 钛酸铅 二氧化铅

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PZT铁电薄膜的掺杂改性 被引量：4

8

作者 王培英 余大年 +2 位作者 刘梅冬 曾亦可 饶韫华 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第2期111-114,共4页

用溶胶－凝胶方法制备了掺高价离子钇及过量Ｐｂ的ＰＺＴ铁电薄膜。探讨了添加剂对ＰＺＴ铁电薄膜的结构和电特性的影响。实验表明，过量ｒ（Ｐｂ）６％或掺高价离子ｒ（Ｙ）３％能较大地改善ＰＺＴ铁电薄膜的电性能。

关键词 溶胶-凝胶 掺杂 疲劳 PZT铁电薄膜 铁电材料

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铅基弛豫型铁电体钙钛矿结构的稳定性 被引量：4

9

作者 李振荣 王晓莉 +1 位作者 张良莹 姚熹 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期135-139,共5页

铅基弛豫型铁电体研究中遇到的普遍问题是难制成纯钙钛矿相的材料，在制备过程中常伴有焦绿石相的出现。以ＰＭＮ、ＰＺＮ为对象，从热力学、动力学和结晶化学的角度分析了铅基弛豫型铁电体钙钛矿结构的稳定性及合成过程中焦绿石相产生... 铅基弛豫型铁电体研究中遇到的普遍问题是难制成纯钙钛矿相的材料，在制备过程中常伴有焦绿石相的出现。以ＰＭＮ、ＰＺＮ为对象，从热力学、动力学和结晶化学的角度分析了铅基弛豫型铁电体钙钛矿结构的稳定性及合成过程中焦绿石相产生的原因，介绍了抑制焦绿石相产生的措施。 展开更多

关键词 铅基弛豫型 铁电体 钙钛矿相 焦绿石相

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溶胶凝胶法制备掺铅钛酸钡纳米晶及其结构相变 被引量：3

10

作者 范仰才 蒋力立 +2 位作者 唐新桂 周歧发 张进修 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期797-801,共5页

采用溶胶－凝胶工艺制备了不同晶粒大小的、掺铅（５ｍｏｌ％）钛酸钡（ＢＰＴ）纳米晶．用ＴＥＭ、ＸＲＤ和ＤＳＣ研究了ＢＰＴ样品的晶粒大小、结构及其相变特性．结果表明，纳米晶ＢＰＴ随着晶粒尺寸的减小，由铁电四方相向顺电立方... 采用溶胶－凝胶工艺制备了不同晶粒大小的、掺铅（５ｍｏｌ％）钛酸钡（ＢＰＴ）纳米晶．用ＴＥＭ、ＸＲＤ和ＤＳＣ研究了ＢＰＴ样品的晶粒大小、结构及其相变特性．结果表明，纳米晶ＢＰＴ随着晶粒尺寸的减小，由铁电四方相向顺电立方相过度，并且相变变得弥散．其顺电－铁电相变随着晶粒尺寸的减小而消失．另一方面，随着晶粒尺寸的增加，其铁电四方－铁电正交相交消失，即抑制了其正交相的形成． 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 纳米晶 结构相变 铅钛酸钡 铁电体

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BaO—TiO_2—SiO_2玻璃陶瓷的介电、压电和热电性 被引量：3

11

作者 张沛霖 赵焕绥 +2 位作者 钟维烈 丁振亚 孙诗兵 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1991年第3期32-35,共4页

用在温度梯度场中析晶的方法制备了BaO—TiO_2—SiO_2系统的极性玻璃陶瓷。研究了它们的介电常数,热电系数,厚度伸缩振动机电耦合系数及其温度依赖性。研究表明,这些陶瓷可望成为一类重要的压电和热电材料。

关键词 玻璃陶瓷 介电 压电 热释电

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退火处理对Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3基陶瓷介电性能的影响 被引量：3

12

作者 岳振星 夏峰 +1 位作者 王晓莉 姚熹 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期125-129,共5页

研究了退火处理对Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３基陶瓷介电性能的影响。结果表明，退火热处理显著提高了ＰＺＮ基陶瓷相变温度附近的介电常数，并使相变扩散因子降低。借助显微结构和介电分析探讨了可能原因，认为热处理对介电性能... 研究了退火处理对Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３基陶瓷介电性能的影响。结果表明，退火热处理显著提高了ＰＺＮ基陶瓷相变温度附近的介电常数，并使相变扩散因子降低。借助显微结构和介电分析探讨了可能原因，认为热处理对介电性能的影响可能与晶界玻璃相的消除、晶粒内部微区状态的改变及应力消除等因素有关。 展开更多

关键词 弛豫铁电体 铌锌酸铅 退火处理 介电性能 铁电体

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组份变化对PZST陶瓷反铁电-铁电相变的影响 被引量：4

13

作者 杨同青 姚熹 张良莹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期807-814,共8页

对ＦＥ－ＡＦＥ相界附近ＰＺＳＴ陶瓷结构、性能及场诱相变临界参数随组份和温度的变化进行了研究，在相变临界温度ＴＦＥ－ＡＦＥ以下，被电场诱导出的铁电态在撤去电场后以亚稳态形式存在；随着温度升高，亚稳铁电态在此温度转变为反... 对ＦＥ－ＡＦＥ相界附近ＰＺＳＴ陶瓷结构、性能及场诱相变临界参数随组份和温度的变化进行了研究，在相变临界温度ＴＦＥ－ＡＦＥ以下，被电场诱导出的铁电态在撤去电场后以亚稳态形式存在；随着温度升高，亚稳铁电态在此温度转变为反铁电态．随着Ｔｉ含量的增加，样品由四方反铁电相穿越相界转变为三方铁电相，介电常数峰值ｍａｘ增大；同时亚稳铁电态→反铁电态相变温度ＴＦＥ－ＡＦＥ上升，电场诱导的 ＡＦＥ→ＦＥ相变临界参数 ＥＡＦＥ－ＦＥ、ＢＦＥ－ＡＦＥ减小．实验中发现ＥＡＦＥ－ＦＥ和Ｅ分别与ＴＦＥ－ＡＦＥ和Ｔｃ相关，随着ＴＥＦ－ＡＦＥ的升高和Ｔｃ的降低，ＥＡＦＥ－ＦＥ和Ｅ相应减小． 展开更多

关键词 反铁电 电场诱导相变 PZST陶瓷 铁电相变

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PNN-PT弛豫铁电陶瓷钙钛矿结构的形成及其介电性能 被引量：5

14

作者 张勇 桂治轮 李龙土 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第1期41-44,共4页

研究了０．７５ＰＮＮ－０．２５ＰＴ弛豫铁电陶瓷钙钛矿结构的形成及其介电性能，结果表明，通过添加过量镍可以有效抑制焦绿石相的生成，获得单相钙钛矿结构，从而获得优异的介电性能。

关键词 铌镍酸铅 弛豫铁电体 钙钛矿结构 铁电体

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退火处理对铅基弛豫型铁电体介电、压电性能的影响 被引量：6

15

作者 夏峰 姚熹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期180-184,共5页

铅基弛豫型铁电体的峰值介电常数和压电性能在退火后有较大提高．在PMN－PT陶瓷中，k_p由58％提高到66％，峰值介电常数由30900提高到37200，d_(33)达到530pC／N.在PZN－PT－BT陶瓷中，k_p由35％提高到51％，峰值介电常数km由11400提高... 铅基弛豫型铁电体的峰值介电常数和压电性能在退火后有较大提高．在PMN－PT陶瓷中，k_p由58％提高到66％，峰值介电常数由30900提高到37200，d_(33)达到530pC／N.在PZN－PT－BT陶瓷中，k_p由35％提高到51％，峰值介电常数km由11400提高到29000，d_(33)由347PC／N提高到624pC／N． 展开更多

关键词 退火处理 驰豫型 铁电体 介电性能 压电性能

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多层结构铁电薄膜的I-V特性性能的研究 被引量：2

16

作者 李兴教 黄新堂 +5 位作者 赵建洪 郑远开 董晓敏 李再光 王新兵 李少平 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1997年第6期398-404,共7页

为ＦＲＡＭ、ＦＦＥＴ和ＦＤＭ的实际应用研究，提出了多层结构铁电薄膜的设计思想，实际制备了Ｍ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ三种结构铁电薄膜，并测量了它们的Ｉ－Ｖ特... 为ＦＲＡＭ、ＦＦＥＴ和ＦＤＭ的实际应用研究，提出了多层结构铁电薄膜的设计思想，实际制备了Ｍ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ三种结构铁电薄膜，并测量了它们的Ｉ－Ｖ特性曲线。结果表明，夹层结构铁电薄膜Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ漏电流密度Ｊ最小，在５００ｎｍ厚时Ｊ＋（＋３Ｖ）约２．８×１０－１０Ａ／ｍｍ２，Ｊ－（－３Ｖ）约１．２×１０－１２Ａ／ｍｍ２优于单层和双层结构铁电薄膜的结果。 展开更多

关键词 多层铁电薄膜 PLD方法 I-V特性曲线 铁电体

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Y和YF_3掺杂钛酸钡系PTCR材料的结构及性能 被引量：2

17

作者 黄传勇 唐子龙 张中太 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期691-696,共6页

在不同烧结气氛下制备了Ｙ和ＹＦ_３掺杂钛酸钡材料，借助于ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＸＲＦ和阻温测试分析仪，研究了烧结气氛对Ｙ和ＹＦ_３掺杂钛酸钡材料结构和性能的影响．研究结果表明，低氧分压气氛可促进Ｙ和ＹＦ_３掺杂钛酸钡材料的烧... 在不同烧结气氛下制备了Ｙ和ＹＦ_３掺杂钛酸钡材料，借助于ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＸＲＦ和阻温测试分析仪，研究了烧结气氛对Ｙ和ＹＦ_３掺杂钛酸钡材料结构和性能的影响．研究结果表明，低氧分压气氛可促进Ｙ和ＹＦ_３掺杂钛酸钡材料的烧结，晶粒长大，而且这二种掺杂钛酸钡材料都是ｎ型半导体．经过氩气气氛烧结的Ｙ掺杂钛酸钡材料ＰＴＣＲ效应较弱；而对在氩气气氛中烧结的０．３ｍｏｌ％ＹＦ_３掺杂钛酸钡材料却观察到了较好的ＰＴＣＲ效应，这种效应的产生可能与Ｆ元素取代Ｏ位而导致材料的价控半导有关． 展开更多

关键词 钛酸钡 PTCR效应 烧结 结构 铁电陶瓷 掺杂 钇

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Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3的介电、弹性、压电和热电性质 被引量：2

18

作者 张沛霖 王渊旭 +5 位作者 赵明磊 张磊 罗豪苏 徐海青 齐振一 殷之文 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期68-71,共4页

研究了准同型相界附近组分的Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ＰｂＴｉＯ３铁电晶体〈００１〉方向的介电、弹性、压电和热电性质。室温时压电应变常数ｄ３３约为８００ｐＣ／Ｎ。在２００Ｋ～３６０Ｋ的温度范围内，机电耦合系数ｋ... 研究了准同型相界附近组分的Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ＰｂＴｉＯ３铁电晶体〈００１〉方向的介电、弹性、压电和热电性质。室温时压电应变常数ｄ３３约为８００ｐＣ／Ｎ。在２００Ｋ～３６０Ｋ的温度范围内，机电耦合系数ｋｔ约为０．５３，近似为一常数。而压电应力常数ｅ３３和热释电系数ｐ３随着温度的上升而单调地增大，弹性刚度常数ｃＤ３３却逐渐减小。其铁电相变的弥散性程度很高，介电临界指数γ为１．８８。 展开更多

关键词 铁电晶体 弥散性铁电相变 压电性

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铌镁酸铅弛豫型铁电陶瓷的介电老化行为研究 被引量：2

19

作者 樊慧庆 张立同 +1 位作者 张良莹 姚熹 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 1999年第6期8-12,共5页

通过典型弛豫型铁电陶瓷铌镁酸铅介电老化行为的研究，发现高温区的Ｄｅｂｙｅ 型弛豫过程与介电老化现象存在有机联系，指出复合钙钛矿弛豫型铁电体的结构缺陷特征对其介电老化起着重要作用。介电极化行为与老化行为对比分析和恒温经... 通过典型弛豫型铁电陶瓷铌镁酸铅介电老化行为的研究，发现高温区的Ｄｅｂｙｅ 型弛豫过程与介电老化现象存在有机联系，指出复合钙钛矿弛豫型铁电体的结构缺陷特征对其介电老化起着重要作用。介电极化行为与老化行为对比分析和恒温经时老化研究表明，结构缺陷上的局域化电子和空穴对铁电微畴畴壁“钉扎”效应产生弛豫型铁电体介电老化行为的快过程。 展开更多

关键词 弛豫型 铁电陶瓷 铌镁酸铅 介电老化 缺陷

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铌镁酸铅—钛酸铅系陶瓷多晶相界附近的压电、介电特性 被引量：2

20

作者 夏峰 张良莹 姚熹 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期550-552,共3页

在多晶相界（MPB）附近，PMN－PT体系的压电系数d33达到367pC·N-1,平面机电耦合系数kp达到46％

关键词 铌镁酸铅 钛酸铅 多晶相界 压电性能 驰豫铁电体

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