基于绝缘体上硅(Silicon On Insulator,SOI)工艺的静电驱动微镜普遍存在工艺步骤复杂、制造成本高及设计自由度受限等挑战。为此,提出一种基于硅-玻璃键合(Spin On Glass,SOG)不等高工艺的小型化MEMS静电驱动微镜。该设计采用双层掩膜...基于绝缘体上硅(Silicon On Insulator,SOI)工艺的静电驱动微镜普遍存在工艺步骤复杂、制造成本高及设计自由度受限等挑战。为此,提出一种基于硅-玻璃键合(Spin On Glass,SOG)不等高工艺的小型化MEMS静电驱动微镜。该设计采用双层掩膜与分步刻蚀技术,制备出具有高度差的垂直梳齿结构,实现了有效的垂直方向静电驱动。所研制的微镜芯片尺寸仅为1.7 mm×1.7 mm,反射镜面直径为0.82 mm,厚度为450μm,结构紧凑且工艺兼容性好。实验测试表明,在10 V驱动电压下,微镜可实现0.52°的机械偏转角,响应时间约为14 ms。所采用的硅-玻璃键合不等高工艺在显著简化制造流程、降低生产成本的同时,仍能保证器件性能,为严格限制功耗与尺寸的光通信系统提供了一种高效的技术方案。展开更多
文摘基于绝缘体上硅(Silicon On Insulator,SOI)工艺的静电驱动微镜普遍存在工艺步骤复杂、制造成本高及设计自由度受限等挑战。为此,提出一种基于硅-玻璃键合(Spin On Glass,SOG)不等高工艺的小型化MEMS静电驱动微镜。该设计采用双层掩膜与分步刻蚀技术,制备出具有高度差的垂直梳齿结构,实现了有效的垂直方向静电驱动。所研制的微镜芯片尺寸仅为1.7 mm×1.7 mm,反射镜面直径为0.82 mm,厚度为450μm,结构紧凑且工艺兼容性好。实验测试表明,在10 V驱动电压下,微镜可实现0.52°的机械偏转角,响应时间约为14 ms。所采用的硅-玻璃键合不等高工艺在显著简化制造流程、降低生产成本的同时,仍能保证器件性能,为严格限制功耗与尺寸的光通信系统提供了一种高效的技术方案。
