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镍钛合金心血管支架的电化学抛光工艺 被引量：1
1
作者 王雅丽 李志永 +2 位作者 张威 于亚洲 柴明霞 《电镀与涂饰》 北大核心 2025年第2期30-35,共6页
[目的]选择性激光熔化(SLM)技术制备的镍钛合金组件表面品质往往较差,表面常附着一些部分熔化的粉末,应进行适当的表面处理。[方法]采用氯化钠-乙二醇电解液对选区激光熔化制备的镍钛合金心血管支架进行电化学抛光。研究了电压、温度和... [目的]选择性激光熔化(SLM)技术制备的镍钛合金组件表面品质往往较差,表面常附着一些部分熔化的粉末,应进行适当的表面处理。[方法]采用氯化钠-乙二醇电解液对选区激光熔化制备的镍钛合金心血管支架进行电化学抛光。研究了电压、温度和抛光时间对镍钛合金心血管支架表面粗糙度的影响。分析了较佳条件下电化学抛光后心血管支架的表面形貌、化学成分和表面润湿性。[结果]较佳的电化学抛光参数为:电压25 V,温度28℃,时间25 min。在该条件下电化学抛光后,NiTi合金支架表面变得光滑均匀,表面粗糙度Sa低至0.31μm,水接触角增大到103.5°,即疏水性提升。[结论]电化学抛光能够显著提高以SLM工艺制备的镍钛合金心血管支架的表面品质,提高其生物兼容性。 展开更多
关键词 镍钛合金 心血管支架 电化学抛光 表面粗糙度 形貌 疏水性
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高速水基两相流对SLMCoCrMo燃油喷嘴微细复杂流道的光整研究
2
作者 边娟鸽 王百川 +3 位作者 王超 张超 米天健 郝娟 《电镀与精饰》 北大核心 2025年第5期120-127,共8页
随着SLM CoCrMo燃油喷嘴在航空航天等领域的应用需求不断提升,化学、电化学、磨粒流、磨料水射流等目前常见抛光方法对消除燃油喷嘴内流道表面缺陷均存在较大局限性,因此改善SLM CoCrMo燃油喷嘴微细复杂内流道的表面质量是目前亟待解决... 随着SLM CoCrMo燃油喷嘴在航空航天等领域的应用需求不断提升,化学、电化学、磨粒流、磨料水射流等目前常见抛光方法对消除燃油喷嘴内流道表面缺陷均存在较大局限性,因此改善SLM CoCrMo燃油喷嘴微细复杂内流道的表面质量是目前亟待解决的关键问题之一。本文基于高速水基磨粒两相流抛光方法,选用碳化硅作为磨粒材料制备低黏水基抛光介质,在不同的抛光压力条件下对SLM燃油喷嘴二维试样内流道进行光整处理。采用扫描电子显微镜、激光共聚焦扫描显微镜、流体动力特性检测平台、洛氏硬度计等检测手段对比分析抛光前后内流道表面微观形貌、表面粗糙度、尺寸精度、流量及洛氏硬度。结果表明,高速水基磨粒两相流可显著去除SLM燃油喷嘴内流道表面的黏粉、台阶等缺陷,口径尺寸精度均在合理范围内。随着抛光压力由2 MPa增大至3.5 MPa,流道壁面由部分去除到基本完全去除,最终转变为明显子弹流状的过磨痕迹,流道表面粗糙度、洛氏硬度均呈现先减小后增大的变化趋势。当抛光压力为2.5 MPa时,抛光后的流道表面粗糙度达到最小值1.415μm(原始9.090μm),流道口径扩大尺寸控制精度较好,去除速率由0.0127 mm/min增大至0.0143 mm/min,喷嘴流量由原始12.47 kg/h增加至21.47 kg/h,流道表面洛氏硬度由原始27.4 HRC提升至32.6 HRC,内流道表面光整效果达到最佳。 展开更多
关键词 高速水基磨粒两相流 抛光压力 表面粗糙度 去除速率
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聚乙烯醇对单晶硅精抛的影响
3
作者 王雪洁 王辰伟 +4 位作者 罗翀 周建伟 陈志博 杨啸 刘德正 《润滑与密封》 北大核心 2025年第4期144-150,共7页
针对单晶硅精抛后存在沾污等缺陷,目前采用的高分子聚合物添加剂存在泡沫多或是大幅度影响去除速率等问题,选取高分子聚合物聚乙烯醇(polyvinyl alcohol,PVA)作为抛光液添加剂。在SiO_(2)磨料质量分数为0.5%且抛光液pH为10.5的条件下,... 针对单晶硅精抛后存在沾污等缺陷,目前采用的高分子聚合物添加剂存在泡沫多或是大幅度影响去除速率等问题,选取高分子聚合物聚乙烯醇(polyvinyl alcohol,PVA)作为抛光液添加剂。在SiO_(2)磨料质量分数为0.5%且抛光液pH为10.5的条件下,研究不同质量分数的PVA对单晶硅(Si)精抛的影响,并通过拉曼光谱、XPS分析PVA的吸附方式及其作用机制。大颗粒粒度仪、接触角测量仪以及AFM和SEM分析结果表明,单晶硅精抛光液中加入PVA可以提高抛光液的润湿性,降低硅表面的颗粒沾污,提高抛光后的表面质量;拉曼光谱、XPS表征结果表明,抛光液中加入PVA会生成更多的Si-OH,保护了Si表面,减少了Si表面的颗粒数量,改善了硅表面的表面质量;在单晶硅精抛光液中加入PVA,可以满足集成电路单晶硅CMP精抛的去除速率的要求,并且能够大幅降低硅表面的颗粒沾污;当PVA质量分数为0.15%时,单晶硅精抛的去除速率为210 nm/min且抛光后的表面颗粒数量下降95%以上,具有较好的表面质量(Sq=0.326 nm)。 展开更多
关键词 单晶硅 化学机械抛光 颗粒沾污 表面质量 去除速率
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椰油酰胺丙基甜菜碱对多晶硅栅极化学机械平坦化的影响
4
作者 刘德正 周建伟 +5 位作者 罗翀 王辰伟 王雪洁 张国林 田雨暄 孙纪元 《润滑与密封》 北大核心 2025年第5期150-157,共8页
为提高多晶硅化学机械抛光(CMP)过程中对SiO_(2)和Si_(3)N_(4)的去除速率选择比,通过抛光实验、接触角分析、XPS光电子能谱分析和AFM测试等手段,分析了椰油酰胺丙基甜菜碱(CAB)对多晶硅CMP的影响。结果表明:CAB的加入降低了抛光过程中... 为提高多晶硅化学机械抛光(CMP)过程中对SiO_(2)和Si_(3)N_(4)的去除速率选择比,通过抛光实验、接触角分析、XPS光电子能谱分析和AFM测试等手段,分析了椰油酰胺丙基甜菜碱(CAB)对多晶硅CMP的影响。结果表明:CAB的加入降低了抛光过程中的温度和摩擦力;当CAB质量分数为0.03%时,多晶硅去除速率降低至151.5 nm/min,降幅约为15.8%,但CAB提高了抛光液的润湿性,使多晶硅CMP后的表面粗糙度降至0.93 nm;在碱性条件下,由于多晶硅、二氧化硅、氮化硅表面ζ电位的差异,CAB通过氢键优先吸附在SiO_(2)和Si_(3)N_(4)表面,从而将二者的去除速率抑制至1 nm/min左右,此时多晶硅对SiO_(2)和Si_(3)N_(4)的去除速率选择比均达到120∶1以上,满足了实际生产要求。 展开更多
关键词 椰油酰胺丙基甜菜碱 多晶硅 二氧化硅 氮化硅 化学机械抛光 选择比
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脂肪醇聚氧乙烯醚对铝栅CMP中铝和多晶硅去除速率选择比的影响
5
作者 曹钰伟 王胜利 +5 位作者 罗翀 王辰伟 张国林 梁斌 杨云点 盛媛慧 《润滑与密封》 北大核心 2025年第4期73-79,共7页
为了提高高K金属栅结构(HKMG)化学机械拋光(CMP)中铝和多晶硅去除速率选择比,研究酸性环境下(pH=5)非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO9)对铝和多晶硅去除速率选择比的影响,并探究其作用机制。研究发现,AEO9质量分数为0.01%时,铝和... 为了提高高K金属栅结构(HKMG)化学机械拋光(CMP)中铝和多晶硅去除速率选择比,研究酸性环境下(pH=5)非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO9)对铝和多晶硅去除速率选择比的影响,并探究其作用机制。研究发现,AEO9质量分数为0.01%时,铝和多晶硅的速率选择比最高,达到了3.8,并且改善了铝和多晶硅的CMP后的表面质量,表面粗糙度分别为0.756、0.324 nm。电化学、XPS、接触角、表面张力表征结果表明,表面活性剂AEO9可以在被抛材料Al和多晶硅晶圆表面形成致密的吸附膜,从而通过影响抛光中的机械摩擦作用和化学作用,使抛光材料去除速率减小,并减小了Al和多晶硅晶圆表面的粗糙度。 展开更多
关键词 高K金属栅结构 化学机械拋光 脂肪醇聚氧乙烯醚 去除速率 多晶硅
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镍基高温合金微小孔重熔层化学抛光去除工艺
6
作者 白宇 郭策 +2 位作者 李秀红 胡傅俟 苏文豪 《电镀与涂饰》 北大核心 2025年第4期63-68,共6页
[目的]针对镍基高温合金Inconel 625电火花加工微小孔产生的重熔层缺陷,采用氢氟酸-硝酸混合液进行化学抛光试验。[方法]研究了氢氟酸与硝酸的体积比和抛光时间对试件质量损失率和孔壁粗糙度下降率的影响。分析了较优条件下化学抛光前... [目的]针对镍基高温合金Inconel 625电火花加工微小孔产生的重熔层缺陷,采用氢氟酸-硝酸混合液进行化学抛光试验。[方法]研究了氢氟酸与硝酸的体积比和抛光时间对试件质量损失率和孔壁粗糙度下降率的影响。分析了较优条件下化学抛光前后孔壁各部位的表面形貌、轮廓及元素成分。[结果]当氢氟酸与硝酸的体积比为1∶6时,化学抛光90 min后试件的质量损失率为0.56%,孔壁表面粗糙度下降率达到64.11%,孔壁重熔层被有效去除,表面品质显著提升。[结论]化学抛光能够有效去除镍基高温合金电火花加工微小孔的重熔层,改善孔壁表面品质,适用于复杂曲面和深孔的表面处理。 展开更多
关键词 镍基高温合金 化学抛光 电火花加工 重熔层 微小孔 表面品质
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航空发动机叶片的增强电化学抛光试验研究与工艺参数优化
7
作者 潘娜 邓娟 +4 位作者 李湉 程鑫 李欣 龙阅文 辛彬 《机床与液压》 北大核心 2025年第21期113-120,共8页
针对航空发动机叶片这类多组分材料对高精度和低表面粗糙度的要求,传统接触式加工方法易引起变形,且受砂轮或砂带压紧轮直径的限制,难以达到最终要求。为此,提出一种航空发动机叶片非接触式增强电化学抛光工艺方法。在脉冲电压大于300 ... 针对航空发动机叶片这类多组分材料对高精度和低表面粗糙度的要求,传统接触式加工方法易引起变形,且受砂轮或砂带压紧轮直径的限制,难以达到最终要求。为此,提出一种航空发动机叶片非接触式增强电化学抛光工艺方法。在脉冲电压大于300 V的水基工作液介质中,阳极叶片表面材料因强化学反应而剥离,实现叶片的全局一致性抛光。以高温合金GH2787叶片为试验材料,通过中心组合设计试验方法,探讨极间电压、脉冲宽度和脉冲间隔对抛光过程中材料去除率和表面粗糙度的影响。通过响应曲面法(RSM)建立材料去除率和表面粗糙度的二阶关系模型,方差分析结果表明该模型具有很好的拟合程度和适应性。为进一步研究实际加工条件对工艺参数的限制,以提高材料去除效率和降低表面粗糙度为目标,建立工艺参数优化模型,并采用带精英策略的非支配排序遗传算法进行求解。结果表明:在最优解条件下,材料去除率和表面粗糙度的试验值与经过优化的理论最优值之间的平均相对误差分别为5.03%、4.97%,表明该算法能够有效优化叶片形工件加工过程中的工艺参数。 展开更多
关键词 增强电化学抛光 航空发动机叶片 材料去除率 表面粗糙度 遗传算法
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碳化硅晶圆化学机械抛光工艺优化
8
作者 李萍 张宝玉 《电镀与涂饰》 北大核心 2025年第3期127-132,共6页
[目的]化学机械抛光(CMP)技术广泛应用于半导体制造的多个环节,是实现晶圆表面平坦化的关键步骤,而工艺参数显著影响着CMP效果。[方法]通过正交试验研究了压力、抛光盘转速、磨料粒径及抛光液pH对SiC晶圆抛光时材料去除速率和表面粗糙... [目的]化学机械抛光(CMP)技术广泛应用于半导体制造的多个环节,是实现晶圆表面平坦化的关键步骤,而工艺参数显著影响着CMP效果。[方法]通过正交试验研究了压力、抛光盘转速、磨料粒径及抛光液pH对SiC晶圆抛光时材料去除速率和表面粗糙度的影响。[结果]当在压力400 N、抛光盘转速80 r/min、磨料粒径550 nm、pH 10的条件下抛光时,SiC晶圆Si面和C面的材料去除速率最大,分别为3.85μm/h和4.00μm/h,表面粗糙度也较小,Ra分别为0.165 nm和0.171 nm。[结论]工艺参数是影响材料化学机械抛光效果的重要因素,应合理控制,以实现晶圆表面高效率和高品质的抛光效果。 展开更多
关键词 碳化硅晶圆 化学机械抛光 材料去除速率 表面粗糙度
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等离子体电化学抛光参数对GH2787变形高温合金的影响分析
9
作者 李欣 潘娜 +3 位作者 邓娟 程鑫 蒋玉平 辛彬 《新技术新工艺》 2025年第2期37-43,共7页
通过对GH2787合金材料表面进行等离子体电化学抛光试验,分别利用光学显微镜、X射线衍射仪(XRD)和电化学极化曲线测量技术对其表面形貌、相结构、残余应力和耐蚀性进行了表征。结果发现:在电解液浓度ω=5%、加热温度T=80℃、抛光时间t=5 ... 通过对GH2787合金材料表面进行等离子体电化学抛光试验,分别利用光学显微镜、X射线衍射仪(XRD)和电化学极化曲线测量技术对其表面形貌、相结构、残余应力和耐蚀性进行了表征。结果发现:在电解液浓度ω=5%、加热温度T=80℃、抛光时间t=5 min、电压U=260、280和300 V条件下,等离子体电化学抛光可快速将表面粗糙度Ra从530 nm降低至63.8 nm,基体表面未产生新的物相,并且残余应力、近表面硬度与初始状态相当,基体耐蚀性提高。该抛光方法为表面改性提供了良好基础,分析了电压对抛光效果和基体材质的影响:电压较低时,对材料去除速率较慢,升高至300 V时,基体材料吸氢增加且腐蚀速率未进一步提升。本试验采用的最佳抛光参数:U=280 V,ω=5%,T=80℃,t=5 min。 展开更多
关键词 等离子体电化学抛光 表面粗糙度 氢含量 变形高温合金 抛光参数 耐蚀性
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氧化剂含量对硬质合金化学机械抛光性能的影响
10
作者 王奔 徐仁杰 +2 位作者 印文典 宋畅 张棋 《金刚石与磨料磨具工程》 北大核心 2025年第6期752-758,共7页
为探究氧化剂含量在硬质合金化学机械抛光(CMP)中的作用机制及其对抛光性能的影响,以过氧化氢(H_(2)O_(2))为氧化剂,探究不同氧化剂含量下硬质合金表面的腐蚀行为并分析其作用机制;通过CMP试验,探究不同氧化剂含量下硬质合金CMP时的材... 为探究氧化剂含量在硬质合金化学机械抛光(CMP)中的作用机制及其对抛光性能的影响,以过氧化氢(H_(2)O_(2))为氧化剂,探究不同氧化剂含量下硬质合金表面的腐蚀行为并分析其作用机制;通过CMP试验,探究不同氧化剂含量下硬质合金CMP时的材料去除率和表面质量变化。结果表明:在YG8硬质合金CMP过程中,氧化剂会使其中的黏结相Co溶解,其溶解量随着氧化剂含量的增加而增加,且硬质相WC随之裸露;当氧化剂质量分数在0~30%时,氧化剂含量增加会提升硬质合金CMP的材料去除率,并获得更好的表面质量;在氧化剂质量分数为30%时,材料去除率为160.38 nm/min,较未添加氧化剂时的提升了484%;材料表面粗糙度为19.00 nm,较未添加氧化剂时的降低了50%。同时,当氧化剂质量分数在0~30%时,增加氧化剂含量有利于硬质合金表面加速形成质地软而疏松的氧化层,提升其CMP时的材料去除率和表面质量。 展开更多
关键词 YG8硬质合金 过氧化氢 氧化剂含量 化学机械抛光 材料去除率 表面粗糙度
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高温氧化316L不锈钢电解抛光工艺
11
作者 张硕 梁潇 +5 位作者 束春慧 朱晴晴 赵雪同 燕爱林 王振卫 汪玉 《电镀与涂饰》 北大核心 2025年第2期20-29,共10页
[目的]不锈钢在高温烧结后表面会形成致密的灰黑色氧化膜,影响后续加工及使用,因此需要采取措施去除该氧化膜。[方法]对高温氧化后的316L不锈钢先进行浸蚀和酸洗处理,再电解抛光。通过正交试验和单因素实验优化了酸洗液的配方和工艺条... [目的]不锈钢在高温烧结后表面会形成致密的灰黑色氧化膜,影响后续加工及使用,因此需要采取措施去除该氧化膜。[方法]对高温氧化后的316L不锈钢先进行浸蚀和酸洗处理,再电解抛光。通过正交试验和单因素实验优化了酸洗液的配方和工艺条件。重点研究了电解抛光过程中电流密度和抛光时间对316L不锈钢表面粗糙度和耐蚀性的影响。对比了不同工序处理后316L不锈钢的表面轮廓和微观形貌变化。[结果]较佳的酸洗配方和工艺条件为:盐酸220 mL/L,硫酸70 mL/L,金属盐X 60 g/L,温度70℃,时间6 min。电解抛光的较佳工艺条件为:电流密度50 A/dm^(2),抛光时间85 s。在此条件下处理后,316L不锈钢的表面粗糙度Ra降至0.3262μm,表面均匀平滑,耐蚀性显著提升。[结论]通过浸蚀和酸洗前处理再电解抛光,可有效去除高温氧化316L不锈钢表面的氧化膜,降低表面粗糙度,并显著提高其耐蚀性。 展开更多
关键词 不锈钢 高温氧化 表面处理 酸洗 电解抛光 耐腐蚀性能
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草酸对钨膜化学机械抛光性能的影响
12
作者 李丁杰 周建伟 +4 位作者 罗翀 孙纪元 刘德正 杨云点 冯鹏 《润滑与密封》 北大核心 2025年第5期109-114,135,共7页
在钨(W)化学机械抛光(CMP)过程中,虽然加入过多的硝酸铁可以提高钨的去除速率,但会引入较多的Fe^(3+),可能对器件性能产生不利影响。选择成本低并且对环境友好的草酸作为钨抛光液中的络合剂,研究草酸对CMP过程中钨去除速率和表面质量的... 在钨(W)化学机械抛光(CMP)过程中,虽然加入过多的硝酸铁可以提高钨的去除速率,但会引入较多的Fe^(3+),可能对器件性能产生不利影响。选择成本低并且对环境友好的草酸作为钨抛光液中的络合剂,研究草酸对CMP过程中钨去除速率和表面质量的影响。结合电化学实验、X射线光电子能谱(XPS)和密度泛函理论(DFT),揭示草酸在CMP中的作用机制。结果表明:抛光速率随草酸质量分数的增加先增大后减小,当草酸质量分数为0.04%时抛光速率最大。这可能是由于草酸质量分数较小时,草酸与Fe^(3+)的络合反应较弱,而与WO_(3)的溶解反应较强;草酸浓度较高时,草酸与Fe^(3+)的络合反应增强,而与WO_(3)的溶解反应减弱。当加入质量分数0.04%的草酸时,钨的去除速率显著提高。 展开更多
关键词 化学机械抛光 钨去除速率 表面质量 草酸 硝酸铁
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不同粒径氧化铈磨料对K9玻璃化学机械平坦化性能的影响
13
作者 姜峰 钱善华 +2 位作者 屈克松 卞达 倪自丰 《中国表面工程》 北大核心 2025年第5期107-118,共12页
氧化铈(CeO_(2))磨料广泛应用于光学玻璃的表面平坦化加工,其粒径尺寸对玻璃去除速率和表面质量有着至关重要的影响。现针对K9玻璃的高去除速率和高表面质量要求,研究五种不同粒径CeO_(2)磨料在单一及混合使用条件下对K9玻璃化学机械抛... 氧化铈(CeO_(2))磨料广泛应用于光学玻璃的表面平坦化加工,其粒径尺寸对玻璃去除速率和表面质量有着至关重要的影响。现针对K9玻璃的高去除速率和高表面质量要求,研究五种不同粒径CeO_(2)磨料在单一及混合使用条件下对K9玻璃化学机械抛光(CMP)性能的影响。采用H_(2)O_(2)处理CeO_(2)抛光液来对材料的总去除速率进行量化分解,并结合XPS表征分析,揭示不同粒径CeO_(2)磨料的去除机制。结果表明,随着单一CeO_(2)磨料粒径的增大,K9玻璃的去除速率经历了先增大后减小的变化,抛光后的表面粗糙度经历了先减小后增大的变化,并在粒径50 nm和300 nm时分别获得较高的材料去除速率(99.53 nm/min)和较低的表面粗糙度(1.27 nm)。同时,粒径50 nm与300 nm的混合CeO_(2)磨料显著提高K9玻璃的去除速率,当二者的质量比为1∶2时,K9玻璃获得了良好的去除速率(121.72 nm/min)和良好的表面粗糙度(1.24 nm)。CeO_(2)磨料的机械磨削作用与其粒径呈正相关,而化学活性则与粒径呈负相关。CeO_(2)磨料化学机械协同作用是材料去除的主要方式,混合磨料体系结合了小粒径磨料化学作用强和大粒径磨料磨削作用强的优势,提升了K9玻璃的抛光性能,其研究结果将为K9玻璃等光学材料光整加工的抛光液研发提供较好的参考。 展开更多
关键词 K9玻璃 氧化铈 粒径 去除速率 表面粗糙度
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去除速率理论模型在化学机械抛光中的研究进展
14
作者 李佳辉 牛新环 +4 位作者 李鑫杰 何潮 董常鑫 胡槟 武峥 《应用化工》 北大核心 2025年第10期2686-2692,共7页
化学机械抛光(CMP)是实现全局及局部平坦化最有效的方法之一,对提高芯片良率和器件性能起着非常重要的作用。综述了CMP中关于材料去除速率(MRR)的理论模型的发展历程,涵盖了从早期基于物理的模型到基于CMP工艺参数的模型,而数据驱动方... 化学机械抛光(CMP)是实现全局及局部平坦化最有效的方法之一,对提高芯片良率和器件性能起着非常重要的作用。综述了CMP中关于材料去除速率(MRR)的理论模型的发展历程,涵盖了从早期基于物理的模型到基于CMP工艺参数的模型,而数据驱动方法在材料去除速率预测中的应用也得到了广泛研究。最后对CMP的MRR预测随算法的进一步优化和计算能力增强的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 化学机械抛光 材料去除速率 模型 机器学习
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SMA对氧化铈悬浮性能的影响和机理研究
15
作者 陈宇 边雪 +2 位作者 杨明君 李艳平 吴文远 《中国稀土学报》 北大核心 2025年第6期1330-1339,共10页
为了研究苯乙烯-马来酸酐共聚物(SMA)对氧化铈抛光液悬浮性能的影响及机制,本文通过对沉降率、粒度分布及偏光显微镜下粒子的分散状态的测试,探究SMA添加量和pH值对悬浮性能的影响,测试结果表明,分散剂添加量为3%,pH=5,氧化铈颗粒的沉... 为了研究苯乙烯-马来酸酐共聚物(SMA)对氧化铈抛光液悬浮性能的影响及机制,本文通过对沉降率、粒度分布及偏光显微镜下粒子的分散状态的测试,探究SMA添加量和pH值对悬浮性能的影响,测试结果表明,分散剂添加量为3%,pH=5,氧化铈颗粒的沉降率最小,为30%,最小的粘度值和粗端粒径分别为473 mPa·s,16.08μm。通过对悬浮液Zeta电位、电导率、粘度、粗端粒径、XPS及FT-IR等测试手段,探究SMA对氧化铈悬浮液的作用机理,结果表明:SMA对氧化铈的分散机理为静电位阻稳定机制(静电排斥和空间位阻稳定机制)。 展开更多
关键词 氧化铈 悬浮性 SMA PH
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OLED柔性屏印痕改善验证及叠层设计
16
作者 乐其河 郭峰 +1 位作者 缪骋 陈梅玲 《液晶与显示》 北大核心 2025年第7期976-982,共7页
OLED柔性屏因超薄、高对比度及优异的色彩表现,已成为移动终端显示技术的核心发展方向。然而,其组装过程中易因外力作用产生“印痕”缺陷,直接影响产品良率与用户体验。本文以柔性手表为例,系统分析了两种典型印痕(FPC边缘拉扯型与器件... OLED柔性屏因超薄、高对比度及优异的色彩表现,已成为移动终端显示技术的核心发展方向。然而,其组装过程中易因外力作用产生“印痕”缺陷,直接影响产品良率与用户体验。本文以柔性手表为例,系统分析了两种典型印痕(FPC边缘拉扯型与器件压应力型)的成因,并通过两轮实验验证了不同材料、叠层结构及泡棉组合对印痕的抑制效果。实验结果表明,采用更硬质材料(如PET替换PI)、优化叠层顺序(硬质材料靠近受力点)、增强NFC基材厚度与覆盖膜设计,可显著提升抗印痕能力。提出的叠层优化方案使印痕压力阈值最高提升128%,为柔性屏工业化设计提供了理论依据。 展开更多
关键词 OLED柔性屏 印痕 叠层设计 抗压性能
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电解抛光技术研究进展 被引量：43
17
作者 张素银 杜凯 +2 位作者 谌加军 詹勇军 曾体贤 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 2007年第2期48-50,53,共4页
介绍了电解抛光技术的研究现状﹑特点及抛光原理,分析了工件表面粗糙度的主要影响因素。指出了电解抛光技术存在的问题。
关键词 电解抛光 原理 粗糙度 影响因素
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纳米粒子材料的表面改性及其应用研究进展 被引量：44
18
作者 张心亚 沈慧芳 +2 位作者 黄洪 蓝仁华 陈焕钦 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期58-63,共6页
在简单介绍纳米粒子团聚原因的基础上,着重讨论了纳米粒子表面物理和化学改性方法的研究进展。最后,介绍了改性纳米粒子在涂料、塑料、橡胶以及其它领域中的一些最新应用。
关键词 纳米粒子 表面改性 应用
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化学机械抛光技术的研究进展 被引量：59
19
作者 雷红 雒建斌 张朝辉 《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2003年第6期494-502,共9页
化学机械抛光(chemicalmechanicalpolishing,简称CMP)技术几乎是迄今惟一的可以提供全局平面化的表面精加工技术,可广泛用于集成电路芯片、计算机硬磁盘、微型机械系统(MEMS)、光学玻璃等表面的平整化.该文综述了CMP技术的研究现状,指出... 化学机械抛光(chemicalmechanicalpolishing,简称CMP)技术几乎是迄今惟一的可以提供全局平面化的表面精加工技术,可广泛用于集成电路芯片、计算机硬磁盘、微型机械系统(MEMS)、光学玻璃等表面的平整化.该文综述了CMP技术的研究现状,指出了CMP急待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望. 展开更多
关键词 表面微加工 化学机械抛光 平整化 研究进展 微电子制造 集成电路芯片 计算机硬磁盘
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铜及铜合金化学抛光及钝化的研究 被引量：47
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作者 郭贤烙 肖鑫 +1 位作者 易翔 钟萍 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期35-36,39,共3页
研究了铜及铜合金化学抛光液及其钝化液的组成和工艺参数 ,讨论了抛光液各组分和抛光温度、时间、搅拌方式等工艺条件的影响。
关键词 铜合金 铜 化学抛光 钝化
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