热壁CVD制备工艺对8英寸SiC外延层厚度均匀性的影响

1

作者 鹿润林 郑丽丽 +2 位作者 张辉 王人松 胡动力 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第9期1509-1524,共16页

本文针对典型8英寸热壁卧式SiC外延生长系统建立了考虑衬底转动、Si-C-Cl-H体系反应机理和多物理过程热质输运的数学模型,并用于三维数值仿真模拟研究。此外,本文特别研究了不同衬底表面平均温度、进气流量、进气Si/H_(2)比对外延层生... 本文针对典型8英寸热壁卧式SiC外延生长系统建立了考虑衬底转动、Si-C-Cl-H体系反应机理和多物理过程热质输运的数学模型,并用于三维数值仿真模拟研究。此外,本文特别研究了不同衬底表面平均温度、进气流量、进气Si/H_(2)比对外延层生长速率和厚度均匀性的影响。结果表明:衬底转动提高了衬底表面温度分布均匀性,SiC瞬时生长速率主要受表面附近生长组分浓度影响;外延层厚度均匀性主要受SiC瞬时生长速率沿流动方向的分布影响,衬底前缘和后缘的瞬时生长速率须相互补偿以提高厚度均匀性;提高衬底表面平均温度、降低进气流量和降低进气Si/H_(2)比均导致瞬时生长速率沿流动方向的分布由上凸向下凸转变,衬底表面实际生长速率的分布从边缘低中间高逐渐过渡为边缘高中间低;所考察的参数范围内进气流量对瞬时生长速率分布影响最大。 展开更多

关键词 碳化硅 外延生长 化学气相沉积 热-质输运 数学模型

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多晶碘化汞膜的PVD法制备及其光电特性 被引量：6

2

作者 雷平水 史伟民 +3 位作者 徐菁 葛艳辉 邱永华 潘美军 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期493-495,498,共4页

　用改进的热壁物理气相沉积(HWPVD)装置制备出晶体质量较好的多晶HgI2膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试和电容频率特性测试... 　用改进的热壁物理气相沉积(HWPVD)装置制备出晶体质量较好的多晶HgI2膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试和电容频率特性测试。结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高,结构完整性好,均匀性好,并且其相应器件有低的暗电流(电场0.2V/μm时,暗电流为25pA/mm2)和较小的电容(约1pF),可用于实际应用。 展开更多

关键词 多晶 碘化汞 物理气相沉积 探测器

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ZnO纳米杆的生长和发光特性研究 被引量：5

3

作者 梁会琴 田玉 刘照军 《信阳师范学院学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2007年第4期462-464,471,共4页

用简单的真空热蒸发纯Zn粉工艺,在顺逆气流不同的情况下,直接在硅片上生长出比较定向的单晶ZnO纳米杆阵列.用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、高分辨透射电镜(HRTEM)和室温光致发光谱(PL),研究了ZnO样品的... 用简单的真空热蒸发纯Zn粉工艺,在顺逆气流不同的情况下,直接在硅片上生长出比较定向的单晶ZnO纳米杆阵列.用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、高分辨透射电镜(HRTEM)和室温光致发光谱(PL),研究了ZnO样品的结构、形貌和光学性质.结果表明:ZnO纳米杆为具有六方纤锌矿的单晶结构,纳米杆沿着[0001]的方向生长,顺气流时顶部为完整六边形,逆气流时顶部为六棱锥.这种顶部形貌的不同,是由于顺逆气流对应不同的锌蒸汽压而引起的.光致发光谱表明制备的ZnO纳米杆具有较好的绿光光学性能. 展开更多

关键词 氧化锌 纳米杆 定向性 晶体生长 发光特性

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大尺寸硒化镉单晶生长及性能表征 被引量：5

4

作者 张颖武 练小正 程红娟 《天津科技大学学报》 CAS 北大核心 2015年第6期34-37,共4页

硒化镉(CdSe)是一种光学和电学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料.以硫化镉(CdS)晶片作为籽晶,采用物理气相传输(PVT)法生长出大尺寸CdSe单晶,并对其晶体结构和光学性能进行了表征.EDS和Raman测试显示,在晶体生长初期形成了CdSe_xS_(1-x),随... 硒化镉(CdSe)是一种光学和电学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料.以硫化镉(CdS)晶片作为籽晶,采用物理气相传输(PVT)法生长出大尺寸CdSe单晶,并对其晶体结构和光学性能进行了表征.EDS和Raman测试显示,在晶体生长初期形成了CdSe_xS_(1-x),随着晶体生长硫元素含量逐渐减少并最终消失,最终生长出的CdSe材料为纯相的纤锌矿型CdSe晶体材料.XRD测试显示CdSe晶体的晶格完整性较高.以上结果表明,PVT法是一种理想的大尺寸CdSe单晶生长方法. 展开更多

关键词 Cd SE 大尺寸 单晶 PVT法

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温度及温度梯度对SiC单晶生长的影响 被引量：2

5

作者 李现祥 李娟 +7 位作者 董捷 王丽 姜守振 韩荣江 徐现刚 王继扬 胡小波 蒋民华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期3084-3086,3089,共4页

利用升华法在高温低压下生长大直径SiC单晶.通过实验发现:在相同的轴向温度梯度下,SiC晶体平均生长速率随籽晶温度的升高而变大.通过减小轴向温度梯度,降低晶体生长界面的径向过饱和度分布,可以抑制多型的生长.通过优化温场的径向温度梯... 利用升华法在高温低压下生长大直径SiC单晶.通过实验发现:在相同的轴向温度梯度下,SiC晶体平均生长速率随籽晶温度的升高而变大.通过减小轴向温度梯度,降低晶体生长界面的径向过饱和度分布,可以抑制多型的生长.通过优化温场的径向温度梯度,利用φ50mm的籽晶进行生长,得到了φ57mm的SiC单晶,实现了晶体的扩径生长. 展开更多

关键词 SIC单晶 温度及温度梯度 生长速率 多型 扩径生长

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硒化镉晶体生长及性能表征 被引量：4

6

作者 张颖武 李晖 程红娟 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期427-429,共3页

硒化镉(CdSe)是一种性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。采用气相法生长出CdSe晶体材料,结合晶体生长动力学研究了CdSe单晶生长速率,并对其晶体结构和光学性能进行了表征。Raman测试表明生长的CdSe晶体为纤锌矿结构,属于极性材料。XRD测试表... 硒化镉(CdSe)是一种性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。采用气相法生长出CdSe晶体材料,结合晶体生长动力学研究了CdSe单晶生长速率,并对其晶体结构和光学性能进行了表征。Raman测试表明生长的CdSe晶体为纤锌矿结构,属于极性材料。XRD测试表明单晶生长面为(001)面,衍射峰的半高宽较小。光学性能测试表明,CdSe材料在近红外波段内具有较好的光学透过特性。 展开更多

关键词 硒化镉(CdSe) 晶体 拉曼(Raman) X线衍射(XRD)

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多晶碘化汞探测器的制备及性能 被引量：2

7

作者 徐环 史伟民 +2 位作者 雷平水 林飞燕 郭余英 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期191-194,共4页

碘化汞(HgI2)晶体由于原子序数高、禁带宽、密度大,制成低能γ射线和X射线探测器不需液氮冷却就能得到相当好的能量分辨率,且有相当高的探测效率。制备了多晶HgI2探测器,结果显示所得器件在室温下对5.9 keV的55Fe X射线和5.5 MeV的241A... 碘化汞(HgI2)晶体由于原子序数高、禁带宽、密度大,制成低能γ射线和X射线探测器不需液氮冷却就能得到相当好的能量分辨率,且有相当高的探测效率。制备了多晶HgI2探测器,结果显示所得器件在室温下对5.9 keV的55Fe X射线和5.5 MeV的241Amα粒子具有较好的能量分辨率,分别为0.24 keV和0.72 MeV(未使用准直器)。 展开更多

关键词 碘化汞 探测器 多晶 能量分辨率

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退火时间对SiC热解法制备石墨烯薄膜的影响 被引量：2

8

作者 李赟 尹志军 +3 位作者 赵志飞 朱志明 陆东赛 李忠辉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期276-279,共4页

利用水平热壁式CVD外延炉开展了SiC热分解法制备石墨烯薄膜的实验,主要研究了不同的真空热处理时间对石墨烯薄膜生长的影响。SiC衬底的氢气在线刻蚀处理和热分解在同一炉次进行,高温时反应室释放出之前吸附的氢气不能有效地被分子泵抽除... 利用水平热壁式CVD外延炉开展了SiC热分解法制备石墨烯薄膜的实验,主要研究了不同的真空热处理时间对石墨烯薄膜生长的影响。SiC衬底的氢气在线刻蚀处理和热分解在同一炉次进行,高温时反应室释放出之前吸附的氢气不能有效地被分子泵抽除,SiC衬底的有效碳化时间有限,实验发现热处理时间超过30min之后,石墨烯层数并无明显变化。进一步加长热处理时间,石墨烯样品中出现局部氢插入层。 展开更多

关键词 石墨烯 碳化硅衬底 硅面 拉曼图谱

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6H-SiC单晶锭边缘的多晶环控制 被引量：3

9

作者 封先锋 陈治明 蒲红斌 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1124-1129,1140,共7页

6H-SiC晶体生长过程中单晶锭边缘形成的多晶环影响单晶体的品质。本研究制定了以改进坩埚系统结构为主、调整线圈与坩埚相对位置为辅的多晶环厚度控制方案,利用自制设备进行了6H-SiC晶体生长验证实验,实验结果显示所生长6H-SiC单晶体不... 6H-SiC晶体生长过程中单晶锭边缘形成的多晶环影响单晶体的品质。本研究制定了以改进坩埚系统结构为主、调整线圈与坩埚相对位置为辅的多晶环厚度控制方案,利用自制设备进行了6H-SiC晶体生长验证实验,实验结果显示所生长6H-SiC单晶体不但周边和表面光滑,未有多晶出现,还实现了显著的扩径生长。 展开更多

关键词 6H-SIC 多晶SiC 坩埚系统

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基底温度控制方式对直流弧光放电PCVD金刚石膜的影响 被引量：2

10

作者 张湘辉 汪灵 龙剑平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1554-1560,共7页

如何精确、高效地实现对基底温度的测控,并获得优化的温度参数,对于CVD金刚石制备技术至关重要。本文采用自主研制的具有新型基底温度自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,分别进行了基底温度开环、闭环及开闭环复合控制下的金刚石薄膜... 如何精确、高效地实现对基底温度的测控,并获得优化的温度参数,对于CVD金刚石制备技术至关重要。本文采用自主研制的具有新型基底温度自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,分别进行了基底温度开环、闭环及开闭环复合控制下的金刚石薄膜制备研究,并采用SEM,激光Raman光谱仪对所制备薄膜的形貌品质进行了分析。研究结果表明:基底温控方式的不同会明显影响CVD金刚石膜的晶体、生长特征及品质,尤其造成了薄膜生长中二次形核密度以及非金刚石成分的显著变化;在保证系统稳定运行的前提下,当其它沉积参数恒定时,受控下的基底温度控制精度及控制品质的实时变化是影响CVD金刚石膜生长性能的主要因素,其中控制精度介于±5℃～±15℃间变化,而控制品质受控制方式的影响较大;相对于控制精度而言,控制品质的变化对常规金刚石薄膜生长性能的影响更为明显。对于此系统,只有采用开-闭环复合控制,且开环流量维持在其单独工作流量的20%时,才能保证基底温度控制精度、控制品质及所制备的CVD金刚石薄膜的质量最佳。 展开更多

关键词 直流弧光放电PCVD法 金刚石薄膜 基底温度 开环、闭环及开闭环复合控制方式

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衬底对CVD生长石墨烯的影响研究 被引量：8

11

作者 张玮 满卫东 +1 位作者 涂昕 林晓棋 《真空与低温》 2013年第4期195-202,213,共9页

石墨烯有独特的结构和优异的性能,在电子、信息、能源、材料和生物医药等领域都有着广阔的应用前景。为了更好的应用这种新型材料,如何大规模可控合成高质量石墨烯是一个必须克服的困难。相比与机械剥离法、化学氧化还原法和碳化硅表面... 石墨烯有独特的结构和优异的性能,在电子、信息、能源、材料和生物医药等领域都有着广阔的应用前景。为了更好的应用这种新型材料,如何大规模可控合成高质量石墨烯是一个必须克服的困难。相比与机械剥离法、化学氧化还原法和碳化硅表面外延生长法,化学气相沉积法(CVD)因其可以生长大面积高质量连续石墨烯膜而倍受关注。基于石墨烯的生长机理,从衬底材料的角度,综述了近几年衬底对CVD生长石墨烯的影响的研究进展。展望了衬底选择的发展新趋势。 展开更多

关键词 石墨烯 化学气相沉积 衬底 生长机理

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ZnO纳米线和纳米杆的热氧化前驱体法制备及拉曼分析 被引量：1

12

作者 梁会琴 刘照军 梁二军 《河南大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2008年第4期353-356,共4页

采用热氧化线状Zn前驱体法,在压强为5 Pa,温度分别为400℃和600℃的条件下,制备了单晶ZnO纳米线和纳米杆.用SEM观察了样品的表面形貌,用XRD和HRTEM研究了样品的晶体结构和形态,分析表明细ZnO纳米线是通过"自催化液-固"过程沿... 采用热氧化线状Zn前驱体法,在压强为5 Pa,温度分别为400℃和600℃的条件下,制备了单晶ZnO纳米线和纳米杆.用SEM观察了样品的表面形貌,用XRD和HRTEM研究了样品的晶体结构和形态,分析表明细ZnO纳米线是通过"自催化液-固"过程沿着[21-1-0]方向生长,而ZnO纳米杆则依照气-固机制沿着[0001]方向生长.在室温下测量了514.5 nm激发下的拉曼光谱,结果表明由细ZnO纳米线和粗轴组成的样品拥有较多的氧空位,而在高温下氧化得到的ZnO纳米杆的结晶程度比较好,晶格结构更加完整. 展开更多

关键词 ZNO 纳米线和纳米杆 生长机制 拉曼光谱

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PVD法制备多晶碘化汞膜的光电特性研究

13

作者 雷平水 史伟民 +2 位作者 郭燕明 邱永华 潘美军 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期390-393,共4页

用热壁物理气相沉积法(Hot-Wall PVD)制备出晶体质量较好的多晶HgI2膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试;结果表明PVD法制备的多... 用热壁物理气相沉积法(Hot-Wall PVD)制备出晶体质量较好的多晶HgI2膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试;结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高,结构完整性好,均匀性好,并且其相应器件有低的暗电流(电场0.2V/μ m时,为25pA/mm2). 展开更多

关键词 多晶 碘化汞 物理气相沉积 探测器

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石墨烯晶畴尺寸的可控生长及其对材料电学性能的影响

14

作者 吴渊文 张燕辉 +2 位作者 陈志蓥 王彬 于广辉 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期309-313,共5页

采用化学气相沉积技术(CVD)在铜箔衬底上实现了石墨烯单晶畴的可控生长,并用两步生长法制备了不同单晶畴尺寸的多晶石墨烯连续膜。利用光学显微镜和拉曼光谱仪对石墨烯的形貌和结构进行了表征。通过对转移到SiO2衬底上石墨烯连续膜的霍... 采用化学气相沉积技术(CVD)在铜箔衬底上实现了石墨烯单晶畴的可控生长,并用两步生长法制备了不同单晶畴尺寸的多晶石墨烯连续膜。利用光学显微镜和拉曼光谱仪对石墨烯的形貌和结构进行了表征。通过对转移到SiO2衬底上石墨烯连续膜的霍尔测试发现,石墨烯晶畴尺寸变化对其连续膜的电学性能影响显著。石墨烯连续膜的晶畴尺寸越大,其方块电阻越小,载流子迁移率越高。 展开更多

关键词 石墨烯 单晶 化学气相沉积 拉曼 电学性质

原文传递

非晶硅薄膜上碘化汞多晶薄膜的生长及其性能 被引量：5

15

作者 郑耀明 史伟民 +2 位作者 魏光普 秦娟 徐环 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期441-444,共4页

采用改进后的带有真空活塞的热壁物理气相沉积装置在非晶硅薄膜上制备HgI2多晶薄膜,使薄膜生长的操作过程更加简单安全。用边抽真空边生长薄膜的方式,可以获得较大的生长速率。通过改变不同的沉积参数,对获得的薄膜,采用XRD、SEMI、-V... 采用改进后的带有真空活塞的热壁物理气相沉积装置在非晶硅薄膜上制备HgI2多晶薄膜,使薄膜生长的操作过程更加简单安全。用边抽真空边生长薄膜的方式,可以获得较大的生长速率。通过改变不同的沉积参数,对获得的薄膜,采用XRD、SEMI、-V特性以及电容频率特性等手段对其进行表征,结果表明,获得了沿〈001〉晶向柱状生长且晶粒大小均匀、电阻率为2.5×1011Ω.cm、相对介电常数为5.53的薄膜。 展开更多

关键词 多晶 碘化汞 非晶硅 物理气相沉积

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ZnO微纳米空心球结构的制备方法研究进展

16

作者 梁会琴 李彦伟 《洛阳师范学院学报》 2008年第2期37-41,共5页

文中详细地综述了由相对简单的热蒸发法合成ZnO微纳米空心球结构的制备情况和研究进展,主要包括用热蒸发法制备ZnO微纳米空心球的生产设备与过程、实验条件、产品形貌和生长机理几个方面。同时展望了ZnO微纳米空心球结构材料的应用前景。

关键词 ZNO 微纳米空心球 热蒸发法 实验条件 生长机制

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热蒸发法ZnO纳米棒阵列的研究 被引量：1

17

作者 张志鹏 王浩 +4 位作者 莫琦 王毅 汪汉斌 杨辅军 朱建华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期68-70,共3页

采用热蒸发的方法在ZnO薄膜缓冲层上成功制备了高密度的ZnO纳米棒阵列，其中ZnO薄膜缓冲层是通过PLD（Pulsed Laser Deposition）的方法制得。与已有的报道不同，该方法未使用任何金属催化剂。X射线衍射仪（XRD）以及场发射扫描电子显... 采用热蒸发的方法在ZnO薄膜缓冲层上成功制备了高密度的ZnO纳米棒阵列，其中ZnO薄膜缓冲层是通过PLD（Pulsed Laser Deposition）的方法制得。与已有的报道不同，该方法未使用任何金属催化剂。X射线衍射仪（XRD）以及场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）的结果表明，实验得到的ZnO纳米棒阵列整齐垂直排列在衬底上．此外，在常温下测量得到的光致发光（PL）谱和透射电子显微镜显示该ZnO纳米棒阵列结晶较好，无明显的缺陷,研究结果表明纳米棒阵列的形成主要归因于ZnO纳米棒和薄膜之间完美的晶格匹配。 展开更多

关键词 热蒸发 ZNO纳米棒阵列 ZnO薄膜缓冲层

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泡沫镍衬底上生长二氧化锡纳米线的生长行为及光致发光性能研究 被引量：1

18

作者 孙阳硕 王红波 +2 位作者 周亮 马大衍 马飞 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第2期339-343,共5页

采用热蒸发法,在镀有Au(金)的多孔泡沫镍基底上生长了SnO_2纳米线,生长温度分别为750℃、800℃和850℃,分别利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)研究了生长温度对纳米线生长行为的影响,采用X射线光电子能谱仪(XPS)研究了样品的... 采用热蒸发法,在镀有Au(金)的多孔泡沫镍基底上生长了SnO_2纳米线,生长温度分别为750℃、800℃和850℃,分别利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)研究了生长温度对纳米线生长行为的影响,采用X射线光电子能谱仪(XPS)研究了样品的元素结合态,采用荧光光谱仪研究了样品的室温光致发光(PL)性能。结果证明,生长温度对SnO_2纳米线形貌、尺寸、密度等形态学特征影响显著。在750℃下,SnO_2为颗粒状; 800℃生成了较高密度的SnO_2纳米线,且随温度升高纳米线产量增加、直径显著增大;在850℃下其直径增大至微米级。对室温光致发光性能的研究发现,随生长温度升高,在SnO_2产量增加和氧缺陷浓度的提高的共同作用下,导致其发光性能随之显著提高。 展开更多

关键词 SnO2纳米线 生长温度 生长行为 泡沫镍

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MOCVD反应室无镓无铝环境的获得及重要性分析 被引量：2

19

作者 杨超普 方文卿 +2 位作者 刘明宝 毛清华 阳帆 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第11期2032-2037,2061,共7页

“回熔”依然是Ga N-on-Si光电器件发展到今天的主要难题,严重影响量产的稳定性与器件的可靠性。当前“多腔+Al N模板”生长法能避免镓回熔,但仍然无法解决“铝回熔”。本文从Al N微粒的来源,Al N生长动力学,Al N微粒引起Si衬底表面“... “回熔”依然是Ga N-on-Si光电器件发展到今天的主要难题,严重影响量产的稳定性与器件的可靠性。当前“多腔+Al N模板”生长法能避免镓回熔,但仍然无法解决“铝回熔”。本文从Al N微粒的来源,Al N生长动力学,Al N微粒引起Si衬底表面“台阶流”的局部畸变,晶格继承等方面全面分析无镓无铝环境重要性。通过对三款主流商用MOCVD进行比较分析,参考AIXTRON MOCVD G5氯气在线清洗工艺,对THOMAS SWAN CCS MOCVD气路进行改造,设计非钎焊耐氯7片机喷头,缩短喷淋头与石墨基座间距离,获得无镓无铝环境。该结果是有效研究回熔机制的基础,监测并控制反应室内的镓铝粉尘环境,有望从理论及机理上推动Ga N-on-Si电子器件迈上新台阶。 展开更多

关键词 MOCVD Ga N基LED 外延 Al N SI

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室温核辐射探测材料碘化铟多晶合成及结构分析

20

作者 徐朝鹏 王倩 +3 位作者 张磊 陈飞鸿 王永贞 纪亮亮 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1460-1464,共5页

以高纯I2(5N)和In(7N)为原料,采用两温区气相输运法制备了In I多晶料,研究了高纯In I多晶合成工艺。用X射线粉末衍射(XRD)方法对合成的In I多晶进行结构测定,用扫描电子显微镜-X射线能量色散谱仪(SEMEDS)对其成分进行分析,用等离子体原... 以高纯I2(5N)和In(7N)为原料,采用两温区气相输运法制备了In I多晶料,研究了高纯In I多晶合成工艺。用X射线粉末衍射(XRD)方法对合成的In I多晶进行结构测定,用扫描电子显微镜-X射线能量色散谱仪(SEMEDS)对其成分进行分析,用等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)对其组成的元素进行痕量测定。研究结果表明:合成的In I多晶料晶格结构完整,纯度高,晶格参数为a=0.476 nm,b=1.278 nm,c=0.491 nm,且碘和铟比例接近1∶1。 展开更多

关键词 碘化铟 多晶合成 两温区气相输运法 结构分析

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