摘要
采用热蒸发的方法在ZnO薄膜缓冲层上成功制备了高密度的ZnO纳米棒阵列，其中ZnO薄膜缓冲层是通过PLD（Pulsed Laser Deposition）的方法制得。与已有的报道不同，该方法未使用任何金属催化剂。X射线衍射仪（XRD）以及场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）的结果表明，实验得到的ZnO纳米棒阵列整齐垂直排列在衬底上．此外，在常温下测量得到的光致发光（PL）谱和透射电子显微镜显示该ZnO纳米棒阵列结晶较好，无明显的缺陷,研究结果表明纳米棒阵列的形成主要归因于ZnO纳米棒和薄膜之间完美的晶格匹配。
High density well-aligned ZnO nanorod array was successfully synthesized on a PLD prepared undoped ZnO film through the conventional thermal evaporation method without any metal catalysts. X-ray diffraction （XRD） and field-emission scanning electron microscopy （FE-SEM） show that the nanorods are well-oriented perpendicular to the substrate. In additional, Room temperature photoluminescence （PL） and transmission electron microscopy （TEM） of the ZnO nanorods reflect the well-crystalline and nearly defect free structure of nanorods. The well-aligned feature of the nanorod array is attributed to the perfect lattice match between the nanorods and the film.
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A01期68-70,共3页
Journal of Functional Materials
基金
基金项目：教育部博士点基金资助项目（20060512004）
