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缺陷团簇对Cu/W纳米多层膜辐照肿胀影响的分子动力学模拟研究
1
作者 陈文 李敏 +3 位作者 付宝勤 陈暾 崔节超 侯氢 《四川大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第4期931-939,共9页
纳米结构材料具有优异的抗辐照损伤性能,可以抑制辐照肿胀,但其潜在物理机制仍待深入研究.为此,本文采用分子动力学方法模拟对比研究了单晶Cu、单晶W和Cu/W纳米多层膜3种材料中空位和间隙型缺陷团簇对辐照肿胀的影响.模拟结果表明,相同... 纳米结构材料具有优异的抗辐照损伤性能,可以抑制辐照肿胀,但其潜在物理机制仍待深入研究.为此,本文采用分子动力学方法模拟对比研究了单晶Cu、单晶W和Cu/W纳米多层膜3种材料中空位和间隙型缺陷团簇对辐照肿胀的影响.模拟结果表明,相同缺陷浓度时,间隙团簇引起的3种材料体积肿胀差异较小.空位团簇则不同,Cu/W纳米多层膜中空位团簇导致的体积收缩程度与单晶Cu类似,但显著高于单晶W.此外,Cu/W异质界面作为优异的缺陷陷阱,能够有效捕获空位/间隙型缺陷,有效降低晶粒中缺陷浓度.上述效应协同作用,使得Cu/W纳米多层膜展现出优异的抗辐照肿胀性能. 展开更多
关键词 Cu/W纳米多层膜 分子动力学 缺陷团簇 辐照肿胀
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提拉法生长Ca(BO_(2))_(2)晶体的包裹体缺陷研究
2
作者 黎诗锋 杨金凤 +4 位作者 黄云棋 张博 刘子琦 孙军 潘世烈 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第9期1501-1508,共8页
偏硼酸钙(Ca(BO_(2))_(2))晶体的紫外透过截止边短,紫外波段透过率高,且具有较大的双折射率,是一种具有巨大发展潜力和广阔应用前景的深紫外双折射晶体,但目前生长的晶体易产生包裹体缺陷,严重影响其应用。本文采用提拉法生长Ca(BO_(2))... 偏硼酸钙(Ca(BO_(2))_(2))晶体的紫外透过截止边短,紫外波段透过率高,且具有较大的双折射率,是一种具有巨大发展潜力和广阔应用前景的深紫外双折射晶体,但目前生长的晶体易产生包裹体缺陷,严重影响其应用。本文采用提拉法生长Ca(BO_(2))_(2)晶体并制备测试样品,利用偏光显微镜、扫描电子显微镜、拉曼光谱等手段对包裹体的形貌、尺寸、分布和成分进行检测,结合晶体生长的过程,分析了包裹体的形成机制,并提出了其消除策略。研究表明,Ca(BO_(2))_(2)晶体中的包裹体为气相包裹体,来源于熔体中溶解的气体分子,在晶体中以“球形”、“线状”与“蝌蚪状”形貌出现;其形成是由晶体生长速率和气泡扩散速率共同决定,通过对熔体进行过热处理、提高生长界面的温度梯度、降低生长速率、提高晶体生长旋转速度等方式可以完全消除晶体中包裹体缺陷。 展开更多
关键词 Ca(BO_(2))_(2)晶体 提拉法 包裹体 生长速率 温度梯度 溶质边界层
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基于改进U-Net的BGO晶体粗加工磨砂面弱划痕分割算法 被引量：1
3
作者 陶文峰 张晓龙 朱海波 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第4期598-604,共7页
BGO晶体通常需要通过切割、磨削等粗加工步骤制作磨砂面以提升元件性能,其粗加工过程中划痕缺陷的提取和预检对后续晶体元件的质量评估极为重要。然而,传统工业机器视觉算法难以精细分割晶体粗加工磨砂面上的弱划痕,极大地影响了后续晶... BGO晶体通常需要通过切割、磨削等粗加工步骤制作磨砂面以提升元件性能,其粗加工过程中划痕缺陷的提取和预检对后续晶体元件的质量评估极为重要。然而,传统工业机器视觉算法难以精细分割晶体粗加工磨砂面上的弱划痕,极大地影响了后续晶体品质的检测效率。针对磨砂面弱划痕难以精确分割的难题,本文采用了一种改进的U-Net深度学习算法,该算法在U-Net基础结构中嵌入了轻量级CBAM注意力机制,提升网络对浅划痕特征提取和细节恢复能力;同时采用Copy-paste数据增广方法,提升算法模型的泛化性;另外为了缓解样本中前景背景不平衡带来的消极影响,采用Dice Loss、Focal Loss复合损失函数。实验表明,本文算法对于晶体粗加工磨砂面的弱划痕能有效进行精确分割,并且其平均交并比Miou为85.2%,准确率为95.4%,相较于传统工业机器视觉算法有明显提升。此外该算法一定程度上解决了弱划痕的误分割与欠分割现象,能对粗加工过程中的晶体进行划痕缺陷预先检测,减少后续不必要的工艺和质量评估步骤,同时整体提高工业晶体产品的生产效率。 展开更多
关键词 弱划痕提取 BGO晶体 目标分割 U-Net 晶体磨砂面
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Ti_(3)Pt塑性变形的微观机理
4
作者 祁糈 余倩 《材料科学与工程学报》 北大核心 2025年第2期187-190,共4页
Ti-Pt系列合金由于出色的耐腐蚀性和高温形状记忆特点,在诸多领域有着广泛应用。但是,由于Ti-Pt合金中金属间化合物结构的复杂性,使得Ti-Pt合金在室温下的变形能力较差,严重影响了Ti-Pt合金的进一步应用。Ti_(3)Pt相作为Ti-Pt合金中较... Ti-Pt系列合金由于出色的耐腐蚀性和高温形状记忆特点,在诸多领域有着广泛应用。但是,由于Ti-Pt合金中金属间化合物结构的复杂性,使得Ti-Pt合金在室温下的变形能力较差,严重影响了Ti-Pt合金的进一步应用。Ti_(3)Pt相作为Ti-Pt合金中较为常见的金属间化合物,其变形机制目前仍然匮乏研究。本实验借助原位微米力学压缩和电子显微镜对Ti_(3)Pt相的塑性变形机制进行了研究,说明了Ti_(3)Pt相是通过局域高度无序化和晶粒旋转实现塑性变形,从而为进一步优化Ti-Pt合金的力学性能提供了理论基础。 展开更多
关键词 金属间化合物 塑性变形 无序化 晶粒旋转
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立方氮化硅的合成与提纯 被引量：10
5
作者 姚怀 唐敬友 +4 位作者 刘雨生 刘党库 唐翠霞 贺红亮 杨世源 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期31-34,共4页
设计和采用有炸药驱动平面飞片加载器和圆桶形样品回收室的装置,用非高纯的α–Si3N4粉体和铜粉作原料合成了c–Si3N4。在该装置中完整的回收到冲击波压缩的实验样品。当冲击压力与温度分别约为50GPa和2300K时,原料中约有85%的α–Si3N... 设计和采用有炸药驱动平面飞片加载器和圆桶形样品回收室的装置,用非高纯的α–Si3N4粉体和铜粉作原料合成了c–Si3N4。在该装置中完整的回收到冲击波压缩的实验样品。当冲击压力与温度分别约为50GPa和2300K时,原料中约有85%的α–Si3N4转化为c–Si3N4。回收样品在440K左右经9～10h与氢氟酸反应处理后,c–Si3N4粉体的纯度接近100%。 展开更多
关键词 立方氮化硅 冲击波压缩 合成 提纯
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添加Y_2O_3-Al_2O_3烧结助剂的氮化硅陶瓷的超高压烧结 被引量：10
6
作者 唐翠霞 唐敬友 +4 位作者 姚怀 寇自力 刘雨生 贺红亮 杨世源 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期828-831,共4页
以Y2O3-Al2O3体系为烧结助剂,在5.4～5.7GPa,1570～1770K的高温高压条件下进行了氮化硅陶瓷的超高压烧结研究。用X射线衍射及扫描电镜对烧结样品进行了分析和观察,探讨了烧结温度及压力对烧结的陶瓷样品性能的影响。结果表明:得到的氮... 以Y2O3-Al2O3体系为烧结助剂,在5.4～5.7GPa,1570～1770K的高温高压条件下进行了氮化硅陶瓷的超高压烧结研究。用X射线衍射及扫描电镜对烧结样品进行了分析和观察,探讨了烧结温度及压力对烧结的陶瓷样品性能的影响。结果表明:得到的氮化硅由相互交错的长柱状β-Si3N4晶粒组成,微观结构均匀,α-Si3N4完全转变为β-Si3N4。经5.7GPa,1770K且保温15min的超高压烧结,样品的相对密度达99.0%,Rockwell硬度HRA为99,Vickers硬度HV达23.3GPa。 展开更多
关键词 氮化硅陶瓷 超高压烧结 力学性能 显微结构
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高温高压下石墨Ni_(70)Mn_(25)Co_5体系中石墨的层状生长现象与合成金刚石的质量 被引量：7
7
作者 唐敬友 刘党库 +1 位作者 姚怀 唐翠霞 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1544-1550,共7页
为了研究石墨Ni_(70)Mn_(25)Co_5体系在高压高温下石墨的变化和金刚石的生长现象,用六面顶压机对交替组装的圆片状石墨和Ni_(70)Mn_(25)Co_5触媒进行高温高压处理及金刚石合成实验。扫描电镜观察结果表明:在触媒中再结晶石墨以片状为主... 为了研究石墨Ni_(70)Mn_(25)Co_5体系在高压高温下石墨的变化和金刚石的生长现象,用六面顶压机对交替组装的圆片状石墨和Ni_(70)Mn_(25)Co_5触媒进行高温高压处理及金刚石合成实验。扫描电镜观察结果表明:在触媒中再结晶石墨以片状为主,而类球状石墨由片状石墨的堆积长大形成的;覆盖在金刚石的金属包膜中有大约1μm厚的片状石墨。借助于多功能光学显微镜,观察到金刚石的晶体形态和缺陷特征随合成温度、压力的不同有规律地变化。实验证实了高温高压下石墨Ni_(70)Mn_(25)Co_5体系中石墨和金刚石的层状生长现象,进而提出了预防金刚石宏观缺陷、合成优质金刚石的技术措施。 展开更多
关键词 石墨 镍锰钴合金触媒 高温高压 金刚石 形貌 缺陷 层状生长
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6H-SiC单晶的生长与缺陷 被引量：7
8
作者 胡小波 徐现刚 +4 位作者 王继扬 韩荣江 董捷 李现祥 蒋民华 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期248-250,254,共4页
采用升华法 ,在一定的温度、气体压力和流量的条件下 ,生长了尺寸 5 0 .8mm的 6HSiC单晶。利用光学显微术观察了原生晶体的表面形貌 ,发现了微管在晶体表面的露头点具有明显的多个螺位错成核特征。采用透射模式对抛光晶片进行观察 ,... 采用升华法 ,在一定的温度、气体压力和流量的条件下 ,生长了尺寸 5 0 .8mm的 6HSiC单晶。利用光学显微术观察了原生晶体的表面形貌 ,发现了微管在晶体表面的露头点具有明显的多个螺位错成核特征。采用透射模式对抛光晶片进行观察 ,发现了SiC晶体内的典型缺陷 ,如 :负晶、微管、碳颗粒等 ,并对它们的形成机理进行了讨论。 展开更多
关键词 6H-碳化硅 微管 负晶 缺陷
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立方氮化硅的冲击波合成实验研究 被引量：9
9
作者 刘雨生 姚怀 +2 位作者 张福平 贺红亮 唐敬友 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期159-162,共4页
以α-Si3N4粉体作原材料,采用炸药爆轰平面飞片加载装置和样品回收技术进行了冲击波合成实验,完整回收到合成样品,经过酸处理,对回收样品进行X射线衍射分析,结果表明:当加载压力超过50GPa而且冲击温度约3600-5000K时,α-Si3N4可以较完... 以α-Si3N4粉体作原材料,采用炸药爆轰平面飞片加载装置和样品回收技术进行了冲击波合成实验,完整回收到合成样品,经过酸处理,对回收样品进行X射线衍射分析,结果表明:当加载压力超过50GPa而且冲击温度约3600-5000K时,α-Si3N4可以较完全地转化为γ-Si3N4．本实验的研究结果建立了一种冲击压缩技术可单次合成克量级的立方氮化硅,为进一步开展立方氮化硅的性能研究奠定了基础． 展开更多
关键词 冲击压缩 合成 立方氮化硅
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水热条件下BaTiO3晶粒中OH^—缺陷的形成 被引量：10
10
作者 仲维卓 夏长泰 +3 位作者 施尔畏 王步国 李文军 华素坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1996年第3期192-197,共6页
本文研究了水热条件下制备的ＢａＴｉＯ３晶粒中ＯＨ－缺陷的形成。实验表明，随着溶液中的钡钛摩尔比增大，产物中的ＯＨ－缺陷减少，四方相ＢａＴｉＯ３的含量增多。从结晶化学的角度剖析了ＢａＴｉＯ３与锐钛矿结构的相似性，两种晶... 本文研究了水热条件下制备的ＢａＴｉＯ３晶粒中ＯＨ－缺陷的形成。实验表明，随着溶液中的钡钛摩尔比增大，产物中的ＯＨ－缺陷减少，四方相ＢａＴｉＯ３的含量增多。从结晶化学的角度剖析了ＢａＴｉＯ３与锐钛矿结构的相似性，两种晶粒中的Ｔｉ—Ｏ６八面体的结晶方位一致，其顶角分别指向晶轴ａ，ｂ和ｃ，因此锐钛矿的生长基元可以往ＢａＴｉＯ３晶粒上配向生长，在结构失配处即可形成缺陷，在缺陷部分ＴｉＯ６八面体自由端处保留了ＯＨ－结构，这是形成晶粒中ＯＨ－缺陷的主要原因。 展开更多
关键词 晶粒 水热条件 氧化钛钡 晶体缺陷
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导模法蓝宝石单晶的位错缺陷及其力学性能的研究 被引量：6
11
作者 胡克艳 唐慧丽 +3 位作者 王静雅 钱小波 徐军 杨秋红 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1252-1256,共5页
采用导模法生长了a向,尺寸为60 mm×5 mm×300 mm的蓝宝石单晶片,采用化学腐蚀-金相显微镜法观测了其(0001)晶面的位错特征,并且采用INSTRON-1195万能试验机测试了抛光样品的弯曲强度。结果显示:当晶体中位错缺陷分布均匀时,在... 采用导模法生长了a向,尺寸为60 mm×5 mm×300 mm的蓝宝石单晶片,采用化学腐蚀-金相显微镜法观测了其(0001)晶面的位错特征,并且采用INSTRON-1195万能试验机测试了抛光样品的弯曲强度。结果显示:当晶体中位错缺陷分布均匀时,在外部弯曲应力下,蓝宝石晶体发生特定晶面的高强解理断裂,位错密度的升高对蓝宝石弯曲强度没有明显损害作用。然而当晶体中出现位错密排结构时,蓝宝石单晶常温弯曲强度迅速下降。 展开更多
关键词 导模法 蓝宝石 位错缺陷 弯曲强度
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计算典型结构金属元素空位形成能的新方法 被引量：5
12
作者 张喜燕 赵新春 +1 位作者 贾冲 刘庆 《重庆大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1342-1345,1350,共5页
在Tiwari和Patil计算空位形成能的模型基础上,对金属表面能的计算方法进行了改进,计算了面心立方(fcc)、体心立方(bcc)、密排六方(hcp)典型金属的空位形成能,并引入能量修正因子,可使理论计算结果与实验值基本一致,对fcc,bcc,hcp结构金... 在Tiwari和Patil计算空位形成能的模型基础上,对金属表面能的计算方法进行了改进,计算了面心立方(fcc)、体心立方(bcc)、密排六方(hcp)典型金属的空位形成能,并引入能量修正因子,可使理论计算结果与实验值基本一致,对fcc,bcc,hcp结构金属的能量修正因子分别取1.292,1.265和1.357,可以比较精确地计算fcc,bcc,hcp金属的空位形成能。 展开更多
关键词 点缺陷 空位 空位形成能 表面能 结合能
原文传递
r面白宝石单晶的温梯法生长及缺陷研究 被引量：4
13
作者 彭观良 周国清 +6 位作者 庄漪 邹军 王银珍 李抒智 杨卫桥 周圣明 徐军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期653-656,共4页
本文描述使用温梯法(TGT)生长(1102)方向的白宝石单晶,应用X射线双晶摇摆曲线(XRC)测定了晶体内部的完整性,再利用KOH熔体腐蚀出样品的r面(1102)上的位错蚀坑,借助扫描电子显微镜(SEM)进行观察,发现r面白宝石的位错腐蚀坑呈等腰三角形,... 本文描述使用温梯法(TGT)生长(1102)方向的白宝石单晶,应用X射线双晶摇摆曲线(XRC)测定了晶体内部的完整性,再利用KOH熔体腐蚀出样品的r面(1102)上的位错蚀坑,借助扫描电子显微镜(SEM)进行观察,发现r面白宝石的位错腐蚀坑呈等腰三角形,并且有台阶状结构,并分析了位错的成因。 展开更多
关键词 温梯法 r面白宝石 位错 化学腐蚀 腐蚀坑 缺陷
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6H-SiC成核表面形貌与缺陷产生的研究 被引量：5
14
作者 王英民 宁丽娜 +3 位作者 彭燕 徐化勇 胡小波 徐现刚 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期7-10,38,共5页
利用光学显微镜观察了6H-SiC晶体成核表面形貌,并使用高分辨X射线衍射法检测了不同区域的结晶质量。根据表面形貌的不同将成核表面分为三个区域:平台区、斜坡区、凹坑区。平台区的结晶质量最好,斜坡区和凹坑区由于缺陷(例如微管、小角... 利用光学显微镜观察了6H-SiC晶体成核表面形貌,并使用高分辨X射线衍射法检测了不同区域的结晶质量。根据表面形貌的不同将成核表面分为三个区域:平台区、斜坡区、凹坑区。平台区的结晶质量最好,斜坡区和凹坑区由于缺陷(例如微管、小角晶界和多型夹杂等)的存在导致结晶质量变差。依据温场分布以及籽晶的固定分析了凹坑产生的可能原因。根据观察纵切片发现源于斜坡区以及凹坑区的缺陷随着晶体的生长继承到晶体内部导致后期生长的晶体质量变差。最后我们提出了通过优化成核温场分布以及改善籽晶固定方法来提高晶体成核质量的思路。 展开更多
关键词 6H-SIC 成核 表面形貌 缺陷
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大尺寸氟化铅晶体的生长 被引量：4
15
作者 沈定中 袁湘龙 +3 位作者 张黎星 邓群 李培俊 殷之文 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第6期667-672,共6页
描述了不用高真空条件，在通常的Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｓｔｏｃｋｂａｒｇｅｒ炉中，用高温下的反应方法，消除了原料及生长炉内残存的Ｏ￣（２－）及ＯＨ￣－，生长出优质、大尺寸的β－ＰｂＦ＿２晶体。在晶体生长时，出现的主要问题是... 描述了不用高真空条件，在通常的Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｓｔｏｃｋｂａｒｇｅｒ炉中，用高温下的反应方法，消除了原料及生长炉内残存的Ｏ￣（２－）及ＯＨ￣－，生长出优质、大尺寸的β－ＰｂＦ＿２晶体。在晶体生长时，出现的主要问题是在晶体中的针状结构及开裂，但可通过控制工艺条件来解决。 展开更多
关键词 晶体生长 立方相氟化铅 缺陷 氟化铅
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YVO_4晶体缺陷分析 被引量：4
16
作者 邹宇琦 李新军 +3 位作者 徐军 干福熹 田玉莲 黄万霞 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期14-17,共4页
运用同步辐射白光X射线形貌术分析了YVO4 的结构和缺陷行为 ,也观测了YVO4 晶体 (0 0 1)、(10 0 )面的缺陷。发现在 (0 0 1)面出现应力生长区、沿 [10 0 ]方向的位错线以及晶体中镶嵌结构。运用白光形貌术拍摄到的劳埃斑 ,证明晶体为四... 运用同步辐射白光X射线形貌术分析了YVO4 的结构和缺陷行为 ,也观测了YVO4 晶体 (0 0 1)、(10 0 )面的缺陷。发现在 (0 0 1)面出现应力生长区、沿 [10 0 ]方向的位错线以及晶体中镶嵌结构。运用白光形貌术拍摄到的劳埃斑 ,证明晶体为四方晶系。确定了小角晶界是引起多晶的主要原因。 展开更多
关键词 YVO4晶体 晶体缺陷 同步辐射白光X射线形貌术 电子探针仪 钒酸钇晶体
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近红外光谱区光子晶体禁带与KTP缺陷研究（英文） 被引量：4
17
作者 袁卫 张建奇 +1 位作者 秦玉伟 冯洋 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第1期173-177,共5页
光子晶体引入缺陷后形成的缺陷模在增益介质中将被放大形成激光,为了进一步明确缺陷的激光特性,首先从理论上分析了光子晶体的特征矩阵,接着得出了以下光子禁带特性:光带隙宽度随着周期数的增加而增大,但在周期数达到一定数值后其光带... 光子晶体引入缺陷后形成的缺陷模在增益介质中将被放大形成激光,为了进一步明确缺陷的激光特性,首先从理论上分析了光子晶体的特征矩阵,接着得出了以下光子禁带特性:光带隙宽度随着周期数的增加而增大,但在周期数达到一定数值后其光带隙宽度是确定不变的;折射率比值越大,光带隙宽度越大;叠加不同中心波长的光子晶体可以简单、有效地拓展光带隙范围。在一维KTP光子晶体的禁带特性实验分析中得到了KTP缺陷的光子能带结构的波长响应曲线;随着温度的上升,KTP的折射率随之增大,进而缺陷模向长波长方向移动。上述研究对于微小光源的发展具有一定的理论和实际意义。 展开更多
关键词 光子晶体 缺陷 激光 禁带 折射率
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铌酸钾锂晶体的生长和缺陷 被引量：3
18
作者 万尤宝 吴宇容 +3 位作者 陈静 褚君浩 郭少龄 李晶 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期5-9,共5页
用电阻加热提拉法生长了一系列较大尺寸 ,组分离子均匀性较好的铌酸钾锂晶体。利用X射线荧光光谱法测量了不同配比的熔体中生长出的晶体组成 ,用同步辐射X射线测量了晶体结构 ,结果表明随晶体组成变化 ,晶体的晶格常数发生了变化。根据... 用电阻加热提拉法生长了一系列较大尺寸 ,组分离子均匀性较好的铌酸钾锂晶体。利用X射线荧光光谱法测量了不同配比的熔体中生长出的晶体组成 ,用同步辐射X射线测量了晶体结构 ,结果表明随晶体组成变化 ,晶体的晶格常数发生了变化。根据晶体组分离子浓度与折射率的关系研究了晶体折射率变化情况 ,结果表明用本方法生长的大尺寸KLN晶体 ,寻常折射率no 在测量误差范围内没有变化 ,非寻常折射率ne 的变化率在 82 0nm仅为1.2 2× 10 -4 /mm ,在 410nm仅为 1.93× 10 -4 /mm。晶体的干涉条纹证明了晶体有良好的光学均匀性。结合晶体生长实验 ,探讨了改进晶体组分离子浓度分布均匀性的方法 ,结果表明采用籽晶和坩锅向相同方向旋转可以改善晶体生长界面处组分离子浓度的波动 ,提高晶体组分离子均匀性。晶体的缺陷研究表明晶体结构完整性较好 ,位错形状与晶体结构相一致 ,密度为 7.5× 10 4 ,[0 0 1]轴是晶体的极化轴。晶体对 890～ 96 0nm波长范围的cw 展开更多
关键词 铌酸钾锂 晶体结构 干涉条纹 倍频 电阻加热提拉法 晶体生长 缺陷
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利用转移矩阵法和频域块迭代法分析点缺陷二维光子晶体 被引量：5
19
作者 林芳蕾 仇高新 +1 位作者 李永平 李永平 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期35-41,共7页
本文介绍了广泛用于分析光子晶体的两种方法:转移矩阵法和频域块迭代法。运用这两种方法,我们研究了一个5行5列在空气中呈正方排列的二维介质柱晶体,改变中心介质柱的半径和介电常数,分别得到各自对应不同的透射和色散关系曲线。对于同... 本文介绍了广泛用于分析光子晶体的两种方法:转移矩阵法和频域块迭代法。运用这两种方法,我们研究了一个5行5列在空气中呈正方排列的二维介质柱晶体,改变中心介质柱的半径和介电常数,分别得到各自对应不同的透射和色散关系曲线。对于同一参数结构的光子晶体,不同算法得到的带隙和缺陷态频率是一致的。同时根据透射和色散曲线所体现出来的晶体特性,我们分析了将光子晶体用作激光谐振腔以提高Q值的机理。 展开更多
关键词 点缺陷 光子晶体 光子带隙 转移矩阵 频域块迭代 色散 透射
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用富钇法克服大尺寸Nd^(3+)∶YAlO_3晶体的云层 被引量：3
20
作者 吕坚 郭喜彬 +4 位作者 李敢生 施真珠 吴锦华 陈莹 陈金凤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1993年第3期277-280,共4页
Nd_(3+)∶YAIO_3晶体中的云层是由于融体富铝而产生的。YAIO_3晶体用料 Y_2O_3中有值得注意的碳杂质。在高温和缺氧条件下,这些碳杂质与 Al_2O_3或刚玉容器的反应产物,不纯的碳化铝(Al_4C_5·Al_2O_3)是引发晶体光弥散点(<1μm)... Nd_(3+)∶YAIO_3晶体中的云层是由于融体富铝而产生的。YAIO_3晶体用料 Y_2O_3中有值得注意的碳杂质。在高温和缺氧条件下,这些碳杂质与 Al_2O_3或刚玉容器的反应产物,不纯的碳化铝(Al_4C_5·Al_2O_3)是引发晶体光弥散点(<1μm)和云层的有害杂质。在除碳后 Y_2O_3中有小于0.02wt-%的碳和大于0.03wt-%的铝;当 Y_2O_3中的铝等于0.05wt-%(即用重量法按组成式 Nd_(?)Y_1-(?)AlO_3称量的熔料富铝0.3at.%)时,得到有云层的晶体。用称量式 Nd_(?)Y_(1-(?))+ΔxAlO_3(x=0.01,0.003<Δx<0.02)称量的富钇熔料能够生长出无云层和无光弥散的大尺寸 Nd^(3+)∶YAlO_3单晶。 展开更多
关键词 熔料 碳化铝 富钇 云层 钕 晶体
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