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银基合金靶材研究现状及发展趋势 被引量：2
1
作者 高洋 廖锋尧 +2 位作者 李强 柳春锡 葛春桥 《材料研究与应用》 CAS 2024年第5期685-694,共10页
银及银合金靶材是新型显示与半导体集成电路中重要的电子材料之一,但其制备技术在我国未能实现产业化。近年来,随着我国新型显示技术及半导体集成电路领域的快速发展,银合金靶材的市场需求总量及经济价值也在持续快速增长,相关产业化进... 银及银合金靶材是新型显示与半导体集成电路中重要的电子材料之一,但其制备技术在我国未能实现产业化。近年来,随着我国新型显示技术及半导体集成电路领域的快速发展,银合金靶材的市场需求总量及经济价值也在持续快速增长,相关产业化进程也在逐渐加快。为此,从银合金靶材的制备技术、专利现状、应用前景及市场概况等方面进行综合评述。针对银合金靶材制备过程中原料提纯、微合金化等关键技术的工艺原理及靶材微观组织调控方法进行分析讨论。阐述了银合金靶材制备工艺流程及微观组织形貌、晶体学取向调控的作用机制和其对合金薄膜性能的影响,提出了目前我国在银合金靶材制备领域的主要问题。此外,针对银与银合金薄膜在实际应用过程中不耐氧化、硫化和耐气候性差的特点,对国内外申请的专利进行了归纳,重点分析了微合金化过程中In、Pd、Cu、Sc、Sn等元素添加对靶材抗氧化、抗硫化、耐气候性的性能的影响及作用机理,为研发新型组分的银合金靶材提供了借鉴。最后,从市场规模及技术发展方向等方面对现阶段我国银合金靶材的研究进展进行了总结,提出了微合金化及组织优化仍是未来银合金靶材新产品开发的主要方向,指出了产业链的健全及多领域的协同联动不足是当前银合金行业发展面临的主要困难和挑战。 展开更多
关键词 半导体集成电路 银合金 微合金化 溅射靶材 抗氧化 抗硫化 耐气候性 专利分析
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管状薄膜样品电热性能测试实验系统设计
2
作者 严惠 瞿小林 +3 位作者 秦源涛 黄俊宇 肖黎 龚恒翔 《功能材料与器件学报》 CAS 2024年第4期206-212,共7页
为了探究管状薄膜样品的电热性能,设计搭建了一套专用电热性能测试实验系统。该系统由外部电路模块实现样品表面温度控制,多路温度记录仪获取样品温度随时间的变化规律,红外相机拍摄薄膜的温度变化图像。设计测试台机械结构能实现外径φ... 为了探究管状薄膜样品的电热性能,设计搭建了一套专用电热性能测试实验系统。该系统由外部电路模块实现样品表面温度控制,多路温度记录仪获取样品温度随时间的变化规律,红外相机拍摄薄膜的温度变化图像。设计测试台机械结构能实现外径φ3-50 mm,长度L 10-400 mm尺寸内样品的电热性能测试,实验测试了φ7 mm×L 49 mm的SnO_(2):F管状薄膜样品在输入电压14-21 V变化时的电热性能。通过测试数据分析可对管状薄膜样品老化、电热循环测试后的性能变化进行评估。结果表明SnO_(2):F管状薄膜样品在电热测试过程中电阻变化率约11.6%,平均发热效率达到0.859×10-4W/(℃·mm^(2))。 展开更多
关键词 电热性能 管状薄膜 循环特性 老化测试 电阻率
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偏高岭石的微观结构与键合反应能力 被引量：27
3
作者 曹德光 苏达根 +1 位作者 杨占印 宋国胜 《矿物学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期366-372,共7页
对450～1050℃下热变高岭石结构,尤其是偏高岭石结构进行了研究。针对晶体高岭石和非晶体偏高岭石的结构特征,采用了XRD、SEM和IR等测试技术手段进行矿物组成和结构分析。采用热重GT测试方法对高岭石的热分解过程进行了研究,通过对矿物... 对450～1050℃下热变高岭石结构,尤其是偏高岭石结构进行了研究。针对晶体高岭石和非晶体偏高岭石的结构特征,采用了XRD、SEM和IR等测试技术手段进行矿物组成和结构分析。采用热重GT测试方法对高岭石的热分解过程进行了研究,通过对矿物化学键合材料强度试验来表征偏高岭石的反应活性。结果发现:偏高岭石中的铝氧层是化学键合反应能力的敏感结构单元,IR谱中表征Al—O键共振的817cm-1吸收峰与其化学键合反应能力相关联,存在该吸收峰的热变高岭石具有化学键合反应能力,相对吸收率越大,化学键合反应能力越高。 展开更多
关键词 化学键合 非晶体 表征 IR谱 吸收峰 反应活性 热分解 微观结构 热重 研究
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水基溶胶-凝胶法制备Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜及其介电性能研究 被引量：15
4
作者 齐兵 何夕云 +3 位作者 丁爱丽 仇萍荪 陈先同 罗维根 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期389-395,共7页
本文研究了一种以水为溶剂的Ba0．5Sr0.5TiO3（BST）液体源溶液，并用Sol－Gel技术制备出BST薄膜，实验中，对水基BST液体源浓缩凝胶进行了DTA／TGA分析，XRD谱分析显示，BST膜呈现纯钙钛矿相结构．从SEM电镜照片可以看到，BST薄膜厚度... 本文研究了一种以水为溶剂的Ba0．5Sr0.5TiO3（BST）液体源溶液，并用Sol－Gel技术制备出BST薄膜，实验中，对水基BST液体源浓缩凝胶进行了DTA／TGA分析，XRD谱分析显示，BST膜呈现纯钙钛矿相结构．从SEM电镜照片可以看到，BST薄膜厚度均匀一致，650℃热处理20min后，晶粒大小为200nm左右．性能测试结果表明，介电性能与膜厚有关，厚度为1250的BST薄膜具有较优良的介电性能，当测试频率为1kHz时，介电常数为330，介电损耗为0.043左右． 展开更多
关键词 钙钛矿 介电常数 介电损耗 溶胶凝胶法 薄膜
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磁控溅射法制备AZO薄膜的工艺研究 被引量：15
5
作者 张丽伟 卢景霄 +5 位作者 段启亮 王海燕 李瑞 靳锐敏 王红娟 张宇翔 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期46-48,共3页
用XRD测试仪、分光光度计、四探针等测试仪器,探讨了制备气氛、退火温度和退火环境对AZO薄膜光电性能及结构的影响。结果表明:氧气和氩气的体积流量比为2∶1时,薄膜透光率最高(95.33%);退火有利于薄膜结晶;低于400℃退火时,温度越高薄... 用XRD测试仪、分光光度计、四探针等测试仪器,探讨了制备气氛、退火温度和退火环境对AZO薄膜光电性能及结构的影响。结果表明:氧气和氩气的体积流量比为2∶1时,薄膜透光率最高(95.33%);退火有利于薄膜结晶;低于400℃退火时,温度越高薄膜电阻越小,超过400℃后,真空中退火温度再升高电阻变化不大,而空气中退火温度再升高电阻反而变大。 展开更多
关键词 无机非金属材料 AZO薄膜 磁控溅射法 制备气氛 退火温度
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自组装膜技术在电分析化学中的研究与应用 被引量：21
6
作者 李景虹 程广金 董绍俊 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第9期1093-1099,共7页
本文对自组膜（SAMs）在电分析化学中的研究和应用进行了比较全面的综述。SAMs是单分子膜化学修饰电极发展的最高形式，本文着重阐述了硫醇／金单分子层自组膜在微电极、生物电化学和生物传感器、液相色谱电化学、电催化、光谱电化学等... 本文对自组膜（SAMs）在电分析化学中的研究和应用进行了比较全面的综述。SAMs是单分子膜化学修饰电极发展的最高形式，本文着重阐述了硫醇／金单分子层自组膜在微电极、生物电化学和生物传感器、液相色谱电化学、电催化、光谱电化学等电分析化学研究领域中的应用，并进行了展望。 展开更多
关键词 自组膜 硫醇 化学修饰电极 电分析化学
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界面电子转移对纳米TiO_2薄膜导电性的影响 被引量：6
7
作者 顾广瑞 何志 +4 位作者 李英爱 张崇才 李卫青 殷红 赵永年 《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期273-275,共3页
研究纳米 Ti O2 薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系 .结果表明 ,沉积在 Ti和Si基底上的 Ti O2 薄膜的电阻率随着膜厚的增加而非线性增大 ,分别经历了导体、半导体到绝缘体或半导体到绝缘体的电阻率范围的变化过程 ,Ti O2 薄膜导... 研究纳米 Ti O2 薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系 .结果表明 ,沉积在 Ti和Si基底上的 Ti O2 薄膜的电阻率随着膜厚的增加而非线性增大 ,分别经历了导体、半导体到绝缘体或半导体到绝缘体的电阻率范围的变化过程 ,Ti O2 薄膜导电层厚度也不相同 ,沉积在玻璃表面 Ti O2 薄膜为绝缘体 .这些现象是界面电子在界面的转移所致 。 展开更多
关键词 导电性 纳米TIO2薄膜 电阻率 界面电子转移 薄膜厚度 基底材料 二氧化钛
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PZT铁电薄膜Sol-Gel技术制备和电性能研究 被引量：6
8
作者 夏冬林 刘梅冬 +1 位作者 赵修建 周学东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期354-360,共7页
以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)、硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,通过在Pt/Ti/siO2/si基片与PZT薄膜之间引入PT种子层,采用改进的sol-gel工艺制备出无裂纹,致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀的单... 以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)、硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,通过在Pt/Ti/siO2/si基片与PZT薄膜之间引入PT种子层,采用改进的sol-gel工艺制备出无裂纹,致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀的单一钙钛矿结构的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3铁电薄膜.实验结果表明,具有PT种子层的PZT铁电薄膜电性能较好.经600℃热处理的具有PT种子层的PZT薄膜,在1kHz测试频率下,其剩余极化强度和矫顽场分别为20μC/cm2和59kV/cm,介电常数和介电损耗分别为385和0.030. 展开更多
关键词 锆钛酸铅 PZT铁电薄膜 电性能 PT种子层 SOL-GEL法 热处理 电滞回线 I-V特性 介电常数
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V_2O_5薄膜电荷储存特性研究 被引量：6
9
作者 吴广明 吴永刚 +4 位作者 倪星元 周箴 张慧琴 金哲民 吴翔 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期545-550,共6页
本文采用真空蒸发制备了V2O5薄膜，用电化学方法从Li离子电解质中向V2O5薄膜注入Li离子.研究了V2O5薄膜中Li离于储存特性、注入／退出可逆性以及电荷注入对其光学性能的影响．实验结果表明，V2O5薄膜具有较好的Li离子储存特性和注入／... 本文采用真空蒸发制备了V2O5薄膜，用电化学方法从Li离子电解质中向V2O5薄膜注入Li离子.研究了V2O5薄膜中Li离于储存特性、注入／退出可逆性以及电荷注入对其光学性能的影响．实验结果表明，V2O5薄膜具有较好的Li离子储存特性和注入／退出可逆性，Li离子的注入量受到膜中V5+的含量以及锂离子可占据的总位置数限制，而且离子注入后V2O5薄膜的光学性能变化较小． 展开更多
关键词 电化学 电致变色 氧化矾薄膜 蒸空蒸发 电荷储存
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一种可擦写可读出的分子基电双稳器件 被引量：5
10
作者 徐伟 郭鹏 +3 位作者 吕银祥 刘春明 蔡永挚 华中一 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期401-403,共3页
报道一种可以连续可逆转换的分子基电双稳薄膜器件Ag/BN4 /Al,其中BN4为分子材料。该器件在较强电场 (约为 6V)作用下表现为高阻态 (“0”态 ) ,阻值大于 10 5Ω ;而在较弱的电场 (<2V)作用下则为低阻态 (“1”态 ) ,阻值约为 10 2 ... 报道一种可以连续可逆转换的分子基电双稳薄膜器件Ag/BN4 /Al,其中BN4为分子材料。该器件在较强电场 (约为 6V)作用下表现为高阻态 (“0”态 ) ,阻值大于 10 5Ω ;而在较弱的电场 (<2V)作用下则为低阻态 (“1”态 ) ,阻值约为 10 2 Ω ,两种状态的阻抗比 10 3 ～ 10 5。改变外加电场的大小 ,器件的两种状态随之发生多次转变 ,转换次数可超过 10 3 。高阻态和低阻态的状态信息还可以用一个小电压脉冲 (0 2V)来读取。这种简单器件具有可擦写可读出功能 ,可用于制作分子基开关和分子基存贮器。 展开更多
关键词 电双稳 分子 逆转换 可逆 连续 强电场 次数 器件 可擦写 高阻
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TiO_x薄膜电阻稳定性及氧敏特性的研究 被引量：5
11
作者 徐明霞 王卫艳 +2 位作者 郑嘹赢 窦雁巍 徐廷献 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期726-731,共6页
分别采用无机盐的水解－沉淀法和醇盐的溶胶－凝胶法两种工艺在Ａｌ２Ｏ３基片上制备ＴｉＯｘ（ｘ＝１—２．０）薄膜，研究了薄膜结构及氧敏特性．结果表明：水解－沉淀法的膜层粒子分布均匀，工艺易控制；溶胶－凝胶法的膜层粒子更细... 分别采用无机盐的水解－沉淀法和醇盐的溶胶－凝胶法两种工艺在Ａｌ２Ｏ３基片上制备ＴｉＯｘ（ｘ＝１—２．０）薄膜，研究了薄膜结构及氧敏特性．结果表明：水解－沉淀法的膜层粒子分布均匀，工艺易控制；溶胶－凝胶法的膜层粒子更细微，相变温度较低．两种工艺制得的超微粒薄膜都具有很好的电阻－温度稳定性．膜层粒子愈超细化，分布愈均匀，氧敏特性愈高；薄膜厚度与气体检测灵敏度有密切关系，具有最佳膜层厚度值，两种工艺获得的薄膜最佳厚度稍有差异． 展开更多
关键词 氧化钛 超微粒薄膜 电阻 稳定性 半导体 氧敏性
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多壁碳纳米管气敏性质的研究 被引量：13
12
作者 万步勇 王万录 +4 位作者 廖克俊 吴子华 王永田 余鹏 孙鹏 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2003年第5期323-327,共5页
本文对多壁碳纳米管薄膜在外界中的气敏性质进行了研究。实验结果表明,空气中,多壁碳纳米管薄膜对水分子的吸收是最主要的作用,并讨论了其气敏性质与薄膜比表面积及化学修饰之间的关系。
关键词 碳纳米管 气敏性质 比表面积 化学修饰
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铅基钙钛矿型结构铁电薄膜的介电及热释电性能研究 被引量：6
13
作者 刘梅冬 陈实 +5 位作者 曾亦可 饶韫华 李楚容 陈磊 潘晓光 邓传益 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期100-101,共2页
用改进的溶胶 -凝胶旋转涂覆技术 ,在Pt/Ti/SiO2 /Si基片上研制出 1～ 2 μm厚 ,具有钙钛矿型结构的PbTiO3、PLT和PZT铅基铁电薄膜。该类铁电薄膜具有良好的结晶特性、优异的介电和热释电性能。
关键词 铁电薄膜 溶胶-凝胶 介电性能 热释电性能
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航天器用聚合物介质抗内带电改性技术 被引量：9
14
作者 郑晓泉 李盛涛 +2 位作者 乌江 秦晓刚 王立 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期44-47,共4页
文摘采用对航天器聚合物介质进行非线性电导改性的方法消除或削弱材料的内带电现象,以期达到消除介质脉冲放电对航天器可靠性的威胁的目标。实验研究发现,采用具有非线性电导率特性的粉粒(添加剂)对航天器用PTFE和EP进行改性,该两种复... 文摘采用对航天器聚合物介质进行非线性电导改性的方法消除或削弱材料的内带电现象,以期达到消除介质脉冲放电对航天器可靠性的威胁的目标。实验研究发现,采用具有非线性电导率特性的粉粒(添加剂)对航天器用PTFE和EP进行改性,该两种复合介质材料均可产生显著的非线性电导特性。而且,该种添加剂可以显著降低PTFE的非线性电导阈值,改变EP的非线性电导特性的陡度,而不会对两种材料的直流电气强度产生显著影响。 展开更多
关键词 航天器介质 非线性 电导 改性
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溶胶—凝胶方法在玻璃表面制备ATO薄膜过程中Na^+离子扩散的研究 被引量：12
15
作者 赵慧峰 周敖 罗伍文 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 1999年第3期40-42,共3页
利用金属醇盐以溶胶－凝胶方法制备了Ｓｂ掺杂ＳｎＯ２（ＡＴＯ）薄膜，研究了玻璃基板中Ｎａ＋离子扩散对薄膜性能的影响及其机理，并进行了在玻璃表面预镀ＳｉＯ２底膜以防止这种扩散的研究工作。
关键词 溶胶凝胶 ATO 薄膜 扩散 导电 钠离子 TCO
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金属薄膜形成过程中电导特性变化的有效媒质理论 被引量：5
16
作者 曹晓晖 唐兆麟 +2 位作者 黄荣芳 闻立时 师昌绪 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期404-408,共5页
利用有效媒质理论描述了金属薄膜形成过程中电导率变化规律，与实验测得的Ａｌ薄膜形成过程中电导率变化结果比较接近．分析和讨论了一些影响计算结果准确性的因素．
关键词 薄膜 电导率 有效媒质理论 金属
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新型透明导电薄膜In_2O_3∶Mo 被引量：9
17
作者 孟扬 杨锡良 +4 位作者 陈华仙 沈杰 蒋益明 章壮健 华中一 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第5期331-335,共5页
MoO3的饱和蒸气压较高 ,可以直接用热反应蒸发法制备In2 O3∶Mo(IMO)透明导电薄膜。XPS和XRD测试结果证明 ,IMO薄膜中的Mo是以Mo6+ 离子形式取代了In2 O3 晶格中的In3+ 离子而存在的 ,没有形成新的化合物 ,也没有改变In2 O3 的体心立方... MoO3的饱和蒸气压较高 ,可以直接用热反应蒸发法制备In2 O3∶Mo(IMO)透明导电薄膜。XPS和XRD测试结果证明 ,IMO薄膜中的Mo是以Mo6+ 离子形式取代了In2 O3 晶格中的In3+ 离子而存在的 ,没有形成新的化合物 ,也没有改变In2 O3 的体心立方晶格结构。在不进行退火、放电等工艺处理的情况下 ,用常规的反应蒸发法 ,在约 35 0℃ ,1 2mm厚的载玻片上制备的IMO薄膜在可见光区域的平均透射比 (含玻璃基底 )可超过 0 80 ,同时电阻率可以低至 1 7× 10 -4 Ωcm。 展开更多
关键词 透明导电薄膜 掺钼氧化铟 反应蒸发 电导率
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SiO_2和Si_3N_4/SiO_2薄膜表面驻极态的改善 被引量：4
18
作者 夏钟福 邱勋林 +1 位作者 朱伽倩 张冶文 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期208-212,共5页
描述了为改善其表面驻极态的抗湿能力 ,对 Si基 Si3N4 和 Si3N4 /Si O2 薄膜驻极体所进行的化学表面修正的基本原理。以六甲基二硅胺烷 (HMDS)和二氯二甲基硅烷 (DCDMS)两种化学修正试剂对这类薄膜驻极体的改性效果进行了对比性的研究... 描述了为改善其表面驻极态的抗湿能力 ,对 Si基 Si3N4 和 Si3N4 /Si O2 薄膜驻极体所进行的化学表面修正的基本原理。以六甲基二硅胺烷 (HMDS)和二氯二甲基硅烷 (DCDMS)两种化学修正试剂对这类薄膜驻极体的改性效果进行了对比性的研究。结果指出 :从抗湿能力考虑 ,经 DCDMS修正的氮、氧化硅驻极体的电荷稳定性优于 HMDS处理的样品 ,是由于这类修正形成了更完善的表面单分子疏水层 ;但如果从驻极体的储电热稳定性方面考虑 ,以 HMDS处理的样品优于 DCDMS样品 ,是由于被 HMDS修正的表面层内形成了较高浓度的深能级陷阱。 展开更多
关键词 化学表面修正 抗湿能力 电荷 热稳定性 六甲基二硅胺烷 二氯二甲基硅烷
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RF反应溅射条件对ZnO透明导电薄膜的影响 被引量：6
19
作者 倪星元 吴永刚 +3 位作者 吴广明 周箴 张慧琴 金哲民 《材料科学与工程》 CAS CSCD 1998年第2期43-45,71,共4页
ＺｎＯ薄膜是具有多种特性的功能薄膜。采用ＲＦ磁控反应溅射的方法可制备出较高质量的ＺｎＯ透明导电薄膜。该薄膜的电阻率为７．５×１０－３Ωｃｍ；可见光透射率约为８５％；载流子浓度为５．７×１０１９ｃｍ－３；霍尔迁... ＺｎＯ薄膜是具有多种特性的功能薄膜。采用ＲＦ磁控反应溅射的方法可制备出较高质量的ＺｎＯ透明导电薄膜。该薄膜的电阻率为７．５×１０－３Ωｃｍ；可见光透射率约为８５％；载流子浓度为５．７×１０１９ｃｍ－３；霍尔迁移率为５．９９ｃｍ２／ｖ·ｓ。影响ＺｎＯ透明导电薄膜性能的因素很多，但是溅射用的靶体材料，反应溅射时的温度控制以及反应的氧气氛的控制尤为重要，实验表明使用掺有３．０ｗｔ％Ａｌ２Ｏ３的ＺｎＯ靶，基片温度控制在３００℃，氧氩比为１∶１０能制备出性能比较好的透明导电薄膜。本文对这三方面的影响进行实验并讨论了有关结果。 展开更多
关键词 薄膜 RF溅射 透明导电薄膜 氧化锌
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碳纤维增强水泥基复合材料(CFRC)的电学特性 被引量：7
20
作者 王振军 李克智 王闯 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第23期47-51,共5页
综述了碳纤维增强水泥基复合材料(CFRC)电学特性的研究进展,探讨了CFRC的电磁屏蔽性能和导电性能研究中的相关问题,阐述了原材料、配合比和表面处理对CFRC电磁屏蔽性能的影响,明确了碳纤维分散性和试验方法对CFRC导电性能的影响规律以及... 综述了碳纤维增强水泥基复合材料(CFRC)电学特性的研究进展,探讨了CFRC的电磁屏蔽性能和导电性能研究中的相关问题,阐述了原材料、配合比和表面处理对CFRC电磁屏蔽性能的影响,明确了碳纤维分散性和试验方法对CFRC导电性能的影响规律以及CFRC在工程结构中的应用状况,展望了CFRC的发展方向,指出碳纤维分散性、测试方法、温度和应力等多因素条件是CFRC电学特性将来的研究重点。 展开更多
关键词 碳纤维增强水泥基复合材料(CFRC) 电学特性 电磁屏蔽 导电性能
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