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图案表面粗糙度对有机分子区域选择性生长的影响
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作者 聂青苗 石亮 +5 位作者 汪长超 蒋悦 陈乃波 胡来归 王文冲 鄢波 《浙江工业大学学报》 北大核心 2025年第1期52-57,共6页
区域选择性生长(ASG),即有机分子在预图案表面上的自组装技术,在有机微/纳米图案化方面具有巨大的发展潜力。为了研究图案表面粗糙度在ASG中的明确作用,在粗粒化各向异性相互作用的动力学蒙特卡罗(KMC)模型中引入了无序强度参数描述图... 区域选择性生长(ASG),即有机分子在预图案表面上的自组装技术,在有机微/纳米图案化方面具有巨大的发展潜力。为了研究图案表面粗糙度在ASG中的明确作用,在粗粒化各向异性相互作用的动力学蒙特卡罗(KMC)模型中引入了无序强度参数描述图案表面粗糙度,进一步模拟了有机分子在不同表面粗糙度图案上的沉积行为。研究结果表明图案表面粗糙度会影响有机分子沉积形貌:表面越光滑,图案顶部生长的薄膜越厚;相反,当图案表面变得更粗糙时,粒子更倾向于以台阶边缘诱导的方式生长在图案的间隔处,与实验结果高度吻合。由此可见粗糙度可用于控制有机图案的成核分配,以实现不同的应用,如全彩显示器和微透镜阵列。 展开更多
关键词 区域选择性生长 动力学蒙特卡罗 有机分子
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面向10 kV以上碳化硅器件耐压区厚外延技术研究
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作者 房玉龙 李帅 +3 位作者 芦伟立 王健 李建涛 王波 《微纳电子技术》 2025年第6期20-26,共7页
随着10 kV及以上超高压碳化硅(SiC)功率器件在柔性输电等领域的需求增长,开发低位错、低缺陷密度、长少子寿命的厚外延材料成为关键挑战,是当前SiC材料研究的核心问题。基于单片水平式SiC外延设备,通过引入双界面调制缓冲层外延生长技术... 随着10 kV及以上超高压碳化硅(SiC)功率器件在柔性输电等领域的需求增长,开发低位错、低缺陷密度、长少子寿命的厚外延材料成为关键挑战,是当前SiC材料研究的核心问题。基于单片水平式SiC外延设备,通过引入双界面调制缓冲层外延生长技术,成功实现了对缓冲层与衬底及漂移层之间界面应力的调控,显著降低了外延片基平面位错密度,结合漂移层生长速率、缓冲层工艺以及C/Si比的协同优化,显著提升了4H-SiC厚外延材料的性能。实验结果表明:优化后的缓冲层工艺通过渐变掺杂设计有效调控界面应力,将基平面位错密度从1.5 cm^(-2)降至0.07 cm^(-2);同时,通过将生长速率提升至70μm/h并优化C/Si比至0.85,成功制备了厚度100μm、掺杂浓度2.5×10^(14)cm^(-3)的高质量外延层,原生少子寿命均值达1.76μs,材料均匀性及表面缺陷密度均满足10 kV以上超高压器件耐压区需求。 展开更多
关键词 超高压 基平面位错 C/Si比 双界面调制缓冲层 少子寿命
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机器学习在分子束外延生长的应用进展
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作者 杨再洪 周灿 +3 位作者 范柳燕 张燕辉 陈泽中 陈平平 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第6期924-934,共11页
最近几年,人工智能在材料领域得到广泛应用,机器学习在分子束外延(MBE)技术中的应用引人关注。基于原位反射高能电子衍射(RHEED)及相关物性的智能识别和反馈的MBE技术,能够显著提升生长材料的质量和生长效率,有望实现薄膜的MBE智能外延... 最近几年,人工智能在材料领域得到广泛应用,机器学习在分子束外延(MBE)技术中的应用引人关注。基于原位反射高能电子衍射(RHEED)及相关物性的智能识别和反馈的MBE技术,能够显著提升生长材料的质量和生长效率,有望实现薄膜的MBE智能外延。本综述聚焦机器学习MBE中的应用研究,首先介绍了MBE中常用的机器学习算法模型,阐述了机器学习在优化MBE生长条件中的应用,着重总结了不同材料体系(半导体薄膜和量子结构材料、氧化物材料和二维材料等)基于RHEED图像机器学习的研究进展,并就存在的问题和未来的发展策略进行了总结展望。 展开更多
关键词 分子束外延 机器学习 反射高能电子衍射 Ⅲ-Ⅴ族半导体材料 人工智能
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高浓度钪掺杂氮化铝压电薄膜制备研究
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作者 徐涛 王雷 +4 位作者 李小龙 张笑天 郁元卫 姜理利 黄旼 《固体电子学研究与进展》 2025年第4期62-67,共6页
采用铝-钪双靶反应磁控溅射技术制备出30%浓度钪(Sc)掺杂的高质量氮化铝(AlN)压电薄膜。分析了溅射功率和气体流量对应力的影响,实现在-250~200 MPa范围内应力可调。面内应力分布均匀,平均应力为6.49 MPa时,面内应力变化值和标准偏差分... 采用铝-钪双靶反应磁控溅射技术制备出30%浓度钪(Sc)掺杂的高质量氮化铝(AlN)压电薄膜。分析了溅射功率和气体流量对应力的影响,实现在-250~200 MPa范围内应力可调。面内应力分布均匀,平均应力为6.49 MPa时,面内应力变化值和标准偏差分别为61.72 MPa和13.46 MPa。结合离子束刻蚀技术,膜厚均匀性可由0.77%减小至0.09%,膜厚标准偏差为0.4 nm。研究高温退火对薄膜晶体质量的影响,退火处理不会引入额外的物相,薄膜(002)晶面摇摆曲线半峰宽可至1.37°。优化工艺参数和衬底类型,减少薄膜表面异常晶粒。 展开更多
关键词 掺钪氮化铝 反应磁控溅射 厚度均匀性 应力 C轴取向
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LiNbO_(3)/ITO异质结薄膜的制备及光电性质研究
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作者 朱家怡 杜帅 +2 位作者 周鹏飞 郑凡 陈云琳 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第5期819-824,共6页
在200℃下采用磁控溅射方法在玻璃衬底与硅基板上溅射沉积LiNbO_(3)/ITO(LN/ITO)异质结薄膜。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见分光光度计和变温霍尔效应等测试了该薄膜的结构、形貌及光电性质。XRD测试结果表明,相比于... 在200℃下采用磁控溅射方法在玻璃衬底与硅基板上溅射沉积LiNbO_(3)/ITO(LN/ITO)异质结薄膜。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见分光光度计和变温霍尔效应等测试了该薄膜的结构、形貌及光电性质。XRD测试结果表明,相比于ITO/LN,LN/ITO叠层顺序有更优的生长取向和结晶性能。AFM结果显示,200℃下异质结薄膜表面较为平整,鲜少有凸起。通过紫外可见分光光度计透光性能测试,相比于LN单层薄膜,叠层后的异质结薄膜的透光率在可见光范围内有所提高,且退火后异质结薄膜透光性进一步增强。利用变温霍尔效应测试仪研究了LN/ITO异质结的电学性质,测试结果表明LN/ITO异质结薄膜为p型半导体;与LN单层薄膜相比,LN/ITO异质结薄膜的电导率提高了11个数量级。 展开更多
关键词 LN/ITO薄膜 异质结 磁控溅射镀膜 透光率 霍尔效应
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离子束辅助沉积对HfO_(2)薄膜极化行为的影响
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作者 李德鹏 金永军 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 2025年第3期268-275,共8页
采用离子束辅助沉积工艺制备了HfO_(2)薄膜。采用扫描电子显微镜表征了薄膜的表面形貌和生长率,利用X射线衍射和快速退火工艺研究了薄膜的结晶温度和物相,使用铁电测试仪研究了薄膜的极化特性,并探讨了辅助沉积条件和底电极的选择对极... 采用离子束辅助沉积工艺制备了HfO_(2)薄膜。采用扫描电子显微镜表征了薄膜的表面形貌和生长率,利用X射线衍射和快速退火工艺研究了薄膜的结晶温度和物相,使用铁电测试仪研究了薄膜的极化特性,并探讨了辅助沉积条件和底电极的选择对极化行为的影响。XRD测试结果显示,当退火温度高于600℃,HfO_(2)薄膜出现明显晶化且具有马氏体相结构。由离子束辅助沉积导致的择优取向增强了顺电的极化特性,且漏电流密度随离子束流增大而减小。与Pt基底相比,TiN作为底电极薄膜具有更大极化率。 展开更多
关键词 HfO_(2)薄膜 马氏体相 退火温度 极化特性 离子束辅助沉积
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AlTe薄膜的外延生长与电子性质研究
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作者 秦景浩 万晓蓓 +8 位作者 尹雅诗 李建伟 陈通通 张文佳 赵德伟 曹利盈 白珂珂 王文晓 宋俊涛 《河北师范大学学报(自然科学版)》 2025年第6期566-572,共7页
采用分子束外延方法在Al(111)衬底上制备出高质量AlTe薄膜,并采用扫描隧道显微镜(STM)、角分辨光电子能谱(ARPES)和第一性原理计算对AlTe薄膜的晶体结构及能带结构进行了系统研究.结果表明,AlTe薄膜与Al(111)衬底之间的晶格失配导致莫... 采用分子束外延方法在Al(111)衬底上制备出高质量AlTe薄膜,并采用扫描隧道显微镜(STM)、角分辨光电子能谱(ARPES)和第一性原理计算对AlTe薄膜的晶体结构及能带结构进行了系统研究.结果表明,AlTe薄膜与Al(111)衬底之间的晶格失配导致莫尔图案的形成.AlTe薄膜具有3组空穴型能带,主要由Te原子的平面内轨道p_(x)和p_(y)贡献,并在自旋-轨道耦合(SOC)作用下产生约0.55eV的能带劈裂,表明SOC效应对Ⅲ~Ⅵ族化合物的电子结构具有重要调节作用.本研究为AlTe薄膜在新型功能材料开发中的应用提供了重要实验依据及理论支撑. 展开更多
关键词 碲化铝 分子束外延 扫描隧道显微镜 角分辨光电子能谱
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Mist-CVD法生长LiGa_(5)O_(8)单晶薄膜及其导电机理研究
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作者 赵昊 余博文 +6 位作者 李琪 李光清 刘医源 林娜 李阳 穆文祥 贾志泰 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第6期997-1004,共8页
宽禁带氧化物半导体普遍存在n型掺杂容易,p型掺杂较为困难的现象。Li_(Ga)_(5)O_(8)是一种理论上能够进行双极性掺杂的新型氧化物半导体材料,本文利用雾化学气相沉积(mist-CVD)法生长非故意掺杂的高质量Li_(Ga)_(5)O_(8)单晶薄膜,并对... 宽禁带氧化物半导体普遍存在n型掺杂容易,p型掺杂较为困难的现象。Li_(Ga)_(5)O_(8)是一种理论上能够进行双极性掺杂的新型氧化物半导体材料,本文利用雾化学气相沉积(mist-CVD)法生长非故意掺杂的高质量Li_(Ga)_(5)O_(8)单晶薄膜,并对薄膜质量、光学、电学等性能进行表征。测试结果发现生长的Li_(Ga)_(5)O_(8)薄膜结晶质量较好,厚度为484 nm,表面粗糙度较低(Rq=2.48 nm,Ra=1.73 nm),具有5.22 eV的宽光学带隙;Li、Ga、O元素含量比约为1∶5∶8,薄膜具有n型导电特性。当继续增加Li的比例时薄膜导电性变差,但未具有p型导电特性。利用获得的Li_(Ga)_(5)O_(8)薄膜制备光电探测器,发现其在波长254 nm光照下具有良好的I-V和I-t特性。通过理论计算富氧条件Li_(Ga)_(5)O_(8)中的本征缺陷Ga_(Li)和Li_(Ga),发现Ga_(Li)缺陷形成能非常低,引入浅的施主能级,从而导致薄膜的n型导电特性;同时当Li的比例增加时Ga_(Li)缺陷补偿Li受体,使薄膜几乎不导电。 展开更多
关键词 宽禁带氧化物半导体 LiGa_(5)O_(8)单晶薄膜 雾化学气相沉积法 n型导电 本征缺陷
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垂直热壁CVD反应器中C/Si比对SiC高速同质外延生长的影响研究
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作者 陈丹莹 闫龙 +6 位作者 罗稼昊 郑振宇 姜勇 张凯 周宁 廖宸梓 郭世平 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第4期569-580,共12页
本文结合计算流体力学(CFD)实验与模拟,对垂直热壁晶圆高速旋转CVD设备中SiC的同质外延生长机制进行研究,探讨了晶圆表面C/Si比对外延生长速率及载流子掺杂浓度的影响。结果表明晶圆表面上方碳原子对硅原子的摩尔比(记为有效C/Si比)与... 本文结合计算流体力学(CFD)实验与模拟,对垂直热壁晶圆高速旋转CVD设备中SiC的同质外延生长机制进行研究,探讨了晶圆表面C/Si比对外延生长速率及载流子掺杂浓度的影响。结果表明晶圆表面上方碳原子对硅原子的摩尔比(记为有效C/Si比)与气体进口处C/Si比存在偏差。这一差异主要来自于气相传输过程中反应组分的重新分布,以及反应前驱体在气体进口处和/或热壁上的寄生沉积。研究了有效C/Si比对生长速率和掺杂浓度的影响,结果表明,外延生长速率、载流子掺杂浓度及其均匀性主要受到表面C/Si比而非进口处C/Si比的影响。通过优化生长条件,实现了高质量的6英寸(1英寸=2.54 cm)外延片生长,其厚度和掺杂浓度均匀性分别为1.15%和2.68%。在此基础上,获得了同等质量的8英寸SiC外延层,并实现了超过50μm厚的SiC外延层快速生长。 展开更多
关键词 碳化硅 同质外延 化学气相沉积 C/Si比 CFD模拟仿真
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硅基BaTiO_(3)外延薄膜的晶格弛豫行为与畴结构调控
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作者 许多 孙浩滢 +6 位作者 王志超 沈葛梁 张弘毅 文宗涵 韩露 邓昱 聂越峰 《硅酸盐学报》 北大核心 2025年第9期2461-2468,共8页
钛酸钡(BaTiO_(3),BTO)薄膜因其优异的电光效应在集成光子器件中具有重要的应用潜力。然而,在硅衬底上实现高质量BTO薄膜的外延生长并有效调控其面内极化以实现电光系数最大化仍面临关键挑战。采用氧化物分子束外延技术,结合原位反射高... 钛酸钡(BaTiO_(3),BTO)薄膜因其优异的电光效应在集成光子器件中具有重要的应用潜力。然而,在硅衬底上实现高质量BTO薄膜的外延生长并有效调控其面内极化以实现电光系数最大化仍面临关键挑战。采用氧化物分子束外延技术,结合原位反射高能电子衍射(RHEED)实时监控,Si基片上的外延钛酸锶(SrTiO_(3),STO)缓冲层在12.5个单胞层(ML)后完成晶格弛豫,显著降低了BTO薄膜与Si衬底的晶格失配度,为Si基片上外延BTO提供了良好的过渡层。在STO上外延更大晶格常数的BTO薄膜时,晶格在界面至30 nm之间完成弛豫过程。降温时,由于硅衬底的热膨胀系数较低,BTO薄膜受衬底约束,保持了弛豫后的大面内晶格常数,从而获得了面内铁电极化。基于此方法制备的2in的300 nm BTO晶圆膜展现出优异的晶体质量,摇摆曲线半峰宽为0.45°,表面粗糙度小于0.2 nm,c/a=0.994<1,并具有显著的面内多畴结构。上述原位监控技术为分析BTO薄膜外延过程中的晶格弛豫及畴结构调控提供了关键信息,为硅基BTO电光器件集成奠定了材料基础。 展开更多
关键词 钛酸钡 分子束外延 硅基异质集成 应变调控 面内极化
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沉积温度对原子层沉积TiO_(2)薄膜的生长速率及晶型结构的影响研究
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作者 李翔 蔡华 +5 位作者 赵璇 孟凡禹 马梦楠 刘辉 朱悦洋 李开铭 《中国建材科技》 2025年第5期74-77,82,共5页
本研究采用原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)技术,以TiCl_(4)和O_(3)为前驱体,在微通道板CML865玻璃衬底上制备TiO_(2)薄膜,系统研究了150-400℃沉积温度对薄膜生长速率及晶型结构的影响。通过X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子... 本研究采用原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)技术,以TiCl_(4)和O_(3)为前驱体,在微通道板CML865玻璃衬底上制备TiO_(2)薄膜,系统研究了150-400℃沉积温度对薄膜生长速率及晶型结构的影响。通过X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对薄膜进行表征,结果表明:沉积温度对TiO_(2)薄膜的生长行为和晶型结构具有显著调控作用。在150-250℃范围内,薄膜呈无定形态,生长速率随温度升高从0.026nm/cycle线性增至0.072nm/cycle,这与温度升高促进TiCl_(4)吸附及反应副产物脱附有关,300℃因相变导致薄膜生长速率异常增加,350℃时薄膜生长速率增至最大值0.138nm/cycle,而400℃时由于前驱体吸附位点钝化,薄膜生长速率骤降至0.026nm/cycle;300℃为TiO_(2)锐钛矿相的临界结晶温度,此时开始出现锐钛矿相特征衍射峰;400℃时薄膜结晶度最佳,且均为单一锐钛矿相,无其他杂相。本研究揭示了非晶衬底上TiO_(2)薄膜的低温结晶机制,明确了ALD技术调控其晶相结构的温度窗口,为TiO_(2)薄膜在透明功能薄膜、电子倍增功能改性薄膜等领域的应用提供了实验依据。 展开更多
关键词 二氧化钛薄膜 生长速率 原子层沉积 晶型结构 锐钛矿相
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The Influence of PEG Content on the Antireflection and Self-cleaning Performance of TiO_(2) Thin Films on Photovoltaic Glass Surfaces
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作者 LIU Jiacheng ZHANG Jihong XIE Jun 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 2025年第4期994-1004,共11页
We investigated the influence of PEG on the surface morphology,photocatalytic performance,photovoltaic conversion efficiency(PCE),and performance in complex environments of TiO_(2)-PEG composite films.The PEG content ... We investigated the influence of PEG on the surface morphology,photocatalytic performance,photovoltaic conversion efficiency(PCE),and performance in complex environments of TiO_(2)-PEG composite films.The PEG content was varied to further optimize the comprehensive performance of the composite films.Using titanium isopropoxide as the main raw material,TiO_(2)-PEG sol was prepared via sol-gel method and coated on the surface of photovoltaic(PV)glass by spin coating.The surface morphology and crystalline phase of the TiO_(2)-PEG film were analyzed,and the effects of the TiO_(2)-PEG film on the photocatalytic performance,PCE,contact angle,and performance in complex environments of PV glass were studied.The experimental results show that under the specified experimental conditions,when 4 g PEG10000 is added,the comprehensive performance of the coated PV glass reaches its optimum,with an average transmittance of 91.73%at 550 nm.Using methylene blue(MB)dye degradation experiments,the degradation rate after 2 hours of xenon lamp irradiation reaches 98.15%.The photovoltaic conversion efficiency of the composite film reaches 16.33%,and the contact angle is 3.28°,indicating a superhydrophilic state.It is demonstrated that the appropriate amount of PEG can enhance the transmittance,self-cleaning performance,and photovoltaic conversion efficiency of coated PV glass. 展开更多
关键词 thin film PV glass titanium isopropoxide photocatalytic self-cleaning photovoltaic conversion efficiency
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基于ALD的高深宽比微孔光学元件内壁Al_(2)O_(3)薄膜研究
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作者 李明轩 唐吉龙 《微纳电子技术》 2025年第5期94-100,共7页
在微纳光学以及半导体领域中,高深宽比器件如三维芯片、集成电路、微通道板等十分常见。而由于其本身内部结构的复杂性,在器件内部进行薄膜沉积时,高精度的薄膜生长技术至关重要。主要研究了在高深宽比微孔光学器件中,使用原子层沉积(A... 在微纳光学以及半导体领域中,高深宽比器件如三维芯片、集成电路、微通道板等十分常见。而由于其本身内部结构的复杂性,在器件内部进行薄膜沉积时,高精度的薄膜生长技术至关重要。主要研究了在高深宽比微孔光学器件中,使用原子层沉积(ALD)技术沉积氧化铝薄膜。讨论了温度和前驱体暴露量对沉积效率以及沉积结果的影响,并对沉积方案进行优化,最后利用能谱仪对薄膜进行表征,通过对结果的分析可知,微孔内部各处氧化铝薄膜表观浓度以及Al元素质量分数基本一致,所以可以确定在深宽比约为713的微孔玻璃透镜内壁得到了均匀的氧化铝薄膜,证明了优化后方案的可行性。 展开更多
关键词 原子层沉积(ALD)技术 微孔光学 高深宽比 氧化铝薄膜 薄膜均匀性
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Hthd配体的锌前驱体的合成及氧化锌薄膜的原子层沉积
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作者 刘星宇 丁玉强 《生物化工》 2025年第3期78-81,共4页
本文研究β-二酮锌配合物Zn(thd)_(2)的成膜性能,并通过同步热分析仪(TG-DSC)验证了其良好的热稳定性和挥发性。以H_(2)O为氧源,在190~210℃的温度窗口于Si(100)衬底上成功沉积了ZnO薄膜,生长速率为0.22Å/cycle。利用原子力显微镜(... 本文研究β-二酮锌配合物Zn(thd)_(2)的成膜性能,并通过同步热分析仪(TG-DSC)验证了其良好的热稳定性和挥发性。以H_(2)O为氧源,在190~210℃的温度窗口于Si(100)衬底上成功沉积了ZnO薄膜,生长速率为0.22Å/cycle。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜进行了表征,结果表明β-二酮类化合物作为ZnO薄膜前驱体具有可行性。 展开更多
关键词 原子层沉积 Β-二酮 锌前驱体 ZNO薄膜
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氟掺杂氧化锡上制备Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)薄膜
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作者 胡正阳 徐佐秀 +4 位作者 曹丰锐 温伟文 任天利 桂文浩 谈晓辉 《江西冶金》 2025年第3期227-233,共7页
在低成本透明背电极上制备高性能的双面Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)薄膜太阳能电池对CZTSSe薄膜光伏技术的规模化应用具有重要意义。本研究在氟掺杂氧化锡(FTO)薄膜上基于溶液法制备了CZTSSe薄膜,研究了硒化温度、硒化时间和硒蒸气压... 在低成本透明背电极上制备高性能的双面Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)薄膜太阳能电池对CZTSSe薄膜光伏技术的规模化应用具有重要意义。本研究在氟掺杂氧化锡(FTO)薄膜上基于溶液法制备了CZTSSe薄膜,研究了硒化温度、硒化时间和硒蒸气压对CZTSSe薄膜的影响。结果表明,在高温下,FTO与渗入薄膜的硒蒸气发生反应生成SnSe_(2)相,并在薄膜表面上富集硒;在硒化温度为490℃、硒化时间为20 min的条件下,制备的CZTSSe薄膜表面形貌更好,载流子寿命更长。 展开更多
关键词 Cu_(2)ZnSn(S Se)_(4)(CZTSSe) 氟掺杂氧化锡(FTO) 双面薄膜太阳能电池 硒化条件
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6英寸碳化硅外延片小坑缺陷研究 被引量:1
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作者 李帅 房玉龙 +6 位作者 芦伟立 王健 郝文嘉 李建涛 陈宏泰 王波 牛晨亮 《微纳电子技术》 CAS 2024年第7期86-92,共7页
随着碳化硅(SiC)功率器件在新能源汽车、光伏产业、高压输电和智能充电桩等下游领域需求的爆发式增长,对高质量、低缺陷密度SiC外延材料提出了迫切需求。有研究表明,小坑缺陷可能引起器件漏电流增大,影响SiC金属氧化物半导体场效应晶体... 随着碳化硅(SiC)功率器件在新能源汽车、光伏产业、高压输电和智能充电桩等下游领域需求的爆发式增长,对高质量、低缺陷密度SiC外延材料提出了迫切需求。有研究表明,小坑缺陷可能引起器件漏电流增大,影响SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅氧可靠性,因此对外延材料小坑缺陷的研究成为热点之一。采用单片水平式SiC外延设备,在6英寸(1英寸=2.54 cm)偏4°SiC衬底上生长4H-SiC外延层,系统研究了外延工艺对小坑缺陷的影响。采用表面缺陷测试仪对外延层小坑缺陷形貌和数量进行表征,利用表面缺陷测试仪的同步定位系统研究了小坑缺陷的起源与形成机理。研究结果表明,通过优化碳硅比和生长温度,有效降低了4H-SiC外延层小坑缺陷密度,小坑缺陷密度可控制在25 cm^(-2)以下,实现了低缺陷密度的高质量外延材料生长。 展开更多
关键词 4H-SIC 小坑缺陷 高质量外延 碳硅比 生长温度
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ε-Fe_(2)O_(3)/FeO界面结构与相变机理研究 被引量:1
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作者 陈珊珊 靳千千 +6 位作者 熊婷 田敏 姚婷婷 江亦潇 陈春林 马秀良 叶恒强 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期525-531,共7页
本文利用脉冲激光沉积技术在SrTiO_(3)(111)衬底上生长了ε-Fe_(2)O_(3)薄膜,并应用高分辨X射线衍射(HRXRD)、X射线光电子能谱(XPS)和透射电子显微镜(TEM)对薄膜的显微结构进行了系统表征。XRD和XPS的研究结果表明ε-Fe_(2)O_(3)(001)... 本文利用脉冲激光沉积技术在SrTiO_(3)(111)衬底上生长了ε-Fe_(2)O_(3)薄膜,并应用高分辨X射线衍射(HRXRD)、X射线光电子能谱(XPS)和透射电子显微镜(TEM)对薄膜的显微结构进行了系统表征。XRD和XPS的研究结果表明ε-Fe_(2)O_(3)(001)薄膜在SrTiO_(3)(111)衬底上外延生长,薄膜中Fe离子为+3价。TEM的结果表明,在TEM样品制备过程中,由于高能Ar离子束轰击,ε-Fe_(2)O_(3)/SrTiO_(3)界面上容易发生相变形成FeO。ε-Fe_(2)O_(3)/FeO/SrTiO_(3)的外延关系为ε-Fe_(2)O_(3)(001)[110]//FeO(111)[112]//SrTiO_(3)(111)[112]。基于ε-Fe_(2)O_(3)/FeO界面结构与取向关系,分析了离子束辐照诱导ε-Fe_(2)O_(3)→FeO相变的微观机制。 展开更多
关键词 ε-Fe_(2)O_(3) ε-Fe_(2)O_(3)/FeO异质界面 显微结构 相变机制 脉冲激光沉积
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多种方法制备SiO_(2)薄膜及其性能研究 被引量:1
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作者 何亮 王祥宇 +5 位作者 田浩生 杨海林 乐景胜 杨帆 梁佳伟 刘利芹 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第S01期38-41,共4页
二氧化硅(SiO_(2))薄膜因出色的光学、介电、抗刻蚀和优异力学性能等特点,在光学和微电子等多个领域中有着广泛的应用。制备SiO_(2)薄膜的工艺方法及工艺条件都会影响其性能,但目前对其系统性研究仍有欠缺。本工作探讨了磁控溅射和热氧... 二氧化硅(SiO_(2))薄膜因出色的光学、介电、抗刻蚀和优异力学性能等特点,在光学和微电子等多个领域中有着广泛的应用。制备SiO_(2)薄膜的工艺方法及工艺条件都会影响其性能,但目前对其系统性研究仍有欠缺。本工作探讨了磁控溅射和热氧化两种制备方法,以及各种工艺条件对SiO_(2)薄膜性能的影响。首先,研究了磁控溅射过程中溅射功率对沉积速率和膜层粗糙度的影响。结果表明随着溅射功率的增加,沉积速率和膜层粗糙度均增大。其次,创新地利用马弗炉在空气氛围下进行热氧化,并与标准氧化炉的干氧和湿氧氧化进行了比较。结果表明:氧化温度要大于800℃;在900~1100℃氧化速率线性增加;在1200℃时速率增加变缓,由于空气中氧气供应略不足。基于低价位的马弗炉设备成功制备出高质量的SiO_(2)薄膜。随后,对磁控溅射与不同氛围下热氧化制得的SiO_(2)薄膜进行了折射率和抗刻蚀性的表征与对比分析。结果表明热氧化制备的SiO_(2)薄膜具有更高的折射率和更好的抗刻蚀特性。本研究不仅丰富了SiO_(2)薄膜制备的理论基础,还为不同制备方法和不同工艺条件下制得的SiO_(2)薄膜的性能提供了参考,具有较好的理论价值和实践意义。 展开更多
关键词 SiO_(2)薄膜 磁控溅射 热氧化 折射率 抗刻蚀特性
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垂直磁化NiCo_(2)O_(4)外延薄膜中的反常霍尔效应研究 被引量:1
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作者 王婷 王平 +3 位作者 吴勇 张鉴 张德林 姜勇 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第11期11096-11100,11114,共6页
亚铁磁材料NiCo_(2)O_(4)具有高度可调的电荷、自旋、轨道、晶格和缺陷效应,其良好的室温垂直磁各向异性使其在自旋电子学器件中具有重要应用。研究采用磁控溅射法在MgAl 2O_(4)(001)衬底上制备了NiCo_(2)O_(4)薄膜,其具有平整的表面形... 亚铁磁材料NiCo_(2)O_(4)具有高度可调的电荷、自旋、轨道、晶格和缺陷效应,其良好的室温垂直磁各向异性使其在自旋电子学器件中具有重要应用。研究采用磁控溅射法在MgAl 2O_(4)(001)衬底上制备了NiCo_(2)O_(4)薄膜,其具有平整的表面形貌和良好外延结构。12和16 nm的NiCo_(2)O_(4)薄膜均呈现良好的垂直磁各向异性,16 nm的NiCo_(2)O_(4)薄膜中还出现了非常规的电输运特性,从200 K开始,随温度上升,其反常霍尔效应曲线表现出多步磁矩翻转现象,这种变化是由于NiCo_(2)O_(4)中多个磁相的互相叠加。NiCo_(2)O_(4)优异的磁电特性及其高度可调性,为设计高性能自旋电子学器件提供了实验依据。 展开更多
关键词 亚铁磁NiCo_(2)O_(4) 外延薄膜 反常霍尔效应 磁电输运特性
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氧化铪基铁电电容的唤醒-疲劳效应与相结构演变 被引量:2
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作者 辛天骄 王怡炜 +3 位作者 高兆猛 郑赟喆 郑勇辉 成岩 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期277-282,共6页
掺杂氧化铪(HfO_(2))铁电薄膜具有优异的尺寸微缩特性与良好的半导体工艺兼容性,其铁电电容结构兼容主流动态随机存取存储架构,是新型存储器介质材料的有力候选者。HfO_(2)基铁电电容随电学读写操作(循环)次数的增加,其代表“0”和“1... 掺杂氧化铪(HfO_(2))铁电薄膜具有优异的尺寸微缩特性与良好的半导体工艺兼容性,其铁电电容结构兼容主流动态随机存取存储架构,是新型存储器介质材料的有力候选者。HfO_(2)基铁电电容随电学读写操作(循环)次数的增加,其代表“0”和“1”存储状态的剩余极化值会发生先增加后减小的现象,直到存储窗口不足或器件击穿失效,即器件的唤醒和疲劳效应,引发存储的可靠性问题。本文选择基于锆掺杂的HfO_(2)基铁电薄膜(Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2),HZO)制备电容器结构,对不同电学循环次数的电容器切片进行结构表征,发现器件的剩余极化变化与HZO薄膜的微观相结构演变直接相关:(1)唤醒过程剩余极化增加源自四方到铁电正交相的结构转变;(2)铁电正交到单斜相的结构转变是导致疲劳过程剩余极化衰减的重要原因。 展开更多
关键词 掺杂氧化铪 铁电存储 唤醒 疲劳 失效
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