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铌超导薄膜刻蚀残影机理研究及工艺优化
1
作者 王朋阳 陈国强 +9 位作者 修青磊 徐郁 刘舟慧 高鹤 舒诗博 李正伟 顾煜栋 蒋孟奇 周健荣 孙志嘉 《真空科学与技术学报》 北大核心 2026年第3期277-284,共8页
阿里原初引力波望远镜(Ali CMB polarization telescope,AliCPT)是中国第一台也是北半球唯一一台研究原初引力波的大科学装置。为实现其万量级低温超导探测器阵列的批量制备,工艺稳定性尤为关键,其中,铌(Nb)超导薄膜的沉积与刻蚀质量直... 阿里原初引力波望远镜(Ali CMB polarization telescope,AliCPT)是中国第一台也是北半球唯一一台研究原初引力波的大科学装置。为实现其万量级低温超导探测器阵列的批量制备,工艺稳定性尤为关键,其中,铌(Nb)超导薄膜的沉积与刻蚀质量直接决定器件的最终性能。前期研究发现在特定条件下Nb超导薄膜刻蚀后会出现“残影现象”,严重影响了工艺稳定性和器件质量。为研究刻蚀残影形成机理,文章综合运用表面形貌表征、元素成分分析和表面化学状态分析等方法,发现刻蚀区内存在厚度非均匀的光刻胶残留,残留的光刻胶在刻蚀过程中会引发碳氟钝化层厚度差异,进而导致区域内刻蚀程度不同,形成残影现象。文章通过优化清洗工艺和刻蚀工艺,有效抑制了残影缺陷,为低温超导探测器的大规模批量制备提供了技术支撑,同时对颗粒物沉积等共性工艺问题的解决也具有参考价值。 展开更多
关键词 铌超导薄膜 光刻 刻蚀 光刻胶残留 钝化 残影
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同位素^(150)Sm和^(147)Sm核反应靶的制备
2
作者 孙乐妍 孟波 +3 位作者 王华 张榕 马海亮 樊启文 《原子能科学技术》 北大核心 2026年第2期458-465,共8页
通过库仑激发实验研究稀土区Sm系列同位素的核结构需要使用同位素^(150)Sm和^(147)Sm金属单质靶作为核反应靶。为将^(150)Sm_(2)O_(3)和^(147)Sm_(2)O_(3)高效率地还原成^(150)Sm和^(147)Sm金属单质,设计和建立了新型还原与蒸馏装置,研... 通过库仑激发实验研究稀土区Sm系列同位素的核结构需要使用同位素^(150)Sm和^(147)Sm金属单质靶作为核反应靶。为将^(150)Sm_(2)O_(3)和^(147)Sm_(2)O_(3)高效率地还原成^(150)Sm和^(147)Sm金属单质,设计和建立了新型还原与蒸馏装置,研究了Sm_(2)O_(3)的还原与蒸馏工艺,并成功将粉末状^(150)Sm_(2)O_(3)和^(147)Sm_(2)O_(3)还原蒸馏成钟乳石状^(150)Sm和^(147)Sm。结果显示,Zr是一种优选的还原剂,密闭式水冷DLC/Cu针收集器的效果更好,最佳还原温度和还原时间分别为1500℃和30 min,^(150)Sm_(2)O_(3)和^(147)Sm_(2)O_(3)的还原收集效率分别为94.8%和95.3%,还原蒸馏过程几乎没有引入额外的杂质。采用滚轧技术制备自支撑同位素^(150)Sm和^(147)Sm单质靶,厚度分别为2.1 mg/cm^(2)和2.3 mg/cm^(2),材料利用率均接近100%。采用碳弧-超短源衬距离转动衬底蒸发复合镀膜技术制备^(150)Sm/C和^(147)Sm/C靶,使用扫描电子显微镜研究蒸发电流对Sm靶表面质量的影响。结果显示,蒸发电流为75~80 A时沉积的Sm靶表面光洁度较好,无明显缺陷和液滴;C衬厚度为25μg/cm^(2),^(150)Sm和^(147)Sm靶厚度分别为255μg/cm^(2)和267μg/cm^(2),^(150)Sm和^(147)Sm的材料利用率分别为7.19%和7.32%。 展开更多
关键词 ^(150)Sm靶 ^(147)Sm靶 还原蒸馏 滚轧 真空蒸发
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h-LuFeO_(3)/YSZ异质结的显微结构与光学带隙研究
3
作者 钱珍 乔贝贝 +3 位作者 姚婷婷 江亦潇 杨志卿 陈春林 《电子显微学报》 北大核心 2026年第1期27-34,共8页
h-LuFeO_(3)多铁薄膜与衬底构成的高质量异质结是其器件应用的基础,然而高温工艺下的界面稳定性是关键挑战。通过综合运用X射线衍射、透射电子显微术与光谱学分析,本研究系统探讨了h-LuFeO_(3)/YSZ异质结在高温退火过程中的界面演化及... h-LuFeO_(3)多铁薄膜与衬底构成的高质量异质结是其器件应用的基础,然而高温工艺下的界面稳定性是关键挑战。通过综合运用X射线衍射、透射电子显微术与光谱学分析,本研究系统探讨了h-LuFeO_(3)/YSZ异质结在高温退火过程中的界面演化及其对微观结构与光学性质的影响。研究结果表明,高温退火将导致Lu元素和少量Fe元素从h-LuFeO_(3)薄膜向YSZ衬底扩散,Lu和Fe在界面处的偏聚随温度升高而加剧并最终形成(Y,Zr,Lu,Fe)O_(2-x)固溶体扩散层。伴随着界面元素扩散及薄膜微观结构演化,带隙由初始的3.4 eV显著增大至4.2 eV。本工作从原子尺度揭示了界面元素扩散对多铁薄膜性能的决定性调控作用,为多铁异质结的界面设计与工艺优化提供了关键依据。 展开更多
关键词 h-LuFeO_(3)/YSZ异质界面 元素扩散 透射电子显微学 脉冲激光沉积 带隙
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集光效应对InGaN太阳能电池性能的影响研究
4
作者 袁天昊 王党会 +3 位作者 张梦凡 许天旱 冯超宇 赵淑 《电子与封装》 2026年第1期89-94,共6页
InGaN以其高吸收系数、直接带隙特性及与太阳光谱的良好匹配,成为高效光伏电池的理想材料。基于Silvaco仿真软件,研究了室温下不同光照强度对p-n结InGaN太阳能电池性能参数的影响。结果表明,太阳能光伏电池的性能参数均与光照强度具有... InGaN以其高吸收系数、直接带隙特性及与太阳光谱的良好匹配,成为高效光伏电池的理想材料。基于Silvaco仿真软件,研究了室温下不同光照强度对p-n结InGaN太阳能电池性能参数的影响。结果表明,太阳能光伏电池的性能参数均与光照强度具有明显的相关性,其中短路电流密度和功率转换效率受光照强度影响较为明显,而开路电压受光照强度的影响变化较小——这是由于较高的光照强度虽然提高了电子-空穴对的生成率,但同时耗尽区对载流子俘获与复合增大了反向饱和电流。得出的结论对进一步设计和开发更高效能的太阳能光伏电池提供了理论依据。 展开更多
关键词 集光效应 InGaN太阳能电池 功率转换效率 光电性能
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区域选择性原子层沉积的研究现状与发展趋势
5
作者 武晓瑞 欧阳亦 +2 位作者 石建军 陆雪强 左雪芹 《功能材料与器件学报》 2026年第1期53-66,共14页
近年来,随着制造技术进入原子级时代,纳米制造技术取得了显著进步。然而,随着制造尺寸的不断缩小,传统的“沉积—光刻—刻蚀”工艺在精度、效率及成本等方面面临前所未有的挑战,亟须开发新型的技术路线。区域选择性原子层沉积技术可利... 近年来,随着制造技术进入原子级时代,纳米制造技术取得了显著进步。然而,随着制造尺寸的不断缩小,传统的“沉积—光刻—刻蚀”工艺在精度、效率及成本等方面面临前所未有的挑战,亟须开发新型的技术路线。区域选择性原子层沉积技术可利用材料在不同区域的成核差异来实现选择性沉积,因而能够在特定区域实现纳米尺度的高效、精确和可控沉积,被认为是替代传统工艺的潜在技术之一。本文从区域选择性原子层沉积的基本原理出发,系统综述其工艺发展现状,并简要介绍区域选择性原子层沉积的主要应用领域,最后对该技术的未来发展趋势进行展望。 展开更多
关键词 原子层沉积 区域选择性沉积 纳米制造 原子制造
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8英寸4H-SiC的P型高掺杂外延生长与缺陷控制研究
6
作者 江奕天 叶正 +6 位作者 蔡子东 伍子豪 房育涛 夏云 陈刚 胡浩林 万玉喜 《人工晶体学报》 北大核心 2026年第3期395-402,共8页
本文针对高压碳化硅(SiC)功率器件对高质量P型高掺杂外延层的迫切需求,系统研究了基于三甲基铝(Al(CH3)3,TMA)前驱体的8英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC同质外延生长技术。通过优化高温化学气相沉积(CVD)过程中的关键参数,成功在8英寸4°... 本文针对高压碳化硅(SiC)功率器件对高质量P型高掺杂外延层的迫切需求,系统研究了基于三甲基铝(Al(CH3)3,TMA)前驱体的8英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC同质外延生长技术。通过优化高温化学气相沉积(CVD)过程中的关键参数,成功在8英寸4°偏角4H-SiC衬底上实现了外延层铝(Al)掺杂浓度大于1.00×10^(19)cm^(-3)的可控掺杂,外延层纵向掺杂均匀性良好,并利用表面缺陷检测技术分析了掺杂浓度对缺陷形貌的影响规律。结果表明,当Al掺杂浓度超过1.35×10^(19)cm^(-3)时,晶格失配应力会诱导表面形貌恶化,且恶化程度随Al掺杂浓度升高而加剧。通过进一步优化生长条件,最终在高于1.00×10^(19)cm^(-3)的高掺杂浓度下,将致命缺陷密度成功抑制在0.156 cm^(-2)的水平,从而使3 mm×3 mm芯片面积的可用面积率达到99.0%。本研究为实现高质量、大尺寸P型4H-SiC外延层的制备提供了有效的技术方案,为其在高压功率器件中的产业化应用提供了坚实的材料基础。 展开更多
关键词 碳化硅 P型掺杂 8英寸 外延生长 可用面积率 二次离子质谱
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面向特高压大电流功率器件的8英寸200μm 4H-SiC厚膜同质外延研究
7
作者 蔡子东 江奕天 +6 位作者 叶正 伍子豪 房育涛 夏云 陈刚 胡浩林 万玉喜 《人工晶体学报》 北大核心 2026年第2期264-273,共10页
本文针对特高压、大电流SiC功率器件应用背景下高质量4H-SiC厚膜同质外延生长中的关键技术挑战,系统研究了外延层掺杂浓度与厚度的均匀性控制、表面缺陷密度抑制及少数载流子寿命提升等问题。通过优化反应室结构设计与精确调控外延工艺... 本文针对特高压、大电流SiC功率器件应用背景下高质量4H-SiC厚膜同质外延生长中的关键技术挑战,系统研究了外延层掺杂浓度与厚度的均匀性控制、表面缺陷密度抑制及少数载流子寿命提升等问题。通过优化反应室结构设计与精确调控外延工艺,显著提高了外延层厚度与掺杂浓度的均匀性;研究进一步表明,严格控制p型外延层三角形缺陷数量与外延过程中的掉落物是降低厚膜表面缺陷密度、提升外延片可用面积的有效途径,同时也对提升少子寿命具有重要作用。最终,本研究成功制备了厚度达到200μm、掺杂浓度控制在1.9×10^(14)cm^(-3)的高质量8英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC同质外延厚膜,其厚度不均匀性为0.95%,掺杂浓度不均匀性为3.92%。在10 mm×10 mm芯片尺度下,IGBT结构外延片的可用面积达到46.5%,二极管/MOSFET结构外延片的可用面积高达96.9%,且少子寿命均超过5μs。AFM测试显示外延层表面粗糙度较低,形貌优良。本研究展示了实现高均匀性、低缺陷密度、高少子寿命的SiC同质外延厚膜的有效技术方案,对推进SiC特高压器件(如IGBT)的制备及其在新型储能、智能电网等领域的产业化应用具有一定的科学意义与工程价值。 展开更多
关键词 碳化硅 同质外延 厚膜 特高压功率器件 表面缺陷 少子寿命
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图案表面粗糙度对有机分子区域选择性生长的影响 被引量：1
8
作者 聂青苗 石亮 +5 位作者 汪长超 蒋悦 陈乃波 胡来归 王文冲 鄢波 《浙江工业大学学报》 北大核心 2025年第1期52-57,共6页
区域选择性生长(ASG),即有机分子在预图案表面上的自组装技术,在有机微/纳米图案化方面具有巨大的发展潜力。为了研究图案表面粗糙度在ASG中的明确作用,在粗粒化各向异性相互作用的动力学蒙特卡罗(KMC)模型中引入了无序强度参数描述图... 区域选择性生长(ASG),即有机分子在预图案表面上的自组装技术,在有机微/纳米图案化方面具有巨大的发展潜力。为了研究图案表面粗糙度在ASG中的明确作用,在粗粒化各向异性相互作用的动力学蒙特卡罗(KMC)模型中引入了无序强度参数描述图案表面粗糙度,进一步模拟了有机分子在不同表面粗糙度图案上的沉积行为。研究结果表明图案表面粗糙度会影响有机分子沉积形貌:表面越光滑,图案顶部生长的薄膜越厚;相反,当图案表面变得更粗糙时,粒子更倾向于以台阶边缘诱导的方式生长在图案的间隔处,与实验结果高度吻合。由此可见粗糙度可用于控制有机图案的成核分配,以实现不同的应用,如全彩显示器和微透镜阵列。 展开更多
关键词 区域选择性生长 动力学蒙特卡罗 有机分子
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面向10 kV以上碳化硅器件耐压区厚外延技术研究
9
作者 房玉龙 李帅 +3 位作者 芦伟立 王健 李建涛 王波 《微纳电子技术》 2025年第6期20-26,共7页
随着10 kV及以上超高压碳化硅(SiC)功率器件在柔性输电等领域的需求增长,开发低位错、低缺陷密度、长少子寿命的厚外延材料成为关键挑战,是当前SiC材料研究的核心问题。基于单片水平式SiC外延设备,通过引入双界面调制缓冲层外延生长技术... 随着10 kV及以上超高压碳化硅(SiC)功率器件在柔性输电等领域的需求增长,开发低位错、低缺陷密度、长少子寿命的厚外延材料成为关键挑战,是当前SiC材料研究的核心问题。基于单片水平式SiC外延设备,通过引入双界面调制缓冲层外延生长技术,成功实现了对缓冲层与衬底及漂移层之间界面应力的调控,显著降低了外延片基平面位错密度,结合漂移层生长速率、缓冲层工艺以及C/Si比的协同优化,显著提升了4H-SiC厚外延材料的性能。实验结果表明:优化后的缓冲层工艺通过渐变掺杂设计有效调控界面应力,将基平面位错密度从1.5 cm^(-2)降至0.07 cm^(-2);同时,通过将生长速率提升至70μm/h并优化C/Si比至0.85,成功制备了厚度100μm、掺杂浓度2.5×10^(14)cm^(-3)的高质量外延层,原生少子寿命均值达1.76μs,材料均匀性及表面缺陷密度均满足10 kV以上超高压器件耐压区需求。 展开更多
关键词 超高压 基平面位错 C/Si比 双界面调制缓冲层 少子寿命
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翻新镀膜法制备硬X射线Pd/B_(4)C多层膜反射镜的研究
10
作者 干钰琪 岳帅鹏 +2 位作者 侯庆艳 刘鹏 蒋毅坚 《激光技术》 北大核心 2025年第6期816-821,共6页
为了实现Pd/B_(4)C多层膜反射镜基底在同步辐射硬X射线领域中的可重复使用,在硅衬底上制备带有5 nm Cr缓冲层的Pd/B_(4)C多层膜,采用刻蚀剂溶解Cr缓冲层的方法,成功地将Pd/B_(4)C多层膜从硅基底上剥离,得到了不同刻蚀时长的X射线反射率... 为了实现Pd/B_(4)C多层膜反射镜基底在同步辐射硬X射线领域中的可重复使用,在硅衬底上制备带有5 nm Cr缓冲层的Pd/B_(4)C多层膜,采用刻蚀剂溶解Cr缓冲层的方法,成功地将Pd/B_(4)C多层膜从硅基底上剥离,得到了不同刻蚀时长的X射线反射率曲线,对其进行了理论分析和实验验证,并利用白光轮廓仪对不同刻蚀时长后样品的表面粗糙度进行了表征;在刻蚀后的基底上重新镀制了带有Cr缓冲层的Pd/B_(4)C多层膜。结果表明,经过2 h刻蚀后,样品的表面粗糙度(0.38 nm)与新基底的表面粗糙度(0.35 nm)相当;刻蚀后基底表面的氧化层对新镀制多层膜的界面粗糙度没有显著影响,刻蚀后的基底可以有效地翻新使用。该研究为同步辐射X射线光学系统中多层膜单色器基底的可重复使用提供了参考。 展开更多
关键词 X射线光学 多层膜反射镜 刻蚀 Pd/B_(4)C 翻新
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机器学习在分子束外延生长的应用进展
11
作者 杨再洪 周灿 +3 位作者 范柳燕 张燕辉 陈泽中 陈平平 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第6期924-934,共11页
最近几年,人工智能在材料领域得到广泛应用,机器学习在分子束外延(MBE)技术中的应用引人关注。基于原位反射高能电子衍射(RHEED)及相关物性的智能识别和反馈的MBE技术,能够显著提升生长材料的质量和生长效率,有望实现薄膜的MBE智能外延... 最近几年,人工智能在材料领域得到广泛应用,机器学习在分子束外延(MBE)技术中的应用引人关注。基于原位反射高能电子衍射(RHEED)及相关物性的智能识别和反馈的MBE技术,能够显著提升生长材料的质量和生长效率,有望实现薄膜的MBE智能外延。本综述聚焦机器学习MBE中的应用研究,首先介绍了MBE中常用的机器学习算法模型,阐述了机器学习在优化MBE生长条件中的应用,着重总结了不同材料体系(半导体薄膜和量子结构材料、氧化物材料和二维材料等)基于RHEED图像机器学习的研究进展,并就存在的问题和未来的发展策略进行了总结展望。 展开更多
关键词 分子束外延 机器学习 反射高能电子衍射 Ⅲ-Ⅴ族半导体材料 人工智能
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高浓度钪掺杂氮化铝压电薄膜制备研究
12
作者 徐涛 王雷 +4 位作者 李小龙 张笑天 郁元卫 姜理利 黄旼 《固体电子学研究与进展》 2025年第4期62-67,共6页
采用铝-钪双靶反应磁控溅射技术制备出30%浓度钪(Sc)掺杂的高质量氮化铝(AlN)压电薄膜。分析了溅射功率和气体流量对应力的影响,实现在-250~200 MPa范围内应力可调。面内应力分布均匀,平均应力为6.49 MPa时,面内应力变化值和标准偏差分... 采用铝-钪双靶反应磁控溅射技术制备出30%浓度钪(Sc)掺杂的高质量氮化铝(AlN)压电薄膜。分析了溅射功率和气体流量对应力的影响,实现在-250~200 MPa范围内应力可调。面内应力分布均匀,平均应力为6.49 MPa时,面内应力变化值和标准偏差分别为61.72 MPa和13.46 MPa。结合离子束刻蚀技术,膜厚均匀性可由0.77%减小至0.09%,膜厚标准偏差为0.4 nm。研究高温退火对薄膜晶体质量的影响,退火处理不会引入额外的物相,薄膜(002)晶面摇摆曲线半峰宽可至1.37°。优化工艺参数和衬底类型,减少薄膜表面异常晶粒。 展开更多
关键词 掺钪氮化铝 反应磁控溅射 厚度均匀性 应力 C轴取向
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垂直热壁CVD反应器中C/Si比对SiC高速同质外延生长的影响研究 被引量：1
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作者 陈丹莹 闫龙 +6 位作者 罗稼昊 郑振宇 姜勇 张凯 周宁 廖宸梓 郭世平 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第4期569-580,共12页
本文结合计算流体力学(CFD)实验与模拟,对垂直热壁晶圆高速旋转CVD设备中SiC的同质外延生长机制进行研究,探讨了晶圆表面C/Si比对外延生长速率及载流子掺杂浓度的影响。结果表明晶圆表面上方碳原子对硅原子的摩尔比(记为有效C/Si比)与... 本文结合计算流体力学(CFD)实验与模拟,对垂直热壁晶圆高速旋转CVD设备中SiC的同质外延生长机制进行研究,探讨了晶圆表面C/Si比对外延生长速率及载流子掺杂浓度的影响。结果表明晶圆表面上方碳原子对硅原子的摩尔比(记为有效C/Si比)与气体进口处C/Si比存在偏差。这一差异主要来自于气相传输过程中反应组分的重新分布,以及反应前驱体在气体进口处和/或热壁上的寄生沉积。研究了有效C/Si比对生长速率和掺杂浓度的影响,结果表明,外延生长速率、载流子掺杂浓度及其均匀性主要受到表面C/Si比而非进口处C/Si比的影响。通过优化生长条件,实现了高质量的6英寸(1英寸=2.54 cm)外延片生长,其厚度和掺杂浓度均匀性分别为1.15%和2.68%。在此基础上,获得了同等质量的8英寸SiC外延层,并实现了超过50μm厚的SiC外延层快速生长。 展开更多
关键词 碳化硅 同质外延 化学气相沉积 C/Si比 CFD模拟仿真
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LiNbO_(3)/ITO异质结薄膜的制备及光电性质研究
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作者 朱家怡 杜帅 +2 位作者 周鹏飞 郑凡 陈云琳 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第5期819-824,共6页
在200℃下采用磁控溅射方法在玻璃衬底与硅基板上溅射沉积LiNbO_(3)/ITO(LN/ITO)异质结薄膜。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见分光光度计和变温霍尔效应等测试了该薄膜的结构、形貌及光电性质。XRD测试结果表明,相比于... 在200℃下采用磁控溅射方法在玻璃衬底与硅基板上溅射沉积LiNbO_(3)/ITO(LN/ITO)异质结薄膜。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见分光光度计和变温霍尔效应等测试了该薄膜的结构、形貌及光电性质。XRD测试结果表明,相比于ITO/LN,LN/ITO叠层顺序有更优的生长取向和结晶性能。AFM结果显示,200℃下异质结薄膜表面较为平整,鲜少有凸起。通过紫外可见分光光度计透光性能测试,相比于LN单层薄膜,叠层后的异质结薄膜的透光率在可见光范围内有所提高,且退火后异质结薄膜透光性进一步增强。利用变温霍尔效应测试仪研究了LN/ITO异质结的电学性质,测试结果表明LN/ITO异质结薄膜为p型半导体;与LN单层薄膜相比,LN/ITO异质结薄膜的电导率提高了11个数量级。 展开更多
关键词 LN/ITO薄膜 异质结 磁控溅射镀膜 透光率 霍尔效应
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离子束辅助沉积对HfO_(2)薄膜极化行为的影响
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作者 李德鹏 金永军 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 2025年第3期268-275,共8页
采用离子束辅助沉积工艺制备了HfO_(2)薄膜。采用扫描电子显微镜表征了薄膜的表面形貌和生长率,利用X射线衍射和快速退火工艺研究了薄膜的结晶温度和物相,使用铁电测试仪研究了薄膜的极化特性,并探讨了辅助沉积条件和底电极的选择对极... 采用离子束辅助沉积工艺制备了HfO_(2)薄膜。采用扫描电子显微镜表征了薄膜的表面形貌和生长率,利用X射线衍射和快速退火工艺研究了薄膜的结晶温度和物相,使用铁电测试仪研究了薄膜的极化特性,并探讨了辅助沉积条件和底电极的选择对极化行为的影响。XRD测试结果显示,当退火温度高于600℃,HfO_(2)薄膜出现明显晶化且具有马氏体相结构。由离子束辅助沉积导致的择优取向增强了顺电的极化特性,且漏电流密度随离子束流增大而减小。与Pt基底相比,TiN作为底电极薄膜具有更大极化率。 展开更多
关键词 HfO_(2)薄膜 马氏体相 退火温度 极化特性 离子束辅助沉积
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AlTe薄膜的外延生长与电子性质研究
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作者 秦景浩 万晓蓓 +8 位作者 尹雅诗 李建伟 陈通通 张文佳 赵德伟 曹利盈 白珂珂 王文晓 宋俊涛 《河北师范大学学报(自然科学版)》 2025年第6期566-572,共7页
采用分子束外延方法在Al(111)衬底上制备出高质量AlTe薄膜,并采用扫描隧道显微镜(STM)、角分辨光电子能谱(ARPES)和第一性原理计算对AlTe薄膜的晶体结构及能带结构进行了系统研究.结果表明,AlTe薄膜与Al(111)衬底之间的晶格失配导致莫... 采用分子束外延方法在Al(111)衬底上制备出高质量AlTe薄膜,并采用扫描隧道显微镜(STM)、角分辨光电子能谱(ARPES)和第一性原理计算对AlTe薄膜的晶体结构及能带结构进行了系统研究.结果表明,AlTe薄膜与Al(111)衬底之间的晶格失配导致莫尔图案的形成.AlTe薄膜具有3组空穴型能带,主要由Te原子的平面内轨道p_(x)和p_(y)贡献,并在自旋-轨道耦合(SOC)作用下产生约0.55eV的能带劈裂,表明SOC效应对Ⅲ~Ⅵ族化合物的电子结构具有重要调节作用.本研究为AlTe薄膜在新型功能材料开发中的应用提供了重要实验依据及理论支撑. 展开更多
关键词 碲化铝 分子束外延 扫描隧道显微镜 角分辨光电子能谱
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后期功能型超级杂交稻的概念及生物学意义 被引量：152
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作者 程式华 曹立勇 +4 位作者 陈深广 朱德峰 王熹 闵绍楷 翟虎渠 《中国水稻科学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期280-284,共5页
在借鉴国际水稻研究所新株型育种经验基础上,我国于1996年开始实施中国超级稻育种计划,采取的技术路线是理想株型塑造与籼粳亚种间杂种优势利用相结合,至2005年的目标产量是在百亩(6.67hm2)规模下单季稻达到12t/hm2(800kg/667m2)。介绍... 在借鉴国际水稻研究所新株型育种经验基础上,我国于1996年开始实施中国超级稻育种计划,采取的技术路线是理想株型塑造与籼粳亚种间杂种优势利用相结合,至2005年的目标产量是在百亩(6.67hm2)规模下单季稻达到12t/hm2(800kg/667m2)。介绍了国外水稻超高产育种和国内超级稻育种的基本情况,着重介绍了由中国水稻研究所育成的超级杂交稻组合“协优9308”。该组合表现出高产与优良株型的完美结合,生育后期青秆黄熟,结实率高,籽粒饱满。2000年在浙江新昌验收百亩片平均产量达到11837kg/hm2,最高产田块产量达到12282kg/hm2。以“协优9308”为例,提出了“后期功能型”超级杂交稻的概念和生理特征,并对今后的超级杂交稻育种策略进行了讨论。 展开更多
关键词 超级杂交稻 功能型 生物学意义 协优9308 国际水稻研究所 中国水稻研究所 杂种优势利用 中国超级稻 1996年 2005年 超高产育种 杂交稻组合 2000年 经验基础 株型育种 理想株型 技术路线 育种计划 目标产量 基本情况 生育后期
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Mist-CVD法生长LiGa_(5)O_(8)单晶薄膜及其导电机理研究
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作者 赵昊 余博文 +6 位作者 李琪 李光清 刘医源 林娜 李阳 穆文祥 贾志泰 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第6期997-1004,共8页
宽禁带氧化物半导体普遍存在n型掺杂容易,p型掺杂较为困难的现象。Li_(Ga)_(5)O_(8)是一种理论上能够进行双极性掺杂的新型氧化物半导体材料,本文利用雾化学气相沉积(mist-CVD)法生长非故意掺杂的高质量Li_(Ga)_(5)O_(8)单晶薄膜,并对... 宽禁带氧化物半导体普遍存在n型掺杂容易,p型掺杂较为困难的现象。Li_(Ga)_(5)O_(8)是一种理论上能够进行双极性掺杂的新型氧化物半导体材料,本文利用雾化学气相沉积(mist-CVD)法生长非故意掺杂的高质量Li_(Ga)_(5)O_(8)单晶薄膜,并对薄膜质量、光学、电学等性能进行表征。测试结果发现生长的Li_(Ga)_(5)O_(8)薄膜结晶质量较好,厚度为484 nm,表面粗糙度较低(Rq=2.48 nm,Ra=1.73 nm),具有5.22 eV的宽光学带隙;Li、Ga、O元素含量比约为1∶5∶8,薄膜具有n型导电特性。当继续增加Li的比例时薄膜导电性变差,但未具有p型导电特性。利用获得的Li_(Ga)_(5)O_(8)薄膜制备光电探测器,发现其在波长254 nm光照下具有良好的I-V和I-t特性。通过理论计算富氧条件Li_(Ga)_(5)O_(8)中的本征缺陷Ga_(Li)和Li_(Ga),发现Ga_(Li)缺陷形成能非常低,引入浅的施主能级,从而导致薄膜的n型导电特性;同时当Li的比例增加时Ga_(Li)缺陷补偿Li受体,使薄膜几乎不导电。 展开更多
关键词 宽禁带氧化物半导体 LiGa_(5)O_(8)单晶薄膜 雾化学气相沉积法 n型导电 本征缺陷
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硅基BaTiO_(3)外延薄膜的晶格弛豫行为与畴结构调控
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作者 许多 孙浩滢 +6 位作者 王志超 沈葛梁 张弘毅 文宗涵 韩露 邓昱 聂越峰 《硅酸盐学报》 北大核心 2025年第9期2461-2468,共8页
钛酸钡(BaTiO_(3),BTO)薄膜因其优异的电光效应在集成光子器件中具有重要的应用潜力。然而,在硅衬底上实现高质量BTO薄膜的外延生长并有效调控其面内极化以实现电光系数最大化仍面临关键挑战。采用氧化物分子束外延技术,结合原位反射高... 钛酸钡(BaTiO_(3),BTO)薄膜因其优异的电光效应在集成光子器件中具有重要的应用潜力。然而,在硅衬底上实现高质量BTO薄膜的外延生长并有效调控其面内极化以实现电光系数最大化仍面临关键挑战。采用氧化物分子束外延技术,结合原位反射高能电子衍射(RHEED)实时监控,Si基片上的外延钛酸锶(SrTiO_(3),STO)缓冲层在12.5个单胞层(ML)后完成晶格弛豫,显著降低了BTO薄膜与Si衬底的晶格失配度,为Si基片上外延BTO提供了良好的过渡层。在STO上外延更大晶格常数的BTO薄膜时,晶格在界面至30 nm之间完成弛豫过程。降温时,由于硅衬底的热膨胀系数较低,BTO薄膜受衬底约束,保持了弛豫后的大面内晶格常数,从而获得了面内铁电极化。基于此方法制备的2in的300 nm BTO晶圆膜展现出优异的晶体质量,摇摆曲线半峰宽为0.45°,表面粗糙度小于0.2 nm,c/a=0.994<1,并具有显著的面内多畴结构。上述原位监控技术为分析BTO薄膜外延过程中的晶格弛豫及畴结构调控提供了关键信息,为硅基BTO电光器件集成奠定了材料基础。 展开更多
关键词 钛酸钡 分子束外延 硅基异质集成 应变调控 面内极化
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Fe-Ni共掺杂ZnO的制备及其光催化降解甲基橙活性 被引量：44
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作者 傅天华 高倩倩 +2 位作者 刘斐 代华均 寇兴明 《催化学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期797-802,共6页
采用溶液法制备了Fe-Ni共掺杂ZnO光催化剂,并运用X射线衍射、扫描电镜和原子发射光谱等对催化剂进行了表征.以甲基橙(MO)为模型污染物,评价了样品的光催化活性,考察了甲基橙初始浓度及其pH值,以及催化剂用量等对光催化反应性能的影响.... 采用溶液法制备了Fe-Ni共掺杂ZnO光催化剂,并运用X射线衍射、扫描电镜和原子发射光谱等对催化剂进行了表征.以甲基橙(MO)为模型污染物,评价了样品的光催化活性,考察了甲基橙初始浓度及其pH值,以及催化剂用量等对光催化反应性能的影响.结果表明,Fe-Ni共掺杂降低了ZnO的结晶度,并促进了晶粒的长大.光催化降解反应表明,Fe-Ni共掺杂显著提高了ZnO光催化降解甲基橙的活性,当催化剂用量为0.6g/L,经120min紫外光照射时,可使甲基橙溶液(10mg/L)降解率达到93.5%. 展开更多
关键词 铁 镍 共掺杂 氧化锌 光催化 甲基橙 降解
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