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DC-PCVD装置中阴阳极上Si_3N_4薄膜沉积模型
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作者 周海 吴大兴 +1 位作者 杨川 高国庆 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期11-12,43,共3页
使用直流等离子体化学气相沉积（DC－PCVD）装置，控制合适的工艺参数，可对置于其阴阳极上的试样沉积出以Si3N4为主要成份的薄膜。提出了这种薄膜的形成机理。
关键词 化学气相沉积 薄膜 氮化物 PCVD
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