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薄膜结构性能变化中的“温度临界点” 被引量:8
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作者 张丽伟 卢景霄 +5 位作者 李瑞 冯团辉 靳锐敏 张宇翔 李维强 王红娟 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期940-943,共4页
本文先从理论角度说明了薄膜结构性能变化中存在“温度临界点”,然后借助于XRD、Ram an等测试仪器研究分析了S i薄膜、AZO薄膜在晶化过程、晶粒长大过程以及性能突变中的“温度临界点”。结果显示:薄膜结构性能变化中确实存在“温度临... 本文先从理论角度说明了薄膜结构性能变化中存在“温度临界点”,然后借助于XRD、Ram an等测试仪器研究分析了S i薄膜、AZO薄膜在晶化过程、晶粒长大过程以及性能突变中的“温度临界点”。结果显示:薄膜结构性能变化中确实存在“温度临界点”;在“温度临界点”前后薄膜结构性能的变化规律曲线出现拐点。进而推论:薄膜的结构性能在随温度变化中“温度临界点”可能不止一个。 展开更多
关键词 温度临界点 薄膜结构 X射线衍射 拉曼光谱
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热氧化磁控溅射金属锌膜制备ZnO纳米棒 被引量:5
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作者 石礼伟 李玉国 +2 位作者 王强 薛成山 庄惠照 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期432-435,共4页
利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备金属锌膜 ,在空气中退火热氧化合成了一维ZnO纳米棒。用X射线衍射 (XRD) ,扫描电子显微镜 (SEM) ,透射电子显微镜 (TEM)和光致发光谱 (PL)对样品进行了结构、形貌及光学特性分析。结果表明 :Zn... 利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备金属锌膜 ,在空气中退火热氧化合成了一维ZnO纳米棒。用X射线衍射 (XRD) ,扫描电子显微镜 (SEM) ,透射电子显微镜 (TEM)和光致发光谱 (PL)对样品进行了结构、形貌及光学特性分析。结果表明 :ZnO纳米棒为六方纤锌矿结构单晶相 ,直径在 30~ 6 0nm左右 ,其长度可达5~ 8μm左右。在 2 80nm波长光激发下 ,有很强的 372nm带边紫外光发射和较微弱的 5 16nm深能级绿光发射 。 展开更多
关键词 磁控溅射 热氧化 氧化锌 纳米棒
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Zn_(1–x)Mg_xO能带结构及作为窗口层的CdTe薄膜太阳电池的SCAPS仿真应用 被引量:3
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作者 何旭 任胜强 +3 位作者 李春秀 武莉莉 张静全 都政 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期635-640,共6页
采用第一性原理广义梯度近似+U(GGA+U)方法计算了纤锌矿结构Zn_(1–x)Mg_xO(ZMO)(0≤x≤0.25)合金的能带结构。计算表明:随着Mg组分增加,ZMO化合物的导带底及费米能级均向真空能级方向移动,带隙增宽。基于理论计算得到ZMO的能带结构参数... 采用第一性原理广义梯度近似+U(GGA+U)方法计算了纤锌矿结构Zn_(1–x)Mg_xO(ZMO)(0≤x≤0.25)合金的能带结构。计算表明:随着Mg组分增加,ZMO化合物的导带底及费米能级均向真空能级方向移动,带隙增宽。基于理论计算得到ZMO的能带结构参数,使用SCAPS软件对ZMO作窗口层的CdTe薄膜太阳电池的性能进行了仿真模拟,并将研究结果与CdS作窗口层的CdTe太阳电池的性能进行了比较。结果表明:Mg在ZMO中的含量0≤x≤0.125时,ZMO/CdTe太阳电池具有比CdS/CdTe太阳电池更高的开路电压和短路电流密度;ZMO的导带底高出CdTe导带底约0.13 e V时,CdTe薄膜太阳电池的转换效率最高,达到18.29%。这些结果为高效率碲化镉薄膜太阳电池的结构设计和器件制备提供了理论指导。 展开更多
关键词 Zn1–xMgxO 能带结构 薄膜太阳电池 转换效率
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ZnO亚微米和微米棒的晶体生长及发光性质 被引量:2
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作者 陈建刚 郭常新 +2 位作者 张琳丽 胡俊涛 郭鹏 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期83-88,共6页
用硝酸锌Zn(NO3 )2·4H2O和六亚甲基四胺 (CH2 )6N4,通过化学溶液法在玻璃衬底上生长出ZnO六角形亚微米和微米棒(长 5~6μm,直径 0. 8 ~5μm)。生长时间达两天后,ZnO棒呈中空六角形微米管。测量了样品的X射线衍射(XRD)谱,扫描电镜... 用硝酸锌Zn(NO3 )2·4H2O和六亚甲基四胺 (CH2 )6N4,通过化学溶液法在玻璃衬底上生长出ZnO六角形亚微米和微米棒(长 5~6μm,直径 0. 8 ~5μm)。生长时间达两天后,ZnO棒呈中空六角形微米管。测量了样品的X射线衍射(XRD)谱,扫描电镜像和喇曼光谱。ZnO微米棒的光致发光为橙红色宽谱带发射(峰值 630nm, 半峰全宽 250nm), 其激发光谱除带间本征激发(短于 370nm)外,还有很强的在导带底附近的室温激子激发峰(峰值 387nm,半峰全宽 30nm)。而阴极射线发光有两个发射峰,橙色宽谱带强峰 (峰值580nm,半峰全宽约为140nm)是缺陷发光峰,近紫外窄谱带弱峰(峰值 395nm,半峰全宽约为 20nm)是激子发光峰。 展开更多
关键词 ZNO 微米棒 发光 水热法
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热敏电阻的性能指标B对温度T特性的影响 被引量:2
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作者 徐崇 李志 +1 位作者 李承吉 张砚北 《鞍山科技大学学报》 CAS 2007年第3期236-238,共3页
讨论了热敏电阻的性能指标B对其温度特性的影响,利用相关参数画出了不同A和B条件下的R-T和T-Ig的曲线,由该曲线可直观地发现与材料相关的B对曲线的倾斜程度的影响。
关键词 电流 温度 热敏电阻
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Cu_2ZnSnS_4/Si异质结器件的制备及特性研究 被引量:1
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作者 李琳 文亚南 +2 位作者 董燕 汪壮兵 梁齐 《真空》 CAS 2012年第5期45-48,共4页
利用脉冲激光沉积法在不同电阻率的n型Si(100)基片上沉积Cu2ZnSnS4薄膜,制备p-Cu2ZnSnS4/n-Si异质结。利用X射线衍射(XRD)、X射线能谱(EDS)和原子力显微镜(AFM)对Cu2ZnSnS4薄膜的结构、组分和形貌进行表征,并对器件进行Ⅰ-Ⅴ测试,讨论... 利用脉冲激光沉积法在不同电阻率的n型Si(100)基片上沉积Cu2ZnSnS4薄膜,制备p-Cu2ZnSnS4/n-Si异质结。利用X射线衍射(XRD)、X射线能谱(EDS)和原子力显微镜(AFM)对Cu2ZnSnS4薄膜的结构、组分和形貌进行表征,并对器件进行Ⅰ-Ⅴ测试,讨论不同电阻率的Si对异质结器件光电特性的影响。结果表明,器件有良好的整流特性,Si电阻率大的器件光电响应比较好,而Si电阻率小的器件光伏效应比较明显。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 Cu2ZnSnS4/Si异质结 Ⅰ-Ⅴ特性
原文传递
用光辅助MOCVD制作巨磁阻薄膜PCMO 被引量:1
7
作者 廖学明 唐为民 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1163-1166,共4页
用光辅助MOCVD的方法成功地在LAO,Pt/Ti/S iO2/S i,Pt/LAO等不同的衬底上生长出巨磁阻材料PCMO,并且在室温无磁场的环境中观察到由脉冲电压诱导其电阻可逆变的效应(称为EPIR效应)。实验证实,用此方法制备出的PCMO薄膜受到一定的脉冲电... 用光辅助MOCVD的方法成功地在LAO,Pt/Ti/S iO2/S i,Pt/LAO等不同的衬底上生长出巨磁阻材料PCMO,并且在室温无磁场的环境中观察到由脉冲电压诱导其电阻可逆变的效应(称为EPIR效应)。实验证实,用此方法制备出的PCMO薄膜受到一定的脉冲电压驱动时,其电阻值可以增大,也可以减少,与所施加的脉冲极性有关,并且电阻值变化的大小与脉冲的数量有一定的关系,可以用多值的方式来记录和存储信息。这表明,用光辅助MOCVD制作的PCMO薄膜也具有可擦可写的,多值的存储信息的功能。可以被开发为高速读写,大容量的非易失性存储器,具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 PCMO薄膜 光辅助 MOCVD
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氢对非晶氮化硅薄膜键合结构和光学吸收特性的影响 被引量:4
8
作者 于威 孟令海 +1 位作者 丁文革 苑静 《信息记录材料》 2010年第1期8-11,共4页
采用对靶磁控反应溅射技术以H2和N2为反应气体在不同氢气流量(15-25Sccm)条件下制备了氢化非晶氮化硅(a-SiN:H)薄膜,并利用傅立叶红外透射光谱(FTIR)和紫外一可见透射光谱(UV-VIS)对薄膜的键合结构和光学吸收特性进行了分析... 采用对靶磁控反应溅射技术以H2和N2为反应气体在不同氢气流量(15-25Sccm)条件下制备了氢化非晶氮化硅(a-SiN:H)薄膜,并利用傅立叶红外透射光谱(FTIR)和紫外一可见透射光谱(UV-VIS)对薄膜的键合结构和光学吸收特性进行了分析。结果表明,氢气流量20Sccm时薄膜中氢的键密度最大,薄膜无序度最减小;薄膜的光学带隙Eg和E04逐渐增大。薄膜原子间键合结构和薄膜有序性的变化可归因于反应溅射过程中氢气的钝化和刻蚀作用。 展开更多
关键词 氢化非晶氮化硅 対靶磁控溅射 键合结构 光学吸收特性
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纳米β-SiC薄膜过剩载流子衰减特性分析
9
作者 韩晓霞 于威 +2 位作者 张立 崔双魁 路万兵 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2006年第2期152-156,共5页
利用微波吸收技术对Si衬底上微晶及纳米β-SiC薄膜的过剩载流子瞬态行为进行了分析.所用样品采用PECVD技术制备,微波吸收测量采用脉宽35 ps,波长355 nm脉冲激光.所测得的载流子浓度衰减分为快、慢2个过程,微波吸收瞬态特性满足双指数衰... 利用微波吸收技术对Si衬底上微晶及纳米β-SiC薄膜的过剩载流子瞬态行为进行了分析.所用样品采用PECVD技术制备,微波吸收测量采用脉宽35 ps,波长355 nm脉冲激光.所测得的载流子浓度衰减分为快、慢2个过程,微波吸收瞬态特性满足双指数衰减规律.该结果表明,样品光生载流子衰减过程主要决定于2种陷阱作用,其中快过程与SiC薄膜中浅能级陷阱的载流子弛豫效应相关,而慢过程则是深能级陷阱的载流子弛豫行为占优势的结果.纳米碳化硅晶粒界面较高的缺陷态密度导致载流子俘获几率增加,非辐射复合几率减小,纳米β-SiC薄膜表现较长的载流子衰减时间. 展开更多
关键词 纳米β—SiC 过剩载流子 微波吸收
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用四探针方法测量立方氮化硼的电阻率 被引量:1
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作者 杨洁 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2005年第2期96-97,共2页
本文利用薄膜沉积和光刻方法,在Si掺杂的p型立方氮化硼单晶表面制备出微小测量电极,测量出高温高压合成的、并经过热扩散获得的Si掺杂p型立方氮化硼的电阻率和导电特性,为小尺寸晶体材料的电学性质测量提供了一个有效的方法。
关键词 立方氮化硼 电阻率 四探针方法
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氨化Ga_2O_3/Mg薄膜制备簇状GaN纳米线
11
作者 孙莉莉 薛成山 +2 位作者 艾玉杰 庄惠照 王福学 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期190-192,共3页
通过在1050°C时氨化Ga2O3/Mg薄膜制备出簇状GaN纳米线。用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收光谱(FTIR)扫描电子显微镜(SEM)和高分辨电子显微镜(HRTEM)对样品进行测试分析。结果表明,GaN纳米线为六万纤锌矿结构单晶相并且成族生长,直... 通过在1050°C时氨化Ga2O3/Mg薄膜制备出簇状GaN纳米线。用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收光谱(FTIR)扫描电子显微镜(SEM)和高分辨电子显微镜(HRTEM)对样品进行测试分析。结果表明,GaN纳米线为六万纤锌矿结构单晶相并且成族生长,直径在200~500nm米左右,其长度可达5~10μm。几乎所有纳米线的直径均有逐渐缩小的趋势。对Mg膜的作用进行了初步的分析。 展开更多
关键词 氮化镓 磁控溅射 纳米线
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反应气压对氢化非晶氮化硅薄膜的发光特性影响
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作者 朱海丰 杨彦斌 +1 位作者 路万兵 于威 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 2004年第3期247-250,共4页
采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术制备了氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,利用光致发光谱(PL)和傅里叶红外吸收谱(FTIR)研究了不同气压条件下所形成薄膜的发光特性.结果表明,在较高气压条件下,所沉积薄膜的发光峰位在2.5e... 采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术制备了氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,利用光致发光谱(PL)和傅里叶红外吸收谱(FTIR)研究了不同气压条件下所形成薄膜的发光特性.结果表明,在较高气压条件下,所沉积薄膜的发光峰位在2.5eV附近;减小气压使薄膜的沉积速率下降,其内部原子微观结构发生变化,薄膜的发光峰位在3.05eV处,其半高宽为1.48eV. 展开更多
关键词 氢化非晶氮化硅 光致发光 反应气压
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大孔径光电导天线产生的太赫兹脉冲时间特性研究 被引量:6
13
作者 张同意 曹俊诚 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期588-589,共2页
在电流涌流模型中考虑了电场屏蔽效应、有限载流子寿命和有限弛豫时间的影响 ,得到了大孔径光电导天线表面辐射场和辐射远场的解析表达式 ,讨论了辐射场对载流子寿命、弛豫时间、激励光脉冲通量和脉冲宽度的依赖关系。
关键词 光电导天线 太赫兹脉冲 时间特性 解析表达式
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PLD法制备ZnO/Si异质结的I-V特性研究 被引量:1
14
作者 夏雨 梁齐 梁金 《真空》 CAS 北大核心 2011年第5期78-81,共4页
用脉冲激光沉积法分别在不同电阻率的p型和n型S(i100)衬底上制备了不掺杂ZnO薄膜,相应制成n-ZnO/p-Si和n-ZnO/n-Si异质结器件。利用X射线衍射和原子力显微镜对ZnO薄膜进行的结构和形貌测试表明,薄膜结晶情况良好,具有高度的c轴择优取向... 用脉冲激光沉积法分别在不同电阻率的p型和n型S(i100)衬底上制备了不掺杂ZnO薄膜,相应制成n-ZnO/p-Si和n-ZnO/n-Si异质结器件。利用X射线衍射和原子力显微镜对ZnO薄膜进行的结构和形貌测试表明,薄膜结晶情况良好,具有高度的c轴择优取向,表面颗粒大小、分布均匀。对器件的I-V特性测试表明,在无光条件下,制备的n-ZnO/p-Si异质结漏电流很低,而n-ZnO/n-Si同型异质结漏电流要稍大一些;随衬底电阻率的增大,上述器件的阈值电压变小;器件在光照下的漏电流明显比无光条件下的要大。 展开更多
关键词 PLD ZnO/Si异质结 I-V特性
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基于Matlab的《信号与系统》课程教学与改革 被引量:5
15
作者 胡晓芳 《长治学院学报》 2019年第2期63-64,共2页
《信号与系统》课程内容相对抽象,并且采用传统教学方式与模式加以实施时效果乏善可陈。而Matlab的引入可增强该课程的实践性,进而提升学生的兴趣。文章在分析该课程传统实施方式的基础上,就Matlab在该课程中的创新应用进行了分析。
关键词 信号与系统 MATLAB 课程教学与改革
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大孔径光电导天线产生高功率窄带宽THz辐射特性分析 被引量:3
16
作者 刘明利 张同意 +4 位作者 孙传东 王屹山 朱少岚 李凡 赵卫 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1793-1798,共6页
从大孔径光电导天线产生THz辐射的饱和理论出发,考虑了载流子的瞬变迁移率.分析了脉冲序列激发大孔径光电导天线产生高功率窄带宽THz辐射的特性.对比了单个光脉冲和序列光脉冲激发SI-GaAs和LT-GaAs光电导天线的饱和特性.分析表明,采用... 从大孔径光电导天线产生THz辐射的饱和理论出发,考虑了载流子的瞬变迁移率.分析了脉冲序列激发大孔径光电导天线产生高功率窄带宽THz辐射的特性.对比了单个光脉冲和序列光脉冲激发SI-GaAs和LT-GaAs光电导天线的饱和特性.分析表明,采用序列光脉冲激发载流子寿命小于光脉冲间隔的光电导天线时,可以克服大孔径光电导天线的饱和特性,产生高峰值功率的窄带THz辐射. 展开更多
关键词 THz辐射波 大孔径光电导天线 电流起伏模型 饱和效应 超快激光技术
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