10月13日,剑桥氮化镓器件公司(Cambridge GaN Devices,以下简称“CGD”)宣布,与全球领先的半导体制造商G1obal Foundries(格芯)达成重要制造合作。此次合作将大幅增强CGD的供应链能力,利用格芯成熟的8英寸晶圆制程,扩大其独有的ICeGaN...10月13日,剑桥氮化镓器件公司(Cambridge GaN Devices,以下简称“CGD”)宣布,与全球领先的半导体制造商G1obal Foundries(格芯)达成重要制造合作。此次合作将大幅增强CGD的供应链能力,利用格芯成熟的8英寸晶圆制程,扩大其独有的ICeGaN■单晶片功率器件的全球供应规模,以满足电动汽车、数据中心和消费电子等高增长市场对高效能、高可靠性GaN解决方案的迫切需求。展开更多
文摘10月13日,剑桥氮化镓器件公司(Cambridge GaN Devices,以下简称“CGD”)宣布,与全球领先的半导体制造商G1obal Foundries(格芯)达成重要制造合作。此次合作将大幅增强CGD的供应链能力,利用格芯成熟的8英寸晶圆制程,扩大其独有的ICeGaN■单晶片功率器件的全球供应规模,以满足电动汽车、数据中心和消费电子等高增长市场对高效能、高可靠性GaN解决方案的迫切需求。
