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金属-非晶硅锗合金肖特基势垒在玻璃基底红外光电子集成电路中的应用
1
作者 y.k.fang 《电子器件》 CAS 1993年第2期97-102,共6页
近年来,有许多利用非晶硅锗合金(a-Si<sub>l-x</sub>Ge<sub>x</sub>·H)作为长波长光探测器材料的研究报导.p-i-n结构的a-SiGe∶H二极管已成功地用于检测红外光.这表明采用非晶硅薄膜晶体管工艺,有可能在... 近年来,有许多利用非晶硅锗合金(a-Si<sub>l-x</sub>Ge<sub>x</sub>·H)作为长波长光探测器材料的研究报导.p-i-n结构的a-SiGe∶H二极管已成功地用于检测红外光.这表明采用非晶硅薄膜晶体管工艺,有可能在玻璃基底上制作红外光电子集成电路.在我们对非晶硅光传感器的研究中,肖特基势垒二极管的性能优于p-i-n结构,它快速响应、制造简单、可靠性高。这促使我们开展对a-Si<sub>l-x</sub>Ge<sub>x</sub>∶H红外肖特基势垒探测器的研究. 展开更多
关键词 非晶硅锗合金 玻璃基底 红外光 光电子集成电路
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金属—半导体系统的接触电阻
2
作者 y.k.fang 胡成烈 《微纳电子技术》 1980年第6期76-84,共9页
本文报导了一种分析接触形状和接触面积等非本征参量对金属-半导体系统中接触电阻影响的一种新方法。这种方法包括早期用于矩形和圆形接触中由传输线模型所确立的接触理论。在本文中,此理论也推广到环形接触上。由于它与测量结果良好地... 本文报导了一种分析接触形状和接触面积等非本征参量对金属-半导体系统中接触电阻影响的一种新方法。这种方法包括早期用于矩形和圆形接触中由传输线模型所确立的接触理论。在本文中,此理论也推广到环形接触上。由于它与测量结果良好地吻合,更证实了这种方法在半导体器件制造工艺中,对设计接触形状和面积上的适用性。对各种接触形状和面积也作了研究,并将其总接触电阻互相作了比较。表明了细长条的接触具有最小的接触电阻。 展开更多
关键词 接触电阻 非本征 电流 金属接触 半导体层
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