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用于离子注入的高能大束流射频加速器的设计研究
1
作者
r.w.thomae
吴健昌
《微细加工技术》
1990年第1期67-72,共6页
离子注入是半导体器件制造中一项很重要的工艺,由于微电子工业对具有MeV级能量的离子注入的兴趣日益增长,对高能离子束的要求也日益迫切,此外,在某些应用中,需要有高达10^(18)离子/厘米~2的注入剂量,这就意谓着高能离子束必须具有大束...
离子注入是半导体器件制造中一项很重要的工艺,由于微电子工业对具有MeV级能量的离子注入的兴趣日益增长,对高能离子束的要求也日益迫切,此外,在某些应用中,需要有高达10^(18)离子/厘米~2的注入剂量,这就意谓着高能离子束必须具有大束流。对于高能、大束流这两项要求,射频linac(直线加速器)系统都可很好地满足。
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关键词
离子注入
射频加速器
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题名
用于离子注入的高能大束流射频加速器的设计研究
1
作者
r.w.thomae
吴健昌
出处
《微细加工技术》
1990年第1期67-72,共6页
文摘
离子注入是半导体器件制造中一项很重要的工艺,由于微电子工业对具有MeV级能量的离子注入的兴趣日益增长,对高能离子束的要求也日益迫切,此外,在某些应用中,需要有高达10^(18)离子/厘米~2的注入剂量,这就意谓着高能离子束必须具有大束流。对于高能、大束流这两项要求,射频linac(直线加速器)系统都可很好地满足。
关键词
离子注入
射频加速器
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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1
用于离子注入的高能大束流射频加速器的设计研究
r.w.thomae
吴健昌
《微细加工技术》
1990
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