用于离子注入的高能大束流射频加速器的设计研究

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摘要离子注入是半导体器件制造中一项很重要的工艺,由于微电子工业对具有MeV级能量的离子注入的兴趣日益增长,对高能离子束的要求也日益迫切,此外,在某些应用中,需要有高达10^(18)离子/厘米~2的注入剂量,这就意谓着高能离子束必须具有大束流。对于高能、大束流这两项要求,射频linac(直线加速器)系统都可很好地满足。

作者 R.W.Thomae 吴健昌

出处《微细加工技术》 1990年第1期67-72,共6页 Microfabrication Technology

关键词离子注入射频加速器

分类号 TN305.3 [电子电信—物理电子学]

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微细加工技术

1990年第1期

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