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题名高质量介质膜的淀积
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作者
peter h.singer
刘永光
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1991年第1期75-77,共3页
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文摘
打开一块当今集成电路的封帽,一层层剥去,就会在几个不同膜层发现CVD淀积的介质材料。首先,在钝化层,有保护芯片不受潮湿、不受灰尘影响、不被划伤的氮化硅或氮氧化合物薄膜。 再往下一点的芯片中,金属互连线之间,是二氧化硅和/或硼磷硅玻璃(BPSG)层。它们把金属线彼此隔离开来,并且平整化以便形成较好的台阶覆盖。
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关键词
集成电路
介质膜
CVD淀积
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分类号
TN405.986
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名硅片吸杂—提高器件收率的关键
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作者
peter h.singer
张重敏
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出处
《中国有色冶金》
CAS
1984年第4期37-39,共3页
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文摘
在硅晶体生长过程中以及切片过程中都可能有一定数量的杂质进入硅中,典型的杂质有氧、碳和重金属。这些杂质和其它晶体缺陷已证明是器件失效和成品率低的主要原因。目前,阻止这些缺陷产生似乎是不可能的,但是必须对缺陷加以控制。基于这一理由,人们十分关注硅片吸杂—这是当前唯一流行的用来控制硅品格缺陷的方法。
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关键词
吸杂技术
制造厂
硅片
本征吸杂
器件
收率
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分类号
G6
[文化科学—教育学]
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