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硅反型层中热功率的磁量子振荡
1
作者 秦国毅 p.n.butcher T.M.Fromhold 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第10期597-604,共8页
本文把Butcher等提出的计算GaAs异质结磁热功率振荡的理论方法推广用于计算硅反型层的磁热功率。计算中同时计及了磁热功率张量的屏蔽声曳贡献和扩散贡献,采用了重新核实的硅反型层二维电子密度数据,并用电阻张量的实验值取代有较大误... 本文把Butcher等提出的计算GaAs异质结磁热功率振荡的理论方法推广用于计算硅反型层的磁热功率。计算中同时计及了磁热功率张量的屏蔽声曳贡献和扩散贡献,采用了重新核实的硅反型层二维电子密度数据,并用电阻张量的实验值取代有较大误差的解析公式。计算结果远优于前人的结果,在振荡位相和幅度两方面都与Oxley等提供的T=5.020K下的最新实验数据定性相符。 展开更多
关键词 硅 反型层 热功率 量子振荡
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