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STRIP-LINE测量技术在Ⅳ-Ⅵ族半导体远红外磁光光谱中的应用
1
作者 陆卫 m.vonortenberg W.Dobrowolski 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第5期353-360,共8页
描述了Strip-Line测量技术及其原理.深入讨论了Strip-Line技术在实际应用中模式耦合问题.从实验和理论两方面显示了模式耦合问题在应用Strip-Line技术研究Ⅳ-Ⅵ族铅化物半导体远红外磁光性质中的重要性.
关键词 Ⅳ-Ⅵ族 化合物半导体 铅 磁光光谱
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Ⅳ-Ⅵ族半导体材料磁场下的红外介电函数
2
作者 陆卫 刘普霖 +1 位作者 沈学础 m.vonortenberg 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期666-672,共7页
给出了经典极限下多能谷Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体在磁场下的红外介电函数的一般解析表达式,并通过与k·P模型的结合给出了红外介电函数的半经典处理途径。通过对典型Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体材料PbTe红外介电函数的计算,讨论了能带非抛物性... 给出了经典极限下多能谷Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体在磁场下的红外介电函数的一般解析表达式,并通过与k·P模型的结合给出了红外介电函数的半经典处理途径。通过对典型Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体材料PbTe红外介电函数的计算,讨论了能带非抛物性和载流子浓度在多能谷体系中的分布效应对红外介电函数的影响。 展开更多
关键词 半导体 磁场 红外介电函数
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