期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
钾薄膜中俄歇电子的非弹性平均自由程
1
作者 崔凤辉 m.a.chesters 《分析试验室》 CAS CSCD 北大核心 1991年第1期6-10,共5页
本文测定了钾薄膜中能量为65、256和921eV的俄歇电子的非弹性平均自由程(IMFP)。在室温下,钾蒸气在清洁的铜单晶(100)表面只沉积成单原子层的薄膜;当温度低至-173℃～-123℃时可沉积成多原子层薄膜,且薄膜是按原子层逐层沉积而成。根据... 本文测定了钾薄膜中能量为65、256和921eV的俄歇电子的非弹性平均自由程(IMFP)。在室温下,钾蒸气在清洁的铜单晶(100)表面只沉积成单原子层的薄膜;当温度低至-173℃～-123℃时可沉积成多原子层薄膜,且薄膜是按原子层逐层沉积而成。根据薄膜中所包含的原子层的层数可以计算出薄膜的厚度。铜衬底的俄歇信号和沉积层的俄歇信号均可用于计算钾薄膜中俄歇电子的IMFP,其结果为0.64nm(65eV)、1.01nm(256ev)和2.20nm(921eV)。 展开更多
关键词 钾 薄膜 俄歇电子 IMFP 表面分析
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部