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基于高迁移率微晶硅的薄膜晶体管(英文) 被引量：4
1
作者 CHAN Kah-Yoong Eerle Bunte +1 位作者 helmut stiebig Dietmar Knipp 《电子器件》 CAS 2008年第1期109-114,共6页
近年来，微晶硅（μc-Si：H）被认为是一种制作TFT的有前景的材料。采用PECVD法，在低于200℃时制作了微晶硅TFTs，其制作条件类似于非晶态TFTs。微晶硅TFTs器件的迁移率超过了30cm^2／Vs，而阈值电压是2．5V。在长沟道器件（50-200μm... 近年来，微晶硅（μc-Si：H）被认为是一种制作TFT的有前景的材料。采用PECVD法，在低于200℃时制作了微晶硅TFTs，其制作条件类似于非晶态TFTs。微晶硅TFTs器件的迁移率超过了30cm^2／Vs，而阈值电压是2．5V。在长沟道器件（50-200μm）中观测到了这种高迁移率。但对于短沟道器件（2μm），迁移率就降低到了7cm^2／Vs。此外，该TFTs的阈值电压随着沟道长度的减少而增大。文章采用了一种简单模型解释了迁移率、阈值电压随着沟道长度的缩短而分别减少、增加的原因在于源漏接触电阻的影响。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 TFT 微晶硅 大面积电子
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