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CMOS器件的辐射效应及加固技术
1
作者
D.B.Clifton
b.r doylf
曾平
《微电子学》
CAS
CSCD
1989年第2期45-49,共5页
目前,人们正在建立一种能在战术和战略两种核环境生存的防御系统。在工业上,人们也正在制定一套辐射加固技术规范,以减小在那些要求苛刻、周期长远的计划中投入大量资金时遇到的特有风险。此外,核动力的出现,也需要适合于辐射环境工作...
目前,人们正在建立一种能在战术和战略两种核环境生存的防御系统。在工业上,人们也正在制定一套辐射加固技术规范,以减小在那些要求苛刻、周期长远的计划中投入大量资金时遇到的特有风险。此外,核动力的出现,也需要适合于辐射环境工作的监测系统和控制系统。系统的抗辐射技术有:限流电阻;二极管过压保护以及屏蔽技术;回避技术等。然而一个易受辐射损坏的系统的最薄弱环节,一般是构成系统的电子器件。
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关键词
CMOS器件
幅射效应
加固
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职称材料
题名
CMOS器件的辐射效应及加固技术
1
作者
D.B.Clifton
b.r doylf
曾平
机构
哈里斯半导体公司
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1989年第2期45-49,共5页
文摘
目前,人们正在建立一种能在战术和战略两种核环境生存的防御系统。在工业上,人们也正在制定一套辐射加固技术规范,以减小在那些要求苛刻、周期长远的计划中投入大量资金时遇到的特有风险。此外,核动力的出现,也需要适合于辐射环境工作的监测系统和控制系统。系统的抗辐射技术有:限流电阻;二极管过压保护以及屏蔽技术;回避技术等。然而一个易受辐射损坏的系统的最薄弱环节,一般是构成系统的电子器件。
关键词
CMOS器件
幅射效应
加固
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CMOS器件的辐射效应及加固技术
D.B.Clifton
b.r doylf
曾平
《微电子学》
CAS
CSCD
1989
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