CMOS器件的辐射效应及加固技术

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摘要目前,人们正在建立一种能在战术和战略两种核环境生存的防御系统。在工业上,人们也正在制定一套辐射加固技术规范,以减小在那些要求苛刻、周期长远的计划中投入大量资金时遇到的特有风险。此外,核动力的出现,也需要适合于辐射环境工作的监测系统和控制系统。系统的抗辐射技术有:限流电阻;二极管过压保护以及屏蔽技术;回避技术等。然而一个易受辐射损坏的系统的最薄弱环节,一般是构成系统的电子器件。

作者 D.B.Clifton B.R Doylf 曾平

机构地区哈里斯半导体公司

出处《微电子学》 CAS CSCD 1989年第2期45-49,共5页 Microelectronics

关键词 CMOS器件幅射效应加固

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]

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微电子学

1989年第2期

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