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溅射气氛中O_2/Ar比及热处理对直流反应磁控溅射法制备玻璃基TiO_2薄膜结构与亲水性的影响 被引量：2
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作者 赵青南 刘保顺 +1 位作者 赵修建 a.w.sleight 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期339-343,共5页
在工作气压为0.80Pa的氧氩气混合气氛下,改变氧与氩的流量比(O2/Ar:0.10,0.20,0.30),在预先镀10nm左右SiO2的普通玻璃基片上用直流(D.C.)磁控溅射法制备了300nm左右的TiO2薄膜试样。离线在500℃、氧气氛下对试样热处理2h。用X射线光电... 在工作气压为0.80Pa的氧氩气混合气氛下,改变氧与氩的流量比(O2/Ar:0.10,0.20,0.30),在预先镀10nm左右SiO2的普通玻璃基片上用直流(D.C.)磁控溅射法制备了300nm左右的TiO2薄膜试样。离线在500℃、氧气氛下对试样热处理2h。用X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射仪(XRD)分别研究了试样热处理前后的表面元素组成、离子状态和物相组成,用接触角分析仪测试了试样在紫外光(UV)照射后的水润湿角。 展开更多
关键词 玻璃基TiO2薄膜 亲水性 直流反应磁控溅射 氧气和氩气流量比
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