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高固气比状态下的粉煤气力输送 被引量：79
1
作者 龚欣 郭晓镭 +6 位作者 代正华 封金花 陈金峰 郑耀辉 陈锋 熊浪 于遵宏 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期640-644,共5页
在自建的气力输送系统上，进行了高固气比状态下粉煤气力输送研究．分别在内径为15、20、32mm的管道中进行了输送实验，考察了操作参数对粉煤质量流量、固气比、表观气速等气力输送特征参数的影响．结果表明，输送固气比达到200～580kg&... 在自建的气力输送系统上，进行了高固气比状态下粉煤气力输送研究．分别在内径为15、20、32mm的管道中进行了输送实验，考察了操作参数对粉煤质量流量、固气比、表观气速等气力输送特征参数的影响．结果表明，输送固气比达到200～580kg·kg^-1；随气体流量增加，粉煤的质量流量增大，而固气比降低；与输送压力的影响相比，管径对粉煤质量流量的影响程度更为显著；给出了基于本系统描述各参数之间相互关系的经验方程，表明较小的气量和较大的输送管径更有利于实现高固气比状态下的粉煤气力输送． 展开更多
关键词 气力输送 高固气比 粉煤
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气流式雾化过程的有限随机分裂模型 被引量：13
2
作者 龚欣 刘海峰 +5 位作者 李伟锋 陈谋志 秦军 于广锁 王辅臣 于遵宏 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期786-790,共5页
滴径分布是描述喷嘴雾化性能的一个重要指标. 从液滴分裂的自相似性出发, 提出了描述气流式雾化过程的液滴有限随机分裂模型. 实验和模拟计算结果表明, 该模型能较好地模拟三通道喷嘴气流式雾化过程的平均滴径和滴径分布的非线性关系.
关键词 雾化 喷嘴 气流式 滴径分布 随机分裂
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新型气流床粉煤加压气化技术 被引量：26
3
作者 龚欣 郭晓镭 +5 位作者 代正华 于遵宏 韩飞 赵瑞同 吕传磊 路文学 《现代化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期51-52,54,共3页
气流床粉煤加压气化技术具有原料消耗低,碳转化率高,热效率高,煤种适应性强等优势。我国具有自主知识产权的气流床粉煤加压气化技术中试装置在兖矿鲁南化肥厂运行成功,各项技术指标分别为:有效气体积分数89%～93%,碳转化率98%～99%,比氧... 气流床粉煤加压气化技术具有原料消耗低,碳转化率高,热效率高,煤种适应性强等优势。我国具有自主知识产权的气流床粉煤加压气化技术中试装置在兖矿鲁南化肥厂运行成功,各项技术指标分别为:有效气体积分数89%～93%,碳转化率98%～99%,比氧耗0.30～0.32m3/m3,比煤耗0.53～0.54kg/m3,冷煤气效率≥84%。 展开更多
关键词 粉煤加压气化 气流床 气化炉
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冷态德士古气化炉流场与停留时间分布的研究 被引量：9
4
作者 龚欣 于建国 +3 位作者 王辅臣 何元 于遵宏 沈才大 《燃料化学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期189-195,共7页
测定了德士古气化炉的冷态速度分布和停留时间分布。结果表明：德士古气化炉内在轴向２．５～３．０倍直径范围内存在回流，最大回流量为射流量的３．５倍左右；在平均停留时间之前，已有５０％左右的物料逸出炉外。本文指出，德士古气... 测定了德士古气化炉的冷态速度分布和停留时间分布。结果表明：德士古气化炉内在轴向２．５～３．０倍直径范围内存在回流，最大回流量为射流量的３．５倍左右；在平均停留时间之前，已有５０％左右的物料逸出炉外。本文指出，德士古气化炉中存在的问题，如结渣、耐火砖寿命短、有效气体成分偏低均与炉内流场有关。 展开更多
关键词 气化炉 气化 流场 燃料
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气流床粉煤加压气化制备合成气新技术 被引量：22
5
作者 龚欣 郭晓镭 +5 位作者 代正华 于遵宏 郭宝贵 赵瑞同 贺克农 谭可容 《煤化工》 CAS 2005年第6期5-8,共4页
介绍了我国自主创新的气流床粉煤加压气化制备合成气新技术,给出了该技术在国内首套中试装置上的运行数据与工艺技术指标;运行结果表明,其合成气中有效气成分为89%￣93%,碳转化率≥98%,各项技术指标达到国际先进水平,具有广阔的应用前... 介绍了我国自主创新的气流床粉煤加压气化制备合成气新技术,给出了该技术在国内首套中试装置上的运行数据与工艺技术指标;运行结果表明,其合成气中有效气成分为89%￣93%,碳转化率≥98%,各项技术指标达到国际先进水平,具有广阔的应用前景。同时,介绍了目前在国际上尚未见报道的以CO2为粉煤输送介质进行气化反应的合成气成分。 展开更多
关键词 粉煤 气流床 加压气化 煤气化
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公共品私人自愿提供决策的实验研究 被引量：9
6
作者 龚欣 刘文忻 张元鹏 《中南财经政法大学学报》 CSSCI 北大核心 2010年第4期26-32,共7页
本文利用实验数据对公共品私人自愿提供机制的多个经典特征事实进行了实证检验,其结论基本支持诸如"公共品私人自愿供给的存在性"、"捐献率随重复捐献次数的增加而有下降的趋势"和"公共品投资的私人边际回报... 本文利用实验数据对公共品私人自愿提供机制的多个经典特征事实进行了实证检验,其结论基本支持诸如"公共品私人自愿供给的存在性"、"捐献率随重复捐献次数的增加而有下降的趋势"和"公共品投资的私人边际回报率和交流的正效应"等特征事实。同时,实验还得到了一些新的发现,如"期初平均捐献水平较低"、"口头协议效果显著"、"经验分享存在积极作用"和"小组的合作程度存在巨大的差异"等。这些结论说明通过合理的制度设计和安排可以达到部分公共品由私人自愿提供的目的。 展开更多
关键词 公共品私人自愿提供 实验经济学 私人边际回报率 公共品
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自主创新的气流床粉煤加压气化技术 被引量：13
7
作者 龚欣 郭晓镭 +12 位作者 代正华 于遵宏 吕传磊 赵瑞同 路文学 韩飞 郭宝贵 张鸿林 贺克农 赵柱 孙铭绪 黄信良 谭可荣 《大氮肥》 CAS 2005年第3期154-157,共4页
介绍国内首套自主知识产权粉煤加压气化技术的研发与运行情况。中试装置运行结果表明:该气化技术各项经济技术指标优越,有效气成分89%～93%,碳转化率98%～99%,冷煤气效率约84%,达到了国际先进水平,已具备产业化条件。
关键词 加压气化技术 自主创新 粉煤 气流床 自主知识产权 经济技术指标 国际先进水平 运行结果 中试装置 碳转化率 冷煤气 产业化 首套
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新型撞击流气流床水煤浆气化炉 被引量：12
8
作者 龚欣 王辅臣 +2 位作者 刘海峰 于广锁 于遵宏 《燃气轮机技术》 北大核心 2002年第2期23-24,34,共3页
在对气流床特性及炉内煤气化过程分析的基础上研究开发了具有自主知识产权的新型撞击流气流床水煤浆气化炉。通过优化炉体结构与喷嘴设置强化了热质传递 ,提高了气化效率。
关键词 煤气化 水煤浆 气流床 气化炉
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德士古气化炉冷态流场测试 被引量：4
9
作者 龚欣 于建国 +3 位作者 肖克俭 王辅臣 沈才大 于遵宏 《华东化工学院学报》 CSCD 1993年第2期128-133,共6页
在出口端结构、尺寸各异的六种有机玻璃容器(φ320×8mm,长为1182mm、1680mm)中,用激光多普勒测速仪,测定了不同射流量时的轴向速度分布,并计算了回流量、涡眼位置以及回流区的起止轴向位置。得到了筒体长度、直径、出口结构以及射... 在出口端结构、尺寸各异的六种有机玻璃容器(φ320×8mm,长为1182mm、1680mm)中,用激光多普勒测速仪,测定了不同射流量时的轴向速度分布,并计算了回流量、涡眼位置以及回流区的起止轴向位置。得到了筒体长度、直径、出口结构以及射流量对速度分布和回流量的影响结果,从而揭示出德士古气化炉内的流动状况,认为德士古气化炉中流场是影响化学反应结果的重要因素。 展开更多
关键词 气化炉 测试 流场 煤
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时序逻辑电路失效分析 被引量：4
10
作者 龚欣 王旭 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第10期974-977,共4页
利用液晶热点定位和电压衬度像等技术手段,准确定位了一时序逻辑电路的失效部位,结合电路原理分析以及芯片版图,详细解释了器件失效模式与失效现象的关系,并对其失效原因进行了实验验证。结果显示,电压衬度技术可以直观地显示逻辑电路... 利用液晶热点定位和电压衬度像等技术手段,准确定位了一时序逻辑电路的失效部位,结合电路原理分析以及芯片版图,详细解释了器件失效模式与失效现象的关系,并对其失效原因进行了实验验证。结果显示,电压衬度技术可以直观地显示逻辑电路内部某点的逻辑状态,在失效定位以及失效模式确认方面起重要作用;时序逻辑电路失效后存在电势竞争现象,本失效案例表明,当电路中某点出现"1"和"0"的电势竞争时,该点表现为"1"。 展开更多
关键词 时序逻辑电路 失效分析 电压衬度像 电势竞争
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p-GaN ICP刻蚀损伤研究 被引量：1
11
作者 龚欣 吕玲 +3 位作者 郝跃 李培咸 周小伟 陈海峰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1097-1103,共7页
运用Cl2/N2等离子体系统,系统研究了ICP刻蚀中ICP功率、RF功率、反应室压力和Cl2百分比对p型GaN材料的物理表面形貌和欧姆接触特性的影响.原子力显微镜显示,在文中所用的刻蚀条件范围内,刻蚀并没有引起表面形貌较大的变化,刻蚀表面的均... 运用Cl2/N2等离子体系统,系统研究了ICP刻蚀中ICP功率、RF功率、反应室压力和Cl2百分比对p型GaN材料的物理表面形貌和欧姆接触特性的影响.原子力显微镜显示,在文中所用的刻蚀条件范围内,刻蚀并没有引起表面形貌较大的变化,刻蚀表面的均方根粗糙度在1.2nm以下.结果还显示,已刻蚀p-GaN材料的电特性与物理表面形貌没有直观联系,刻蚀后欧姆接触特性变差更多地是因为刻蚀中浅施主能级的引入,使表面附近空穴浓度降低所致. 展开更多
关键词 GAN 感应耦合等离子体刻蚀 等离子体损伤
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新型(多喷嘴对置式)水煤浆气化炉 被引量：33
12
作者 龚欣 刘海峰 +2 位作者 王辅臣 于广锁 于遵宏 《节能与环保》 2001年第6期15-17,共3页
在对水煤浆气化过程深入研究与分析基础上，成功开发了新型（多喷嘴对置式）水煤浆气化炉。本文介绍了有关新型气化炉的实验研究结果，如气化炉内流场结构；给出了新型气化炉的中试考核数据，并将其与引进技术进行了比较，显示出新型气... 在对水煤浆气化过程深入研究与分析基础上，成功开发了新型（多喷嘴对置式）水煤浆气化炉。本文介绍了有关新型气化炉的实验研究结果，如气化炉内流场结构；给出了新型气化炉的中试考核数据，并将其与引进技术进行了比较，显示出新型气化炉的技术优势。 展开更多
关键词 气化炉 水煤浆 撞击流 中式装置 多喷嘴对置式
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4H-SiC npn BJT特性研究 被引量：1
13
作者 龚欣 张进城 +1 位作者 郝跃 张晓菊 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期2201-2204,共4页
基于二维器件仿真软件Medici对 4H SiC双极型晶体管 (BJT)进行了建模 ,包括能带模型、能带窄变模型、迁移率模型、产生复合模型和不完全电离模型 ,为 4H SiC的工艺与器件提供了设计平台 .在此基础上对 4H SiCBJT器件进行了模拟研究 .结... 基于二维器件仿真软件Medici对 4H SiC双极型晶体管 (BJT)进行了建模 ,包括能带模型、能带窄变模型、迁移率模型、产生复合模型和不完全电离模型 ,为 4H SiC的工艺与器件提供了设计平台 .在此基础上对 4H SiCBJT器件进行了模拟研究 .结果显示 ,器件基极电流IB=1μA/μm时发射极电流增益 β为 32 .4 ,击穿电压BVCEO大于 80 0V ,截止频率fT 接近 展开更多
关键词 4H-SIC 物理模型 双极型晶体管
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水煤浆气化技术在中国的应用及其进展 被引量：9
14
作者 龚欣 于遵宏 +2 位作者 王辅臣 刘海峰 于广锁 《节能与环保》 2001年第5期21-23,共3页
关键词 水煤浆 气化技术 中国 进展 应用
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功率肖特基二极管静电损伤分析 被引量：2
15
作者 龚欣 张延伟 《失效分析与预防》 2010年第3期168-171,共4页
从静电放电(ESD)导致肖特基整流管失效的案例分析入手,提出了一种新的失效机理,解释了高耐压肖特基整流管静电敏感的原因。结果表明:功率肖特基二极管由于需要生长SiO2作P+扩散环的掩蔽层,而在刻蚀SiO2形成肖特基势垒区时,往往会由于各... 从静电放电(ESD)导致肖特基整流管失效的案例分析入手,提出了一种新的失效机理,解释了高耐压肖特基整流管静电敏感的原因。结果表明:功率肖特基二极管由于需要生长SiO2作P+扩散环的掩蔽层,而在刻蚀SiO2形成肖特基势垒区时,往往会由于各种原因(例如Si表面的微缺陷、刻蚀不干净等)残留少量或极少量SiO2,从而在肖特基二极管中引入对ESD敏感的金属氧化半导体(MOS)电容结构,造成器件的抗静电能力大幅下降。该研究结果对肖特基二极管生产、使用以及失效分析具有重要指导意义。 展开更多
关键词 肖特基整流管 失效分析 静电放电
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航天用DC/DC电源模块结构分析研究 被引量：17
16
作者 龚欣 《电子产品可靠性与环境试验》 2010年第5期23-28,共6页
结构分析作为一种可靠性评估方法,它通过分析元器件的设计和结构工艺来确定元器件是否存在潜在的失效机制,对于高可靠应用领域元器件的质量保证起着重要的作用。DC/DC电源模块是航天器广泛使用的重要元器件,它的长期可靠性和稳定性直接... 结构分析作为一种可靠性评估方法,它通过分析元器件的设计和结构工艺来确定元器件是否存在潜在的失效机制,对于高可靠应用领域元器件的质量保证起着重要的作用。DC/DC电源模块是航天器广泛使用的重要元器件,它的长期可靠性和稳定性直接关系着航天器的在轨安全。对航天用DC/DC电源模块的结构分析方法进行了研究,并给出了它的关注点和试验方法及其重要的判据,为航天用DC/DC电源模块的结构分析提供重要的指导。 展开更多
关键词 结构分析 结构优劣 结构分析判据 电源模块
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npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析
17
作者 龚欣 马琳 +3 位作者 张晓菊 张金凤 杨燕 郝跃 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1600-1603,共4页
基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果表明实际器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大... 基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果表明实际器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大的原因主要是高基区电阻和基区接触的非欧姆特性,为器件的工艺制造提供了理论指导. 展开更多
关键词 GAN 物理模型 异质结双极晶体管
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6H-SiCOI MESFET器件结构参数对其特性的影响
18
作者 龚欣 张进城 +1 位作者 郝跃 李培咸 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期257-260,264,共5页
　采用二维器件仿真软件Medici,模拟分析了SiCOI(绝缘衬底上SiC)MESFET器件的结构参数,如有源层掺杂浓度、栅长和有源层厚度等,对器件特性(阈值电压和跨导)的影响。结果表明,其结构参数对器件特性有较大影响。同时,对所得结果从内部物... 　采用二维器件仿真软件Medici,模拟分析了SiCOI(绝缘衬底上SiC)MESFET器件的结构参数,如有源层掺杂浓度、栅长和有源层厚度等,对器件特性(阈值电压和跨导)的影响。结果表明,其结构参数对器件特性有较大影响。同时,对所得结果从内部物理机制上进行了分析。 展开更多
关键词 SICOI MESFET 结构参数
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多台阶介质槽隔离的SiCOI MESFET器件
19
作者 龚欣 张进城 郝跃 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期73-76,共4页
用二维器件仿真软件 MEDICI对 Si COI(Si C on insulator) MESFET的击穿特性进行了研究 ,提出了一种新的 Si COI MESFET器件介质槽隔离结构 ,即多台阶介质槽隔离结构 .研究结果表明 ,与单介质槽隔离 Si COI MES-FET相比 ,多台阶结构在... 用二维器件仿真软件 MEDICI对 Si COI(Si C on insulator) MESFET的击穿特性进行了研究 ,提出了一种新的 Si COI MESFET器件介质槽隔离结构 ,即多台阶介质槽隔离结构 .研究结果表明 ,与单介质槽隔离 Si COI MES-FET相比 ,多台阶结构在保持高击穿电压的情况下 ,可以大大提高器件的饱和漏电流和跨导 .多台阶介质槽隔离Si COI 展开更多
关键词 SICOI MESFET 多台阶介质槽隔离 击穿电压
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