采用金属铝诱导晶化非晶硅薄膜的方法制备多晶硅薄膜。研究了不同的退火温度对a-S i薄膜晶化的影响,采用XRD,R am an,SEM等测试手段分析了实验结果。实验结果发现非晶硅薄膜在400℃下退火20 m in薄膜仍为非晶结构(a-S i),在450℃下退火2...采用金属铝诱导晶化非晶硅薄膜的方法制备多晶硅薄膜。研究了不同的退火温度对a-S i薄膜晶化的影响,采用XRD,R am an,SEM等测试手段分析了实验结果。实验结果发现非晶硅薄膜在400℃下退火20 m in薄膜仍为非晶结构(a-S i),在450℃下退火20 m in后非晶硅开始晶化且随着温度的升高,且晶化程度加强。展开更多
将碳化硅(SiC)粉体和一定量聚碳硅烷(polycarbosilane,PCS)、蒸馏水、聚丙烯酰胺(polyacrylamide,PAM)、聚丙烯酸(polypropylene acid,PAA)混合球磨以制备水性SiC浆料并测定了SiC粒子的动电位及粘度;将浆料均匀涂在SiC支撑体上,在1100...将碳化硅(SiC)粉体和一定量聚碳硅烷(polycarbosilane,PCS)、蒸馏水、聚丙烯酰胺(polyacrylamide,PAM)、聚丙烯酸(polypropylene acid,PAA)混合球磨以制备水性SiC浆料并测定了SiC粒子的动电位及粘度;将浆料均匀涂在SiC支撑体上,在1100℃真空条件下烧成,制备了SiC陶瓷膜并测定陶瓷膜的孔径分布及纯水通量及观察其形貌。研究结果表明:涂膜所用的浆料在pH值为11左右时,SiC粒子动电位最大达到-40 m V,浆料表观粘度最小为20 m Pa·s,制备的陶瓷膜孔径大小集中在1μm左右,纯水通量达40 m3/(m2·h)。展开更多
文摘采用金属铝诱导晶化非晶硅薄膜的方法制备多晶硅薄膜。研究了不同的退火温度对a-S i薄膜晶化的影响,采用XRD,R am an,SEM等测试手段分析了实验结果。实验结果发现非晶硅薄膜在400℃下退火20 m in薄膜仍为非晶结构(a-S i),在450℃下退火20 m in后非晶硅开始晶化且随着温度的升高,且晶化程度加强。
文摘将碳化硅(SiC)粉体和一定量聚碳硅烷(polycarbosilane,PCS)、蒸馏水、聚丙烯酰胺(polyacrylamide,PAM)、聚丙烯酸(polypropylene acid,PAA)混合球磨以制备水性SiC浆料并测定了SiC粒子的动电位及粘度;将浆料均匀涂在SiC支撑体上,在1100℃真空条件下烧成,制备了SiC陶瓷膜并测定陶瓷膜的孔径分布及纯水通量及观察其形貌。研究结果表明:涂膜所用的浆料在pH值为11左右时,SiC粒子动电位最大达到-40 m V,浆料表观粘度最小为20 m Pa·s,制备的陶瓷膜孔径大小集中在1μm左右,纯水通量达40 m3/(m2·h)。
