摘要
本文用控制阴极电位电解还原方法,制得了以Si为杂原子的Keggin结构二电子、四电子杂多蓝K_2H_4[SiMo_2~ⅤMo_(10)~ⅥO_(40)]·12H_20(Ⅰ)和K_3H_5[SiMo_4~ⅤMo_8~ⅥO_(40)]·12H_2O(Ⅱ).通过IR,UV,极谱,XPS,ESR及单晶X射线衍射对所合成的杂多蓝进行了表征,确定了被还原的Mo(V)位置位于不同的边共用三金属簇内,测定结果表明,Keggin结构杂多阴离子还原后,八面体结构有轻微畸变,畸变程度随还原程度增大而增大。
出处
《中国科学（B辑）》
CSCD
北大核心
1992年第7期673-682,共10页
Science in China(Series B)
基金
国家自然科学基金
