摘要
一 MOS场效应四极管的特性图1是一个在P型Si衬底上制造的Al栅n沟道MOS场效应四极管的截面图。两个n+扩散区分别作为源、漏接触电极。中间n-扩散区用来连接两个沟道,相当于一沟道的漏极,二沟道的源极。在一般电路中,源极接地,漏极接电源,信号由一栅输入,二栅作为自动增益控制电极。这样,随漏压V和两个栅压VG1、VG2的不同,MOS场效应管有四种不同的工作状态。如果用“S”和“L”分别表示沟道工作在饱和区及线性区,用“1”和“2”分别表示一沟和二沟道,那么。
In this paper we brief described the operating principle and the characteristics of a MOS field effect tetrode. It laid special stress on the analysis of the structure and design and fabrication technology of aluminium gate MOS field effect tetrode.
出处
《辽宁大学学报（自然科学版）》
CAS
1989年第2期38-41,共4页
Journal of Liaoning University：Natural Sciences Edition
