摘要
我公司开发了能够适用于各种图形的相位移动法,称为“移相器遮光方式”。用该法试制了设计规则为0.4μm的64M DRAM,已确认具有64M第一代产品所需的光刻分辨率,与数值孔径NA为0.5的i线步进机组合使用,在试制的芯片中得到最小线宽为0.3μm及孔径为0.35μm的图形。在64M DRAM时代的曝光技术中,i线和相位移动法的组合,或者KrF准分子激光器光刻都已成为可选择的方法。我们开发了能够沿用i线技术的相位移动法作为第一候选法。若将准分子激光器和相位移动法组合使用,则更进一步扩展了光学曝光技术的极限。
出处
《半导体情报》
1992年第3期59-64,F003,共7页
Semiconductor Information
