期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

4117型串列加速器的运行和改进 被引量：2

The operation and improvement of tandetron 4117
在线阅读 下载PDF
导出
摘要 本文介绍了4117型串列加速器运行和改进。其中包括860型离子源电离器实验情况和从1988年以来高能离子注入实验情况。 This article introduces the operation and improvement of model 4117 tandetron, including the home-made ionizer for model 860 ion source and the work of high energy implantation since 1988.
作者 王文勋 敫桂跃 王广甫 董平
机构地区 北京师范大学
出处 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第6期358-361,共4页 Nuclear Techniques
关键词 串列加速器 离子源 高能离子注入 运行 Model 4117 tandem Ion source High energy ion implantation
分类号 TL520.7 [核科学技术—核技术及应用] TL520.3 [核科学技术—核技术及应用]
  • 相关文献

同被引文献12

  • 1缴桂跃.透射型表面电离源的研制[J].核技术,1995,18(2):112-116. 被引量：3
  • 2缴桂跃，912298243
  • 3缴桂跃，北京师范大学学报，1994年，30卷，2期，207页
  • 4缴桂跃，核技术，1993年，16卷，3期，152页
  • 5缴桂跃，核技术，1993年，16卷，12期，742页
  • 6Wu Yuguang, Zhang Huixing, Zhang Xiaoji, et al. Carrier corcentration profiles in multiply implanted silicon with 0.5～0.75 MeV phosphorus[J]. NIM,1989,B59:428
  • 7Ji Chengzhou, Zhang Yanwen, Li Guohui, et al. The activation of MeV Si+ implants in Si-GaAs[C]∥Proc.of 7th Conference on Semi-Insulating Ⅲ-Ⅳ Materials,1992:105
  • 8Han Dejun, Chan K T, Li Guohui, et al. A Si+ structure in semi-insulating GaAs substrate by high energy implantation[J]. NIM, 1995,B100:64
  • 9许云.对受高能H,C,O离子轰击的GR-200热释光剂量片的几点研究[D].北京:北京师范大学物理学系,2001
  • 10王广甫,苏颖,董平.北京师范大学2×1.7 MV串列加速器在离子注入诱变育种研究中的应用[C].第3次全国离子束生物工程学大会暨第1次国际学术研讨会论文集,2002:235

引证文献2

二级引证文献4

核技术
1992年 第6期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部