摘要
本文根据钻石自体烧结、生成碳化物烧结、扫越催化再结晶方式与石墨一次生长多晶钻石四种不同方法的烧结机制,论述了相应的压力场、温场及压力温度工艺条件。
The paper discussed the pressure and temperature gradients in HP/HT cell and technical conditions in sintering PCD based on the formation mechanisms of PCD in terms of self sintering,bonding with carbide, sweeping though catalysed recrystallization and growing from graphite.
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期272-277,共6页
Journal of Synthetic Crystals
关键词
多晶钻石
压力场
结晶驱动力
温度场
烧结工艺
再结晶方式
polycrystalline diamond (PCD)
sintering
temperature gradient
pressure gradient
crystallization driving force
