采用MBE法夏普首次实现蓝紫色激光器
Introduce MBE Technique The Blue-Violet LED of Realizing in Sharp
出处
《光盘技术》
2004年第1期26-26,共1页
CD TECHNOLOGY
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3敏键.MBE法在GaAs上生长CdTe的择优取向[J].电子材料快报,1996(8):2-2.
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4苏宇吹.用MBE法在Si异质结上生长Si1—xGex[J].电子材料快报,1998(7):15-16.
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6晓晔.MBE法生长高质量HgCdTe／GaAs（211）B[J].电子材料快报,1995(11):17-18.
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7索尼宣布强化蓝紫色半导体激光器的生产体制和产品线[J].现代材料动态,2007(7):24-25.
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8李国正,刘淑萍.P-Ge_(0.05)Si_(0.95)/P-Si异质结的I-V特性和光响应[J].固体电子学研究与进展,1997,17(1):26-29.
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9李文连.EL蓝色荧光体[J].发光快报,1995,16(3):29-33.
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10大久保聪,根津祯,林咏（译）.下一代DVD将助蓝紫色半导体激光器一统天下[J].电子设计应用,2007(7):47-50.
