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势能的分析模型计算GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs调制掺杂异质结中的电子能极(英文)

A Simple Analytic Potential Model for Electron Energy Levels in GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs Modulation-Doped Heterojunctions
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摘要 本文提出一个用于计算GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs调制掺杂异顺结中准二维电于气体的能级的势能分析模型,该模型的计算结果与自洽计算结果相符合,并且电子的波函数以及电子的势能可以用简单的解析式表示出来,应用该模型计算电子能级是一种简便可行的方法。 An analytic potential energy model was presented to calculate the energy levels of the quasi bi-dimen- sional electron gases in the GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs modulation-doped heterojuctions.The calculated results are in agreement with those of self-consistent calculations.The wave functions as well as the potential energy can be expressed analytically.It is an easy and practical way to calculate the energy levels with this analytic model.
作者 邓容平
机构地区 新疆大学物理系
出处 《新疆大学学报(自然科学版)》 CAS 1992年第1期50-53,共4页 Journal of Xinjiang University(Natural Science Edition)
基金 国家自然科学基金资助项目
关键词 势能分析模型 掺杂 异质结 调制 GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs modulation-doped heterojunctlon bi-dimensional electron gas analytic potential model energy levels
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