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磁电子学研究概述 被引量：3

Review of Magnetoelectronics
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摘要 简要介绍了磁电子学的基本概念、研究对象和几种重要效应 ,以及基于这些效应的几种新型器件的工作原理 ,提出了磁电子学研究中的几个前瞻性课题 。 Basic concepts, research areas, sev eral important effects and novel devices of magnetoelectronics are reviewed. Som e recent hot spots and the future prospects of magnetoelectronics are proposed.
作者 魏朝刚 任天令 朱钧 韦丹
机构地区 清华大学微电子所 清华大学材料科学与工程研究院
出处 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期377-383,共7页 Research & Progress of SSE
关键词 磁电子学 自旋极化 巨磁电阻 自旋阀 输运 电子器件 自旋弛豫 隧道效应 场致磁效应 magnetoelectronics spin polarization giant ma gneto-resistance (GMR) spin valve transport
分类号 TN6 [电子电信—电路与系统] TN389 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献14

  • 1[1]Baibich M N, Broto J M, Fert A, et al. Giant magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr magnetic superlattices. Phys Rev Lett, 1988;61(21):2 472
  • 2蔡建旺,赵见高,詹文山,沈保根.磁电子学中的若干问题[J].物理学进展,1997,17(2):119-149. 被引量：50
  • 3[3]Gurney B A, Speriosu V S, Nozieres J P, et al. Direct measurement of spin-dependent conduction-electron mean free paths in ferromagnetic metals. Phys Rev Lett, 1993;71(24):4 023
  • 4[4]White R L. Giant magnetoresistance: A primer. IEEE Trans Magn, 1992;28(5):2 482
  • 5[5]Slonczewski J C. Unpublished work, 1975
  • 6[6]Ohno H, Chiba D, Matsukura F, et al. Electric-field control of ferromagnetism. Nature, 2000;408:944
  • 7[7]Brown J L, Pohm A V. 1-Mb memory chip using giant magnetoresistive memory cells. IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, 1994;Pt.A17(3):373
  • 8[8]Daughton J M. Magnetic tunneling applied to memory (invited). J Appl Phys, 1997;81(8):3 758
  • 9[9]Johnson M. Bipolar spin switch. Science, 1993;60:320
  • 10[10]Johnson M. The all-metal spin transistor. IEEE Spectrum, 1994;31:47

二级参考文献25

  • 1Yu Chengtao，Phys Rev B，1995年，52卷，1123页
  • 2Xiao Gang，Lectures on GMR and its Applications in CCAST，1996年
  • 3Rao G H，Appl Phys Lett，1996年，69卷，424页
  • 4Zhao G M，Nature，1996年，381卷，676页
  • 5Liu K，Phys Rev B，1996年，54卷，3007页
  • 6Chien C L，Ann Rev Mater Sci，1995年，25卷，129页
  • 7Jin S，Appl Phys Lett，1995年，66卷，382页
  • 8Xiong G C，Appl Phys Lett，1995年，66卷，1427页
  • 9Xiong G C，Appl Phys Lett，1995年，66卷，1689页
  • 10Tang D D，IEEE Trans Magn，1995年，31卷，3206页

共引文献49

同被引文献27

  • 1张吉英,冯秋菊,吕有明,范希武,申德振.自旋电子学及其器件应用[J].光机电信息,2004,21(9):26-28. 被引量：1
  • 2张之圣,胡明,刘志刚,王文生,白花珍,王聪修.磁阻效应及磁敏位置传感器[J].电子学报,1996,24(11):122-124. 被引量：2
  • 3孙强,龚新高,郑庆祺,王广厚.Fe-B团簇的结构与磁性的第一性原理研究[J].物理学报,1996,45(7):1146-1152. 被引量：12
  • 4Zhou X,Wong P,Xu P,Lee F C,Huang A Q. Investigation of candidate VRM topologies for future microprocessors[ J ]. IEEE Transactions on Power Electronics, 2000,15(6) :1172 - 1182.
  • 5Xie X,Liu J C P,Poon F N K,Pong M H.A novel high frequency current-driven synchronous rectifier for low voltage high current applications[ A]. IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition[ C]. Anaheim, USA, 2001. Vol. 1:469 - 475.
  • 6Xie X,Liu J C P,Poon F N K,Pong M H.A novel high frequency current-driven synchronous rectifier applicable to most switching topologies[ J].IEEE Transactions on Power Electronics,2001,16(5) :635 - 648.
  • 7Kohama T, Ninomiya T, Shoyama M, Tymerski R. Analysis of abnormal phenomena caused by synchronous rectifiers in a paralleled converter system[J].IEEE Transactions on Power Electronics,2000,15(4) :670 - 680.
  • 8Cheng D K W,Liu X C,Lee Y S. Parallel operation of DC-DC converters with synchronous rectifiers [ A ].IEEE Power Electronics Specialists Conference[ C ]. Fukuoka, Japan, 1998, Vol.2:1225 - 1229.
  • 9Archer W R. Current driven synchronous rectifier[J] .Electronics Design News, 1985,30(11) :279 - 282.
  • 10Sakai E, Harada K. A new synchronous rectifier using bipolar transistor driven by current transformer [A ]. Telecommunications Energy Conference [C]. Washington, USA, 1992. 424 - 429.

引证文献3

二级引证文献2

固体电子学研究与进展
2003年 第4期

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