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带超薄HfO2栅介质和多晶硅栅的n-MOSFET的热载流子可靠性

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出处《电子产品可靠性与环境试验》 2003年第6期70-70,共1页 Electronic Product Reliability and Environmental Testing

关键词超薄HfO2栅介质多晶硅栅 N-MOSFET 热载流子可靠性

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

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电子产品可靠性与环境试验

2003年第6期

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