Ⅰ线光刻的进展

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摘要 I线波长为365μm。I线光刻具有分辨率高、焦深比g线深、光刻简单和价廉物美等许多优点。0.45的数值孔径透镜和专门设计的光刻胶系统的应用,使I线光刻实现了0.5μm特征尺寸的亚微米光刻,而且曝光量比g线获得的曝光量高得多。

作者宋湘云

出处《微电子学》 CAS CSCD 1992年第6期57-58,共2页 Microelectronics

关键词亚微米器件光刻半导体器件

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微电子学

1992年第6期

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