摘要
本文详细介绍了三氯乙烷(TRICHLOROETHANE,以下简称TCA)氧化机理和TCA流量的控制方法。详细报导了用TCA清洗石英炉管和栅氧化的工艺,并用C—V测试方法证明了此工艺可把可动电荷密度降到1.1×10^(21)cm^2以下。实验表明这种工艺在VLSI,尤其是大规模MOS集成电路制造工艺中,对提高栅氧化膜质量和保持石英炉管清洁度,是一种行之有效的方法。目前在我们从美国引进的集成电路生产线上,TCA用于MOS、双极集成电路和光电接收器件的氧化工艺中,取得了可喜的成果。
出处
《微处理机》
1992年第2期58-62,共5页
Microprocessors
