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半导体中的多维流体力学模型在球的外部区域上的整体光滑解的渐进行为(英文)

The Asymptotic Behavior of Global Smooth Solutions to the Multidimensional Hydrodynamic Model for Semiconductors in the Exterior Domain
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摘要 研究半导体中的多维流体力学模型在球的外部区域上的整体光滑的渐进行为,证明了其依指数形式收敛到稳态解的特性. In this paper, we study the asymptotic behavior of the global spherically symmetric smooth solutions to the initial boundary value problem for the multidimensional hydrodynamic model for semiconductors in the exterior domain. We prove that the solution of the problem converges to a stationary solution time asymptotically exponentically fast.
出处 《河南大学学报(自然科学版)》 CAS 2003年第4期1-12,共12页 Journal of Henan University:Natural Science
基金 TheNationNaturalScienceFoundationofChina(GrantNo. 10 0 0 10 3 4) thespecialFundsofStateMajorBasicResearchProjects(GrantNo.19990 3 2 80 1) HenanProvinceNaturalScienceFoundationofChina
关键词 多维流体力学模型 半导体 渐进行为 整体球对称解 multidimensional hydrodynamic model semiconductors,asymptotic behavior global spherically symmetric smooth solution.
  • 相关文献

参考文献1

二级参考文献5

  • 1Luo T,SIAM J Appl Math,1998年,59卷,810页
  • 2Hsiao L,J Diff Eqs,1996年,125卷,329页
  • 3Zhang B,Commun Math Phys,1993年,157卷,1页
  • 4Hsiao L,The relaxation Hydrodynamic model Semiconductors to Drift diffusion equations
  • 5Zhang K J,待出版

共引文献3

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