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立方体AgCl微晶中[Fe(CN)_6]^(4-)引入的浅电子陷阱阱深与俘获截面的动力学模拟 被引量:4

The kinetics simulation of trap depths and capture cross sections of SETs in AgCl microcrystals doped with [Fe(CN)_6] ^(4-) complex*
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摘要 为了描述在晶体生长阶段掺入 [Fe(CN) 6 ]4 - 的立方体AgCl微晶中光电子的产生与衰减过程 ,建立了一种由三个固有中心和一个浅电子陷阱 (SETs)组成的动力学模型 ,并引出一组微分方程 .通过求解微分方程得到与实验结果相符合的光电子衰减曲线及其寿命 .调整相关模拟参数 ,于常温下得到由 [Fe(CN) 6 ]4 - 引入的SETs阱深为0 115eV ,电子俘获截面为 2 136× 10 - 1 7cm2 . To describe the photoelectron rise and decay process of AgCl microcrystals doped with [Fe(CN)(6)](4-) a kinetics model composed of three intrinsic centres and a shallow electron traps (SETs) is set up, and further more, a set of differential equations is deduced. By solving the differential equations, photoelectron decay curve and photoelectron lifetime that is in accord with the transient microwave photoconductivity experimental data are obtained. Adjusting related simulation parameters, the SET depths and capture cross sections at room temperature for [Fe(CN)(6)](4-) are obtained and they are 0.115eV and 2.136 x 10-(17) cm(2) respectively.
出处 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期2649-2654,共6页 Acta Physica Sinica
基金 国家教育部科学技术研究重点项目 (批准号 :0 10 11) 河北省教育厅科研计划项目 (批准号 :2 0 0 2 15 3 )资助的课题~~
关键词 氯化银微晶 俘获截面 浅电子陷阱 光电子 掺杂 动力学模拟 照相性能 photoelectron shallow electron traps capture cross sections AgCl microcrystals
  • 相关文献

参考文献20

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二级参考文献1

共引文献5

同被引文献27

引证文献4

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