质子注入在半导体器件中的应用
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1毛明明,徐晨,魏思民,解意洋,刘久澄,许坤.质子注入能量对垂直腔面发射激光器的阈值和功率的影响[J].物理学报,2012,61(21):249-252. 被引量：5
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2蒋新元,许政权.质子注入LiNbO3的退火行为[J].上海半导体,1992(3):6-9.
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3李娜,李宁,陆卫,刘兴权,窦红飞,沈学础,Fu Lan,Tan H H,Jagadish C,Johnston M B,Gal M.质子注入和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱能级结构的调整[J].量子电子学报,2000,17(1):31-35. 被引量：1
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4戴沛然.质子注入等平面GaAs梁式引线混频管[J].固体电子学研究与进展,1990,10(4):353-357.
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5陈贵宾,李志锋,蔡炜颖,何力,胡晓宁,陆卫,沈学础.质子注入MBE碲镉汞n-on-p结性能研究[J].物理学报,2003,52(6):1496-1499. 被引量：8
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6荀孟,徐晨,解意洋,邓军,许坤,蒋国庆,潘冠中,陈弘达.Polarization Stable Vertical Cavity Surface Emitting Laser Array Based on Proton Implantation[J].Chinese Physics Letters,2015,32(10):44-47.
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7蒋国庆,徐晨,解意洋,荀孟,曹亚鹏,陈弘达.质子注入型光子晶体垂直腔面发射激光器制备[J].红外与激光工程,2016,45(12):32-36. 被引量：8
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8王思亮,胡强,张世勇,蒋兴莉,樱井建弥.针对场截止型功率器件的多重质子注入研究[J].东方电气评论,2015,29(4):11-15.
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9李娜,陆卫,李宁,刘兴权,袁先漳,窦红飞,沈学础,FU Lan,Tan H H,C Jagadish,M B Johnston,M Gal.质子注入和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的影响[J].红外与毫米波学报,2000,19(1):25-28. 被引量：3
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10刘国利,张佰君,朱洪亮,张静媛,汪孝杰,王圩.质子注入平面掩埋条形高频DFB激光器[J].半导体光电,2000,21(4):245-248. 被引量：4
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