一种新的宽带FET模型理论理论和计算机的分析计算
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1高葆新,谢爱国.由自动采集的器件参数直接构造的与工艺技术无关的大信号非准静态FET模型[J].电子技术(上海),1992,19(11):17-19.
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2郑惟彬,李晨,李辉,陈堂胜,任春江.氮化镓HEMT器件的新型Cold FET模型[J].电子器件,2008,31(6):1765-1768.
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3阙文修,姚熹,霍玉晶.YAP晶体光纤弹光效应的研究[J].光学学报,1994,14(2):198-202.
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4周浩华,姚立真,郝跃.深亚微米MOSFET模型研究进展[J].电子科技,1997,10(2):11-14. 被引量:2
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5路香香,姚若河,罗宏伟.ESD应力下的NMOSFET模型[J].微电子学,2007,37(6):842-847. 被引量:8
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6M6rcio,Cherem,Schneider(著).用全地区MOSFET建模进行CMOS模拟设计[J].国外科技新书评介,2011(1):19-19.
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7孟茜倩,程加力,高建军.基于MESFET非线性模型的MOSFET DC建模技术[J].电子器件,2012,35(3):263-266. 被引量:5
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8余裕宁,孙玲玲,刘军.RF CMOS modeling:a scalable model of RF-MOSFET with different numbers of fingers[J].Journal of Semiconductors,2010,31(11):33-37.
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9CMC相中两款MOSFET模型实施标准化拟取代BSIM3/4[J].现代电子技术,2005,28(13).
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10Visweswara Rao Samoju,Satyabrata Jit,Pramod Kumar Tiwarit.A Quasi-3D Threshold Voltage Model for Dual-Metal Quadruple-Gate MOSFETs[J].Chinese Physics Letters,2014,31(12):154-156.
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